From CV analysis, it was extracted EOT9,54nm, series resistance (Rs68,3) and dielectric constant from hafnium aluminate (high-k15,2).
Por fim, da análise CV, foram obtidos EOT9,54nm, resistência série (Rs68,3) e a permissividade elétrica para o aluminato de háfnio (high-k15,2).
This work presents the study of the source and drain series resistance behavior in standard and strained SOI FinFETs triple gate transistors.
Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da resistência série de fonte e dreno em transistores SOI FinFET de porta tripla e com canal tensionado.
...at comes from the cells and adjust it to the ultracapacitor module. Through research it was intended to project a system that comply with all limitations of each individual element, once the load of this system is an ultracapacitor and not a battery. The dynamic analysis of the power converter was provided and it was treated as a continuous function, to then, find optimal conversion points. The result were carried o...
...iente, respeitando os limites que a célula fotovoltaica impõe, pois a carga em questão, diferente dos sistemas normalmente propostos, não utiliza uma bateria, que precisa de carga lenta devido à resistência série. e sim um módulo de ultracapacitores que possui maior densidade de potência. Fez-se uma análise do comportamento dinâmico do conversor de potência aproximando-o de uma função contínua para a adaptação no sistema e a definição de parâmetros. Os resultados foram comprovados por meio de s...
...6,4pA/cm ±2,9pA/cm for reverse voltage of -5V, the square diode reverse resistance of 268,9G? ±97,7G? and serpentine diode reverse resistance of 35,5G? ±11,5G?, forwardbias voltage between 0,55V and 0,56V, forward series resistance of 4,7? ±1,3?, ideality factor of 1,15 ±0,03, and reverse saturation current of 1,1x10,11A for square diodes (3,0ìm x 3,0ìm). The lowest film resistivity value (Ni(Pt)Si) of 25ì?c...
... a resistência reversa dos diodos quadrados de 268,9G? ±97,7G? e a resistência reversa dos diodos serpentinas de 35,5G? ±11,5G?, a tensão de início de condução resultou entre 0,55V e 0,56V, a resistência série em condução de 4,7? ±1,3?, fator de idealidade de 1,15 ±0,03, e corrente de saturação de 1,1x10,11A para diodos quadrados (3,0ìm x 3,0ìm). O menor valor de resistividade do filme de (Ni(Pt)Si) resultou 25ì?cm e a resistência de folha de 3,13 ?/? foram obtidas após a formação do mono-si...
...60% lower SS and 1,7% higher gm,max for devices without GP and 68% lower SS and 1,9% higher gm,max on devices with GP) due to the thinner gate oxide than the buried oxide. With regard to the silicon film scaling, for higher values of gate voltage, the thinner silicon layer presented a larger series resistance and a greater mobility degradation, reducing the drain current. For negative gate biases, the GIDL (Gate Ind...
... de porta ser mais fino que o óxido enterrado. Com relação ao escalamento do filme de silício, para maiores valores de sobretensão de porta, a redução da camada de silício apresenta uma maior resistência série e uma maior degradação da mobilidade, reduzindo a corrente de dreno. Já para tensões de porta negativas, o GIDL (Gate Induced Drain Leakage) é mais elevado para menores espessuras do filme de silício. Entretanto, a menor espessura da camada de silício (tSi) mostrou ser vantajoso no modo kDT,...
... methods, to make the choice of the suitable methods for application in the experimental results. From a general way, all the studied methods suffer higher influence with channel length reduction due to short channel and the series resistance effects. Among the studied methods, the method by gm,max presents the higher influence with the channel length reduction that shows the bigger errors. The Y-function method pre...
...métodos mais adequados para aplicação nos resultados experimentais. De modo geral todos os métodos estudados sofrem maior influência com a redução do comprimento de canal devido aos efeitos da resistência série e de canal curto. Dentre os métodos estudados o que apresenta maior influência com a redução do comprimento de canal é o por gm,máx que apresentou maiores erros. E o método por Y-function apresentou o melhor comportamento com a redução do comprimento de canal, seguido pelo método Split C-...
...tion, the floating body effect influence on fully depleted devices was also studied for both technologies (65nm and 1,0nm). The twin-gate devices analysis, that traditionally are used in order to minimize the Kink effect, show a GIFBE reduction for this structure when it is compared to the single gate one. This enhance in the electrical characteristics is due to the series resistance increase that is intrinsic of th...
... com a finalidade de minimizar o efeito de elevação abrupta de corrente de dreno, mostrou uma redução do GIFBE para este tipo de estrutura quando comparada à de porta única devido ao aumento da resistência série intrínseca à estrutura. O efeito de corpo flutuante também foi avaliado em função da temperatura de operação dos dispositivos. Para temperaturas variando de 1,0K a 4,0K, notou-se que o valor do limiar de GIFBE aumentou tanto para temperaturas acima de 3,0K quanto abaixo da mesma. Quando este...
...een also performed, showing that the zero temperature coefficient point, in which the current is the same independent of the temperature, can or not exist depending on the series resistance and its dependence on the temperature. