Inglês
Português
Exemplos de tradução
"The thick photoresist was chosen to serve as a mask for silicon etching by Deep Reaction Ion Etching (DRIE) through the entire thickness of the silicon wafer."
Resultados da busca para "ion etching"
Frases traduzidas contendo "ion etching" 
Termos relacionados contendo "ion etching"
a) Traduções técnicas inglês para português
(Substantivo)
Frases traduzidas contendo "ion etching"The thick photoresist was chosen to serve as a mask for silicon etching by Deep Reaction ion etching (DRIE) through the entire thickness of the silicon wafer.
O fotorresiste espesso foi escolhido para servir de máscara para a corrosão de silício por corrosão Iônica Reativa Profunda (DRIE) através de toda a espessura da pastilha de silício.
The pedestal type waveguide production based on BGO thin film was done trough optical lithography followed by reactive ion etching and physical vapor deposition processes.
A produção de guias de onda do tipo pedestal baseados nos filmes BGO foi realizada a partir de litografia óptica seguida por processo de corrosão por plasma e deposição física a vapor.
Reactive ion etching processes of silicon and silicon dioxide in a parallel plate reactor were established using SF6 and SF6/O2 gas mixture.
Foram estabelecidos processos de corrosão Iônica reativa (RIE) do silício e dióxido de silício em um reator de placas paralelas utilizando SF6 e a mistura gasosa SF6/O2.
The polymeric waveguides with different widths (from 10 to 1,0 mm), using the chrome mask, were patterned by UV photolithography and O2 plasma etching in Reactive ion etching process.
Guias de ondas poliméricos com diferentes larguras, de 10 a 1,0 mm, foram moldados através de fotolitografia seguida por RIE usando uma máscara de fotolitografia de cromo.
The thick photoresist was chosen to serve as a mask for silicon etching by Deep Reaction ion etching (DRIE) through the entire thickness of the silicon wafer.
O fotorresiste espesso foi escolhido para servir de máscara para a corrosão de silício por corrosão Iônica Reativa Profunda (DRIE) através de toda a espessura da pastilha de silício.
Also, the definition of the sidewalls of the waveguide was achieved using Reactive ion etching (RIE) and conventional lithographic techniques.
A definição das paredes laterais dessas estruturas foi feita através da Corrosão por Plasma Reativo (RIE) utilizando técnicas fotolitográficas convencionais.
We present the fabrication process of silicon tips that consists on four stages: photolithography, reactive ion etching SF6 plasma, thermal oxidation for sharpening, and the DLC deposition by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition).
Apresentamos o processo de fabricação das ponteiras de silício que é realizado através das etapas de fotolitografia, corrosão por íon reativo no plasma de SF6 (hexafluoreto de enxofre), oxidação térmica seca para afinamento, e deposição do filme DLC por PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition).
Rib and pedestal waveguides were obtained from GP thin films with optical lithography followed by reactive ion etching process.
A produção de guias de onda do tipo rib e do tipo pedestal baseados nos filmes GP foi realizada a partir de litografia óptica seguida por processo de corrosão por plasma.
Microstructure analysis revealed by ion etching - FIB.
análise de microestrutura revelada por ataque iônico - FIB.
...ting. The post-fire method using transfer tapes has demonstrated to be very reproducible and produced very flat electrodes. The microplasma generator was mounted into a conventional homemade reactive ion etching (RIE) reactor and driven by DC and RF power supply. Characterization of Ar, O2, N2 and He microplasmas was performed by means of VxI characteristics, double Langmuir probe and optical emission spectr...
...e CNC e os eletrodos foram obtidos por serigrafia. O método de pós-sinterização utilizando a cerâmica de transferência mostrou ser bastante reprodutível e produziu eletrodos totalmente planos, sem arqueamento. O gerador de microplasma foi instalado dentro de um reator RIE convencional e o microplasma foi gerado em DC e RF. A caracterização dos microplasmas de Ar, O2, N2 e He foi realizada por meio de curvas VxI, sonda dupla de Langmuir e espectroscopia de emissão óptica. Para descargas DC...
...This work has as objective the development of a Reactive ion etching (RIE) System, motivated by the need of this technique for the fabrication of devices and Integrated circuits with advanced technologies. The RIE equipment has been designed, constructed and characterized. An RF generator of up to 3,0W at a fixed frequency has been designed and built. This relatively low frequency was adapted because lt a) p...
...Este trabalho foi concebido da necessidade que se tinha de corroer amostras que requerem características específicas, como é o caso de circuitos integrados com tecnologias avançadas. Com este objetivo, projetou-se e construiu-se um sistema de corrosão Iônica Reativa (RIE). Foi montado para isto, um gerador de RF de 3,0W e freqüência de 5,0KHz, freqüência esta escolhida pela alta taxa de corrosão em filmes de fotorresiste e tungstênio, facilidade na instalação, dispensando grandes cuidados, pe...
... required for the manufacturing process such as the etch rate, selectivity, anisotropy and quality of the surface. For the etching processes two different equipments were used: a reactor for reactive ion etching (RIE) and a reactor for electron cyclotron resonance etching (ECR). To analyze the plasma-surface interaction mechanisms in the RIE reactor, plasma characterization employing two theoretical models a...
...icas específicas requeridas do processo de fabricação tais como a taxa de corrosão, seletividade, anisotropia e qualidade da superfície. Para os processos de corrosão foram usados dois equipamentos diferentes: um reator para corrosão Iônica reativa (RIE) e um reator para corrosão por ressonância ciclotrônica de elétrons (ECR). Para analisar os mecanismos de interação plasma-superfície no reator RIE, foi realizada uma caracterização do plasma através de dois modelos teóricos e por técnic...
...3,0°C, SiO2 films, thermally grown at 12,0°C and TiOxNy films deposited by the reactive magnetron sputtering technique. The definition of the sidewalls of these waveguides was performed by Reactive ion etching (RIE) and conventional photolithographic techniques. The characterization techniques used were: propagation loss measurements, using the top view technique and modal analysis. The main contribution o...
...o de oxidação em ambiente úmido a 12,0°C e filmes de TiOxNy depositados pela técnica de Magnetron Sputtering Reativo. A definição das paredes laterais dessas estruturas foi feita através da Corrosão por Plasma Reativo (RIE) e técnicas fotolitográficas convencionais. Para o aprimoramento dos processos, as técnicas de caracterização utilizadas foram: medidas de perdas por propagação, utilizando a técnica de vista superior e a análise modal dos guias de onda. A principal contribuição deste...
...ymers, using plasma technology, has been the major subject of many research works. carried out during the last years. in this module, the EPDM surface activation process was carried out in a reactive ion etching reactor (RIE) operated at 13,56 MHz using pure oxygen and a gas mixture of argon and oxygen in different proportions (6,0, 5,1,4,2, 3,3, 2,4, 1,5,0,6), with a total flow of 60 sccm. These essays were...
... do tipo de processo a plasma quanto na preparação da composição elastomérica utilizada. Inicialmente, foi estudada uma composição de borracha denominada EPDMI A por meio de análises FT -IR, mas fatores tais como, a presença de sílica como carga e, a ligação Si-O absorver na mesma região do espectro que a ligação CO, impediram o acompanhamento das mudanças na superficie da borracha provocada pelo plasma. Baseado nestas infonnações, decidiu-se eliminar a sílica e preparar uma outra compos...
Termos relacionados contendo "ion etching"