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Resultados da busca para "insulator"


a) Traduções técnicas inglês para português

(Substantivo)

Significado

Material que opõe uma resistência elétrica muito elevada à passagem de uma corrente.

Meaning

A material that is a poor conductor of electricity used to separate conductors from one another or to protect personnel from electricity.

Exemplos de tradução

Looking to some component failures, with a broken distribution insulator. the electrical field surrounding the insulator begins to leak through the broken areas of it and sharp edges of the fracture emit these (EMI) signals that are detectable.

Observando algumas falhas de componentes, com um isolador de distribuição quebrado, o campo elétrico em volta do isolador começa a vazar através das áreas quebradas deste e as bordas pontiagudas da fratura emitem esses sinais (EMI) que são detectáveis.



b) Traduções gerais inglês para português

(Substantivo)

Exemplos de tradução

Looking to some component failures, with a broken distribution insulator. the electrical field surrounding the insulator begins to leak through the broken areas of it and sharp edges of the fracture emit these (EMI) signals that are detectable.

Observando algumas falhas de componentes, com um isolador de distribuição quebrado, o campo elétrico em volta do isolador começa a vazar através das áreas quebradas deste e as bordas pontiagudas da fratura emitem esses sinais (EMI) que são detectáveis.

  
Banco de Glossários (traduções não verificadas)
Área Inglês Português Qualidade
Mecânicainsulatorisolante
Téc/Geralinsulatorisolador
MecânicainsulatorIsolador
Téc/GeralinsulatorIsolador
Náuticainsulatorisolante
Ferroviáriainsulatorisolador
Téc/GeralinsulatorIsolador
Téc/Geralinsulatorisolante
Téc/GeralPin insulatorIsolador de pinos
Téc/Geralpin insulatorisolador de pino
Téc/GeralPole insulatorIsolador de poste
Téc/Geralpost insulatorisolador-suporte
Téc/Geralbush, insulatorbucha
Téc/Geralspool insulatorisolador tipo roldana
AutomóveisChoke insulatorIsolador do afogador
Téc/Geralmetal insulatorisolantes metálicos
Téc/Geralstrain insulatorisolador tipo castanha
Téc/Geralpolymenc insulatorisolador polimérico
Téc/Gerallong-rod insulatorisolador-bastão
FerroviáriaMUSHROOM insulatorisolador de terceiro trilho, feito de porcelana e em formato de cogumelo
Téc/Geralcomposite insulatorisolador-bastão composto
Téc/Geralcomposite insulatorisolador composto
Téc/GeralPolymeric insulatorIsolador polimérico
Téc/Geralline post insulatorisolador-pilar
Téc/Geralelectrical insulatorisolador elétrico
FerroviáriaPONY BLOCK insulatorisolador do terceiro trilho unido ao terceiro trilho por meio de palmilha em forma de U
FerroviáriaTHIRD RAIL insulatorisolador do terceiro trilho
FerroviáriaTHIRD RAIL insulatorisolador de terceiro trilho
Téc/GeralSlag wool [insulator]Lã de escória [isolante]
AutomóveisShock Mount insulatorIsolador do suporte do amortecedor

Frases traduzidas contendo "insulator"

In this thesis, we studied some aspects of the Mott metal- insulator transition in the disordered case.

Estudamos nesta obra alguns aspectos da transição metal-isolante de Mott no caso desordenado.

Looking to some component failures, with a broken distribution insulator. the electrical field surrounding the insulator begins to leak through the broken areas of it and sharp edges of the fracture emit these (EMI) signals that are detectable.

Observando algumas falhas de componentes, com um isolador de distribuição quebrado, o campo elétrico em volta do isolador começa a vazar através das áreas quebradas deste e as bordas pontiagudas da fratura emitem esses sinais (EMI) que são detectáveis.

It is shown that the system consisting of two infinite and parallel planes, one of them a conductor, and the other an insulator with a uniform distribution of charges, is the simplest example of the use of the method of images, in contrast to what is usually written in the literature.

Mostra-se que o sistema constituído por dois planos infinitos e paralelos, sendo um plano condutor e o outro um plano isolante com carga distribuída uniformemente, é o exemplo mais simples do uso do método das imagens, em constraste com o que é difundido na literatura.

The automotive heat shields are made of an aluminized steel housing that surrounds a thermal insulator. physically quite similar to paper, though with a composition of inorganic parts high, reaching about 80% of dry material.

Os defletores de calor automotivos são constituídos de uma carcaça de aço aluminizado que envolve um isolante térmico, fisicamente bastante semelhante ao papel, entrentanto com uma composição elevada de partes inorgânicas, chegando a cerca de 80% do material seco.

A topological insulator. as well as a common insulator. have the valence and conduction bands separated by an energy gap, but allow border states with no energy gap at both ends.

Um isolante topológico, assim como um isolante comum, possui bandas de valência e de condução separadas por um gap de energia, mas suporta estados de borda sem gap de energia em suas extremidades.

Then, when the degree of compaction of the powder materials is increased as the compaction step progresses the increase in the load exerted on the insulator is suppressed by decreasing the insertion speed of the terminal electrode, thereby avoiding insulator breakage.

Em seguida, quando o grau de compactação dos materiais pulverizados é aumentado à medida que a etapa de compactação progride, o aumento na carga exercida sobre o isolador é suprimida mediante a diminuição da velocidade de inserção do eletrodo terminal, evitando assim o rompimento do isolador.

The tests indicated that the material gathers promissing characteristics for its use as a thermal insulator. presenting a thermal conductivity of 0,0928 W/mK, flexural strenght of 5,87 MPa and density of 350,59 kg/m³.

Os testes indicaram que o material reúne características promissoras para uso como isolante térmico, apresentando uma condutividade térmica de 0,0928 W/mK, resistência à flexão de 5,87 MPa e densidade de 350,59 kg/m3.

The development of MOS capacitors and diodes have become feasible the fabrication (using processes at low temperature (? 4,0oC)) of n- and p-MISFETs (Metal- insulator -Semiconductor Field Effect Transistors) and also the fabrication of a high speed MOS transistor prototype based on silicon germanium named D-DotFET (Disposable Dot Field Effect Transistor).

O desenvolvimento de capacitores MOS e diodos possibilitou a fabricação (usando processos em baixa temperatura (?4,0oC)) de n- e p-MISFETs (Metal- Insulator-Semiconductor Field Effect Transistors), como também a fabricação de um protótipo de transistor MOS de alta velocidade baseado em silício germânio chamado D-DotFET (Disposable Dot Field Effect Transistor).

The cobalt-60 is immersed in a tank with water at 7 meters depth where the water works as an insulator. so that the environment inside the machine is not exposed to inadequate doses of radiation in the disinfestation process.

O cobalto-60 é imerso em um tanque com água a 7 metros de profundidade onde a água funciona como isolante, fazendo com que o ambiente dentro da máquina não fique exposto a doses inadequadas de radiação no processo de desinfestação.

The sum up, this work describes a new approach to the study of the electrification of insulator surfaces that produces reproducible results and can be applied to many other cases.

Os resultados são interpretados usando um modelo simples baseado na quimisorção de espécies presentes na atmosfera acompanhada de reações eletródicas, podendo ser aplicado a outros isolantes.

This work presents the development of an acoustic insulator prototype that combines traditional passive noise control elements (porous materials, melamine foam more specifically) with active noise elements (piezoelectric transducer driven by a convenient electric signal) to complement the sound absorbing in low frequencies.

Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um protótipo de isolador acústico híbrido que agrega elementos do tradicional controle passivo (material poroso, espuma de melamina mais especificamente) e do controle ativo de ruídos (transdutores piezelétricos comandados por um sinal elétrico conveniente) para complementar a eficiência de absorção sonora em baixas frequências.

A flange 20 is formed at the outer periphery of the insulator 12, and the inside of the insulator 12 is provided with a through-hole 21.

Um flange 20 é formado na periferia externa do isolador 12, e o interior do isolador 12 é provido de um furo passante 21.

The principal contribution of this work is to propose the analysis of grating periodic structures on the silicon-on-insulator platform through the finite element method in a two dimension computational domain...Note: The complete abstract is available with the full electronic document

The second process is, as illustrated in FIG. 3, performed by (6) placing the first to third powder materials 16P, 17P, and 18P stacked in the through-hole 21 of the insulator 12 in a heating furnace not shown and heating them at a temperature (for example, 7,0 to 9,0°C) higher than softening temperatures of the first to third powder materials 16P, 17P, and 18P, and (7) inserting the terminal electrode 15 at the press start position to a predetermined press completion position where the collar portion 25 comes in contact with the rear end surface of the insulator 12, using a press apparatus 30 illustrated in FIG. 4, sequentially.

O segundo processo, como ilustra a FIG. 3, é realizado (6) colocando-se o primeiro a terceiro materiais pulverizados 16P, 17P e 18P empilhados no furo passante 21 do isolador 12 em um forno de aquecimento, não ilustrado, e aquecendo-os a uma temperatura (por exemplo, 7,0 a 9,0oC) maior do que as temperaturas de amolecimento do primeiro ao terceiro materiais de pó 16P, 17P e 18P, e (7) inserir o eletrodo terminal 15 na posição inicial de prensagem em uma posição de conclusão de prensagem predeterminada na qual a parte de colar 25 entra em contato com a superfície de extremidade traseira do isolador 12, usando um aparelho de prensagem 30 ilustrado na FIG. 4, sequencialmente.

The results showed that the dielectric loss is of the order of 10,3 showing that Al2,3 film is a very good electrical insulator.

Os resultados mostraram que a perda dielétrica é da ordem de 10,3 indicando que os filmes de Al2,3 possuem muito boa qualidade como isolante elétrico.

This work had as objective to evaluate the thermal performance of five types of subcoverings used as thermal insulator.

Este trabalho teve como objetivo avaliar o desempenho térmico de cinco tipos de subcoberturas para telhados, utilizados como isolante térmico.

Thereafter, the turntable 46 is rotated to move the insulator 12 to the retreat position, the insulator 12 is taken out of the holder 47, and the metal shell 11 and the center electrode 13 are assembled with the insulator 12, thereby completing the spark plug 10.

Em seguida, a base giratória 46 é girada para mover o isolador 12 para a posição de recuo, o isolador 12 é retirado do suporte 47, e o invólucro de metal 11 e o eletrodo central 13 são montados com o isolador 12, completando assim a vela de ignição 10.

When subjected to heat treatment in oxidizing atmosphere (thermal stabilization or thermal-oxidative) unchanged in its polymer chain, therefore, the physical and chemical properties are also modified by making polyacrylonitrile fire resistant and acts as a thermal insulator.

Quando submetidas a tratamentos térmicos em atmosfera oxidante (estabilização térmica ou termo-oxidativa) sofrem alterações em sua cadeia polimérica e consequentemente as propriedades físicas e químicas são modificadas tornando as fibras de poliacrilonitrila resistentes ao fogo e atuando como isolante térmico.

The results of this study showed that the creep area of the coating insulator maintained the temperature improving thermal comfort to the suckling piglets.

Os resultados obtidos com o estudo demonstraram que o revestimento do escamoteador com isolante térmico manteve a temperatura de conforto térmico dos leitões lactentes.

We used the Linear Response Theory to determine the injection of spin current at the interface between a ferromagnetic insulator (FMI) and a superconductor (SC).

Nesse trabalho investigamos a injeção de corrente de spin na interface entre um isolante ferromagnético (FMI) e um supercondutor (SC) através da teoria de resposta linear.

For this purpose, numerical models of isolated tower and completed stretch of TL were developed, including all components, towers, insulator chains, lightning-rod cables, conductor cables and prestressed stay cables.

Para isso, foram desenvolvidos modelos numéricos de torre isolada e de um trecho completo de LT, incluindo todos componentes, torres, cadeias de isoladores, cabos para-raios, cabos condutores e cabos de estais pré-tensionados.

Regarding the insulator transition models, some nanowires have Mott insulator transition metal and other metal insulator transition Anderson.

Em relação aos modelos de transição metal isolante, alguns nanofios apresentam transição metal isolante de Mott e outros, transição metal isolante de Anderson.

The first problem refers to the fate of extended states in the limit of low magnetic fields or strong disorder, where the transition from quantum Hall liquid to Hall insulator takes place.

O primeiro problema diz respeito ao destino dos estados estendidos no limite de baixos campos magnéticos ou forte desordem, onde ocorre a transição de líquido de Hall para o isolante de Hall.

More specifically we studied a conical topological insulator quantum dot (CTIQD), where the local non- triviality of the cone tip (the cone has null curvature everywhere but at the tip, where there is a singularity) can lead to global effects in the surface charge carriers and its energies spectrum and properties.

