in this module an analysis of the analog behavior of MOS transistors implemented in Silicon-On-Insulator technology, with graded-channel (GC) and mechanical strain applied to the channel, operating at low temperatures (from 3,0 K down to 90 K), in comparison to standard SOI devices is presented.
neste módulo apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia silício sobre isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 3,0 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convencionais.
The operation of Silicon-On-Insulator (SOI) triple gate MuGFETs with variations in the shape of the cross section of the transistor channel and variations in the length and width of the fin is studied in selected cases.
A operação dos dispositivos de silício sobre isolante (SOI Silicon On Insulator) MuGFETs de porta tripla com variações no formato da secção transversal do canal do transistor e variações no comprimento e largura da aleta é estudada em casos selecionados.
The principal contribution of this work is to propose the analysis of grating periodic structures on the Silicon-On-Insulator platform through the finite element method in a two dimension computational domain...Note: The complete abstract is available with the full electronic document
A principal contribuição deste trabalho _e a proposta da análise de estruturas periodicamente segmentadas na plataforma de silício sobre isolante (SoI), usando o método dos elementos finitos em um domínio computacional de duas dimensões...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da obra digital
...This work presents an experimental comparison between triple gate FinFETs fabricated on Silicon-On-Insulator (SOI) and on silicon wafers. It is presented the electrical characterization of SOI FinFET and bulk FinFET of both p and n types, in order to compare theirs digital (Current-Voltage curves, threshold voltage, transconductance and subthreshold swing) and analog (intrisic voltage gain, Early voltage, ouput condu...
...Este trabalho apresenta um estudo que inclui a comparação experimental entre transistores de porta tripla (FinFETs) fabricados sobre lâminas de Silício-Sobre Isolante (SOI) e os fabricados diretamente sobre a lâmina de silício (de corpo). A caracterização elétrica dos FinFETs foi realizada para canais tipo n e p, a fim de realizar uma avaliação no desempenho tanto de parâmetros para aplicações digitais (tensão de limiar, transcondutância e inclinação de sublimiar), quanto analógicas (ganho intrí...
...nators coupled to an outer ring, which is coupled to a straight bus waveguide. Applying the transfer matrix method (TMM) and simulation robust programs, we project three types of PM based on scalable Silicon-On-Insulator (SOI) platform. This project shows that the coupling between two or more optical micro-cavities, allows spectral splitting and hybridization of the modes when the resonant frequencies are degenerated...
...sua vez está acoplado a um guia de onda. Aplicando o método de matriz de transferência (Transfer-Matrix Method, TMM) e programas robustos de simulação, nós projetamos três tipos de PMs baseada em uma plataforma de Silício-sobre-isolante (Silicon-on-Insulator, SOI). Este projeto mostrou que o acoplamento entre duas ou mais micro-cavidades ópticas, permite separações espectrais e hibridização dos modos quando as frequências ressonantes estão degeneradas nas cavidades, similar ao acoplamento fraco entre...
...in this module was analyzed the behavior of one transistor called UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) FD SOI MOSFET (Fully Depleted Silicon-On-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) working as a 1T-FBRAM (Single Transistor Floating Body Random Access Memory). This memory device is an evolution from conventional memories 1,1C-DRAM, however formed by only one transistor, the device itself is responsi...
...neste módulo foi analisado o comportamento de um transistor UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) FD SOI MOSFET (Fully Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar do tipo n, operando como uma célula de memória 1T-FBRAM (single transistor floating body random access memory). A memória em questão trata-se de uma evolução das memórias 1,1C-DRAM convencionais formada, porém, de apenas um transistor, sendo o próprio transistor o responsável pelo armazenamento da informa...
...This work presents the study of Self-Heating (SH) effect in Graded-Channel Silicon-On-Insulator (GC SOI) nMOSFETs. The SOI technology characteristics are described with special attention to the GC SOI nMOSFET characteristics. A Self-Heating (SH) analysis was performed using conventional Silicon-On-Insulator (SOI) in comparison to Graded-Channel (GC) SOI nMOSFETs devices. The analysis was performed comparing devices w...
...Este trabalho apresenta o estudo do efeito de Auto-Aquecimento (Self-Heating SH) em transistores Silicon-On-Insulator (SOI) com estrutura de canal gradual (GC SOI MOSFET). São apresentadas as características da tecnologia SOI e em especial as características do transistor GC-SOI MOSFET. Foi realizada uma análise do SH usando uma comparação de dispositivos SOI convencionais com GC SOI nMOSFET. Esta análise compara dispositivos com o mesmo comprimento de máscara do canal e dispositivos com o mes...
...in this module, it was analyzed the behavior of a planar UTBOX FD SOI NMOSFET (Ultra-Thin-Buried-Oxide Fully-Depleted Silicon-On-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor), as a 1T-DRAM (Single Transistor Dynamic Random Access Memory) cell, focusing on the best biases and other proposals for enabling the 1T-DRAM applications. Therefore, it was analyzed the effects of different biases (gate, drain a...
...neste módulo foi analisado o comportamento de um transistor UTBOX FD SOI MOSFET (Ultra-Thin-Buried-Oxide Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar do tipo N, em sua aplicação como uma célula de memória 1T-DRAM, dando ênfase no estudo das polarizações e propostas de melhorias de desempenho para viabilizar sua aplicação como uma célula de memória. Dessa forma, foram analisados os efeitos das diferentes polarizações (de porta, de dreno e de substrato),...
...in this module, it was analyzed the behavior of a planar UTBOX FD SOI NMOSFET (Ultra-Thin-Buried-Oxide Fully-Depleted Silicon-On-Insulator Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect-Transistor), operating in conventional (VB=0V), dynamic threshold (DT2-UTBB, where the back-gate bias is equal to the front-gate one, VB=VG) and enhanced DT (kDT-UTBB, where the back-gate bias is a multiple value of the front-gate one, VB=kV...
...neste módulo foi analisado o comportamento de um transistor UTBB FD SOI MOSFET (Ultra-Thin-Bodyand-Buried-Oxide Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar, operando em modo convencional, de tensão de limiar dinâmica (DT2-UTBB, onde a tensão de substrato é igual à de porta, VB=VG) e modo DT2 melhorado (kDT, onde a tensão de substrato é um múltiplo da tensão de porta, VB=kVG). O princípio de funcionamento desses modos foi estudado e a influência de difere...
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