Em particular, estudamos um ponto quântico cônico feito de um isolante topológico, onde a não-trivialidade local da ponta do cone (o cone tem curvatura nula em todo seu espaço exceto na ponta, onde há uma singularidade), pode levar a efeitos globais nos portadores de carga que residem na superfície.

Next we show that the fractionalisation in the surface states of IT-3D can occur when we couple two surfaces of the same IT-3D. We will use the idea made in the case of two-dimensional topological insulation and the Kekulé distortion in graphene as a basis for analytic this phenomenon in the topological three-dimensional insulator.

Em seguida mostraremos que a fracionalização nos estados de superfície do IT-3D pode ocorrer quando acoplamos duas superfícies de um mesmo IT-3D. Utilizaremos a ideia do acoplamento feito no caso do isolante topológico bidimensional e a distorção de Kekulé no grafeno como base para descrever de forma analítica este fenômeno no isolante topológico tridimensional.

in this module, we have performed an Electron Spin Resonance (ESR) study in intermetallic compounds including the heavy fermions ?-YbAlB4, ?-YbAlB4 and ? -YbAlxFe1-xB4, the Fermi liquid metals ?-LuAlB4, AlB2 and the Kondo insulator. FeSi.

Nesta obra de Doutorado desenvolvemos estudos de Ressonância de Spin Eletrônico (ESR) em compostos intermetálicos, incluindo os férmions pesados ?-YbAlB4, ?-YbAlB4 and ? -YbAlxFe1-xB4, os metais ?-LuAlB4, AlB2 e o isolante Kondo, FeSi.

Porcelain electrical insulators, after a certain time of use, lose their insulator functions and are needed to be substituted and its monthly disposal in the brazilian electric sector comes to more than ten tons.

Os isoladores elétricos de porcelana, após um dado período de uso, perdem suas funções isoladoras, tendo necessidade de serem substituídos, e o seu descarte mensal pelas concessionárias do setor elétrico brasileiro atinge dezenas de toneladas.

The band gap of LPN crystal is indirect and its energy is ~3,55 eV. The 2p orbitals are the largest contributors to the density of states, suggesting that the crystal behaves like an n-type wide gap insulator.

A energia do gap do cristal LFN (indireto) é aproximadamente 3,55 eV. Os orbitais 2p são os maiores contribuintes para a densidade de estados, o que sugere que o cristal se comporta como um isolante.

It is known that an electric charge near the surface of a topological insulator induces an image magnetic monopole inside its bulk, due to the TMEE. We have calculated the magnetic field resulting from a specific configuration, when the topological surface has a negative curvature, particularly in the case of a semi-spherical concavity.

Sabe-se que uma carga elétrica perto da superfície de um isolante topológico induz um monopolo magnético imagem em seu interior (“bulk”), devido ao EMET. Calculamos o campo magnético resultante de uma configuração específica, quando a superfície topológica tem uma curvatura negativa, particularmente no caso de uma concavidade semi-esférica.

...coexistence of both massless and massive Dirac fermions. This result reveals that the integer- and semi-integer QHE take place simultaneously in HOPG samples. We observed magnetic field induced metal- insulator (MIT) and insulator-metal (IMT) transitions, when this field is in the crystallographic c-axis direction, and observed that these transitions are very similar to the MIT and IMT observed in HOPG and ...

...assa. Este resultado revela que o efeito Hall quântico inteiro e semi-inteiro tomam lugar simultaneamente na amostra HOPG. Nós encontramos as transições metal¿isolante (MIT) e isolante¿metal (IMT) induzidas por campo magnético em amostras de bismuto (Bi), quando o campo é aplicado paralelo ao eixo-c cristalográfico e observamos que estas transições têm enormes semelhanças com o MIT e IMT achados em HOPG e amostras monocristalinas Kish. As análises destes resultados experimentais suge...

...The aim of this study is to propose a new method to classify the hydrophobicity (HC) in high voltage polymer insulators . Currently the HC is based on the STRI guide (Swedish Transmission Research Institute) published in 19,2, where the hydrophobicity is classified by contact angle and/or amount of wet surface. In the proposed method, the HC was analyzed by digital image processing using the textures of the...

...Este trabalho tem como objetivo propor uma metodologia para a classificação da hidrofobicidade (HC) em isoladores elétricos poliméricos de alta tensão. Atualmente a HC esta baseada no guia da STRI (Swedish Transmission Research Institute) elaborado em 19,2. Porém neste guia a hidrofobicidade das superfícies de isoladores e classificada de acordo com o angulo de contato e/ou a quantidade de superfície molhada com água de forma subjetiva, através de um operador dependurado em uma torre de transmi...

...Fuse cutout is a device installed in the electric energy distribution network, which plays the role of protection to the transformer. The main component of a fuse cutout is the insulator. which usually is made of ceramic, also known as electric porcelain. Several electricity companies, working in regions close to the coast, have problems concerning aging and/or corrosion caused by salt mist on their fuse c...

...Chave Fusível é um dispositivo instalado na rede de distribuição de energia elétrica, que tem a função de proteger o transformador. O principal componente de uma Chave Fusível é o isolador, que em sua grande maioria é cerâmico, conhecido também como porcelana elétrica. Diversas companhias de eletricidade, que atuam em regiões próximas ao mar, têm problemas relacionados ao envelhecimento e/ou corrosão causadas pela névoa salina nas Chaves Fusíveis. neste módulo, apresentamos uma análi...

...by both the materials and the technique used to grown the films. For this propose it was deliberately chosen different materials as organic semiconductors (perylene and two metallic phthalocyanines), insulator (lignin) and lipids applied as biomembrane mimetic systems (DPPG and DODAB) to be processed in form of thin films by Langmuir-Blodget (LB), Layer-by-Layer (LbL) and physical vapour deposition (PVD) t...

...ssura, desde uma monocamada até 1,0 nm. Na segunda abordagem (língua eletrônica 2) foi avaliado o papel desempenhado pelo tipo do material que dá origem ao filme e pela técnica de processamento empregada para crescer o filme. Para isso foram escolhidos diferentes materiais, como semicondutores (perileno e duas ftalocianinas metálicas), isolante (lignina) e lipídios utilizados como sistemas miméticos de biomembranas (DPPG e DODAB), os quais foram processados na forma de filmes finos pelas técnica...

...The antiferromagnet insulator 'La IND. 2'Cu'O IND. 4' has recently been widely studied [1}. On the other hand, the manganite compound LaMa'O IND. 3'[2] gives origin to a large family of magnetic systems such as colossal magnetoresistence materials and thos presenting charge ordering [3]. The substitution of multivalent ions as, for instance, on the cooper sistes in the ferrimagnet 'La ...

...O composto 'La IND. 2'Cu'O IND. 4' é um isolante antiferromagnético que tem sido amplamente estudado [1]. Por outro lado, a manganita LaMa'O IND. 3'[2] é o composto que dá origem a uma grande família de sistemas magnéticos como os materiais que apresentam a magnetorresistência colossal e o ordenamento de carga [3]. A substituição de íons multivalentes como, por exemplo, nos sítios do cobre no sistema ferrimagnético com fórmula 'La IND. 2''Cu IND. 1-x''Mn IN...

...roperties of SC/I/FM superlattices made by PLD deposition, using YBa2Cu3,7-δ (YBCO) as superconductor, La2,3Ca1,3MnO3 (LCMO) as ferromagnetic and PrBa2Cu3,6+δ (PBCO), SrTiO3 (STO) and CeO2 (CEO) as insulator materials. The used sequence was (YBCO20nm/Idi/LCMO20nm)x20, and the thicknesses of the insulating PBCO were 0,5, 2, 4, 8 and 20nm, and 2nm for STO and CEO. It was also analyzed a sample with ...

...o tipo SC/I/FM feitas por PLD (Pulsed Laser Deposition), utilizando o YBa2Cu3,7-δ (YBCO) como supercondutor, o La2,3Ca1,3MnO3 (LCMO) como ferromagneto e o PrBa2Cu3,6+δ (PBCO), o SrTiO3 (STO) e o CeO2 (CEO) como isolantes. A sequência utilizada foi (YBCO20nm/Idi/LCMO20nm)x20, e as espessuras do isolante PBCO foram de 0,5, 2, 4, 8 e 20nm, e de 2nm para o STO e para o CEO. Também foi analisada uma amostra com a inversão da ordem de deposição do supercondutor e ferromagneto. As análises de dif...

...equations of motion in the time domain was adopted, using the central finite differences scheme, and the model included all components of a TL: the towers, the conductor cables, the shield wires, the insulator strings and the foundation elements, in order to evaluate the influence of boundary conditions on the results. Finally, the results of dynamic analysis of towers, in terms of displacements at the top...

...rojeto. Na análise dinâmica, o modelo deve contemplar todos os elementos de uma LT, ou seja, as torres, os cabos condutores, os cabos pára-raios e as cadeias de isoladores, a fim de se availar a influência das condições de contorno nos resultados. Por fim, os resultados da análise dinâmica das torres, em termos de deslocamentos no topo e esforços máximos em algumas barras, devem ser comparados com os resultados da análise estática, para que possam ser elaboradas sugestões nos procedimentos d...

...ratory of Magnetism and Magnetic Materials in Santa Maria, spectroscopy measurements of electrical impedance between 1,0 kHz and 1 GHz were a function of temperature in VO2 thin films along the metal insulator transition undergone by this material. These results suggested [1,7] that the Impedance Spectroscopy can be a useful tool to separate the contributions from those intrinsic material generated by morp...

...netismo e Materiais Magnéticos em Santa Maria, medidas de espectroscopia de impedância elétrica entre 1,0 kHz e 1 GHz foram realizadas em função da temperatura em filmes finos de VO2, ao longo da transição metal isolante sofrida por este material. Estes resultados sugeriram [1,7] que a Espectroscopia de Impedância pode ser uma ferramenta útil para separar as contribuições intrínsecas do material daquelas geradas por características morfológicas. Para que tal possibilidade pudesse ser realme...

... a high VDV, but with a value of A (8) still in acceptable. It was concluded that with upholstered seats collaborate to reduce vibration values, the presence of cabin in the tractors provided a great insulator to vibrations and as well was concluded tractors with wider tires or dual formation the vibrations were reduced....

...do aceitável. Conclui-se que assentos com estofados em tecido colaboraram para redução dos valores de vibração, a presença de cabine nos tratores proporcionou um ótimo isolamento contra as vibrações e também que, em tratores com pneus mais largos ou com rodados duplos, as vibrações foram significativamente reduzidas....

...ergy and electron transfer process in molecular devices. The molecular devices were fabricated by using the polystyrene polymer because this material, as it was verified in this module, showed a good insulator features. The optical and electrical molecular devices were fabricated by using the spin-coating techniques from the PS, Alq3 and Rh5,0 solution in organic solvent. The thin film obtained by this tec...

...lares. Para tal fim foi utilizado o polímero de poliestireno (PS) como matriz hospedeira das moléculas tendo sido verificado que este material apresenta uma característica de um excelente isolante mostrando-se adequado para a fabricação de dispositivos moleculares do tipo elétrico e óptico. Os dispositivos moleculares ópticos e elétricos foram obtidos pela técnica de "spin coating" a partir de soluções contendo o polímero de PS e as moléculas de Alq3 e Rh5,0 em solvente orgânico, mostrando...

...nfavorable atmospheric conditions (pressure, temperature, humidity and wind speeds), amplitudes of voltage surges and its distribution along the line, as well as the number of parallel tower gaps and insulator swings. Conventional design methods are used for a preliminary design based on all .the types of overvoltage stresses and its risk of failure is calculated, considering the existing atmospheric condi...

...es de toda a linha. Inicialmente o dimensionamento das distâncias elétricas de isolamento, é feito pelas expressões convencionais de calculo para todos os tipos de solicitações elétricas. Com este projeto básico, e calculado o risco de falha, considerando-se as condições atmosféricas ambientais no trajeto da linha de transmissão. Sendo este risco de falha, maior que o previamente estipulado, realimenta-se o projeto inicial de isolamento, aumentando-se a distância onde o risco de falha for ma...

...chanical strength, good thermal conductivity and excellent chemical and thermal stability. However, while graphene is a zero band gap semiconductor with high carrier mobility; h-BN is a wide band gap insulator. Furthermore, when these sp2 monolayers are obtained on the surface of a variety of substrates, they can exhibit corrugated superstructures with a few nanometers in-plane lattice constants. Such supe...

...a mecânica, boa condutividade térmica e excelente estabilidade química e térmica. Porém, enquanto o grafeno é um semicondutor de gap nulo com alta mobilidade dos portadores de carga; o h-BN é um isolante com um largo band gap. Além disso, quando estas monocamadas sp2 são obtidas na superfície de uma variedade de substratos, elas podem exibir superestruturas corrugadas com parâmetro de rede no plano da ordem de nanômetros. Estas superestruturas são importantes para o autoordenamento de moléc...

...ons, firstly developed by Wagner, are reviewed , analysed as well as compared with these purpose. Based on this two approaches a computacional program is developed to calculate the overvoltage on the insulator string and the required parameters. Based on the results of this analysis, the simplest and most efficient method is chosen and where a simple sensitivity anal ysis is made for the following the towe...

...inicialmente por Wagner. Para atingir este objetivo, desenvolve-se um programa computacional que calcula a sobretensão quando a descarga atinge o topo da torre de um sistema de transmissão pelas duas abordagens. Fundamentado nesta análise, escolhe-se o método mais simples e eficiente. Posteriormente, utilizando-se este método .ê feita uma análise de sensibilidade simplificada para quatro parêmetros: impedância do canal da descarga, impedância de pé-de-torre, tempo de subida da forma de onda da...

...aracterization of ultra-thin (5 à 0,5 nm) silicon oxynitride (SiOxNy) films, through the oxidation and/or nitridation by high density ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma. The interest in these insulator films and in this technology, which allows reduce thermal stress on the wafer, grows with the increase of the integration levels and the complexity of the current devices and electronic circuits with...

...s (5 à 0,5 nm) de oxinitreto de silício (SiOxNy) através da oxidação e/ou nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de alta densidade. O interesse nestes filmes isolantes e nesta tecnologia, que permite reduzir o stress térmico sobre as lâminas, cresce à medida que aumentam os níveis de integração e de complexidade dos atuais dispositivos e circuitos eletrônicos com dimensões menores que 1,0 nm. Os filmes foram caracterizados por elipsometria, por espectrometria de absorçã...

...In this thesis we study graphene and topological insulators . In the case of graphene, we study the scattering of quasiparticles by topological defects, represented by holes, pentagons and heptagons. For the case of holes, we obtain the phase shift and found that at low concentration they appear to be irrelevant for the electron transport, giving a negligible contribution to the resistivity. Whenever pentag...

...Nesta obra são estudados grafeno e isolantes topológicos. No caso do grafeno é considerado o espalhamento das quase partículas por defeitos topológicos representados por buracos, pentágonos e heptágonos. No caso de buracos os desvios de fase da função de onda são obtidos e em baixas concentrações são irrelevantes para o transporte eletrônico, determinando uma contribuição negligenciável para a resistividade. Quando pentágonos e heptágonos são introduzidos na rede e a corrente fermiôn...

.... In Brazil this use is standing out for about20 years mainly with the construction waste and the red ceramic. There is a gap to be fulfilled by the white ceramic especially by the porcelain electric insulators , because of its national passive which is of 25,000 tons proceeded from the substitution of obsolete parts. The purpose of this work is to confirm the utility of this porcelain in concretes and mort...

...do. No Brasil este uso vem ganhando destaque a cerca de vinte anos principalmente com os entulhos de construção e da cerâmica vermelha. Há uma lacuna a ser preenchida pela cerâmica branca, em especial pelos isoladores elétricos de porcelana, pois seu passivo nacional anual é de 25,000 toneladas proveniente sobretudo da substituição de peças obsoletas. O objetivo deste trabalho foi comprovar a utilização desta porcelana em concretos e argamassas através de sua incorporação com diferentes gr...

...ors and low-cost deposition techniques that can be performed over wide surfaces. Organic Thin-Film Transistors (OTFTs) are the fundamental unity in electronic circuits and, usually, display the metal insulator semiconductor field-effect transistor (MISFET) structure. OTFTs can be processed over cheap plastic substrates and integrate a high number of applications as: flexible displays, radio frequency ident...

...semicondutores e técnicas de deposição de baixo custo e em grande superfície. Os Transistores de Filmes Finos Orgânicos (OTFTs, do inglês Organic Thin-Film Transistors) são a unidade fundamental em circuitos eletrônicos e, geralmente, apresentam a estrutura de um transistor de efeito de campo. Podem ser fabricados sobre substratos plásticos e oferecem grande número de aplicações como: mostradores, etiquetas de identificação por rádio frequência e eletrônica têxtil. Além disso, há dema...

...e expression patterns. The H19-DMR contains seven potential CTCF-binding sites. These sites are located upstream to the transcriptional initiation site, and the gamete-specific methylation acts as an insulator by precluding CTCF binding in the paternal allele. A previous literature report have suggested that only the sixth CTCF-binding site shows parental specific methylation. This finding was correlated w...

...íproco e na expressão mutuamente exclusiva dos genes IGF2 e H19. Ela encontra-se não metilada no homólogo materno e metilada no homólogo paterno e contém sete regiões de ligação da proteína CTCF (proteína bloqueadora do acentuador), que é sensível à metilação do DNA. Um relato prévio da literatura sugeriu que somente o sexto sítio de ligação do fator CTCF apresenta metilação parental específica. Este achado foi correlacionado com o padrão de expressão regulado por imprinti...

...(X-AFM) reveal that the thin film is organized in horizontal layers of flattened PEDOT-rich particles that are separated by quasi-continuous PSS lamella. In the vertical direction, the horizontal PSS insulator lamellas lead to a reduced conductivity and impose nearest-neighbor hopping (nn-H) transport. In the lateral direction, 3D variable-range hopping (3D-VRH) transport takes place between PEDOT-rich clu...

...ópica observada nos filmes finos de PEDOT:PSS depositados pela técnica de spin coating. Imagens topográficas de microscopia de varredura por tunelamento (STM) e imagens da seção transversal observadas com o microscópio de forca atômica (X-AFM) revelaram que o filme fino polimérico é organizado em camadas horizontais de partículas planas ricas em PEDOT, separadas por lamelas quasi-contínuas de PSS. Na direção vertical, lamelas horizontais do isolante PSS reduzem a condutividade e impõ...

...in this module we study new semiconductors heterostructures, based on SOI (Silicon-On- Insulator) structures obtained by "Smart-Cut" process, that were studied in the last years at Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP). This technique combines high-dose hydrogen ion implantation (I/I) and direct wafer bonding. To produce SOI structu...

...Esta pesquisa engloba o estudo e desenvolvimento de novas heteroestruturas semicondutoras, tomando como base as estruturas SOI (Silicon-On-Insulator - silício sobre isolante) obtidas pela técnica Smart Cut, estudadas nestes últimos anos no Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP). Esta técnica combina a solda direta para a união de lâminas e a implantação iônica (I/I) de íons leves para a separação de camadas especificada...

...ic of thicker films (above 12,0 Å). The composition and detailed surface structures were determined by XPS (X-Ray Photo electron Spectroscopy) and XPD (X-Ray Photoelectron Diffraction). SrTiO3 is an insulator. but doping with Nb makes it sufficiently conducting so that it is possible to use LEED, XPS and XPD without charging problems inherent to insulating samples. Two types of radiation were used for e...

...PS (X-Ray Photoelectron Spectroscopy) e XPD (X-Ray Photoelectron Diffraction), respectivamente. Titanato de Estrôncio, SrTiO3 normalmente é um material isolante, mas a adição de Nb como dopante o transformou em um material suficientemente condutor para permitir o uso das mesmas técnicas para o estudo da estrutura atômica e composição de sua superfície. Nestes estudos foram utilizados como fontes de excitação radiação Síncrotron de 7,0 eV de energia da linha SGM do Laboratório Nacional ...

...This master degree's dissertation aims to study the low temperature electrical behavior of tridimensional transistors on insulator (SOI FinFET) under the effects of proton radiation, through experimental methods and numeric simulations. Initially, it was compared the transistors' behavior before and after they have been subjected to proton radiation, at room temperature. This analysis was performed for bot...

...Nesse trabalho de mestrado estudou-se o comportamento elétrico de transistores verticais de múltiplas portas (3D) sobre isolante (SOI FinFET) sob o efeito da radiação de prótons em baixa temperatura, por meio de métodos experimentais e simulações numéricas. Inicialmente, foram comparados os comportamentos dos transistores antes e depois de serem submetidos à radiação de prótons, em temperatura ambiente. Esta análise foi realizada tanto para dispositivos com canal do tipo p quanto do tipo n,...


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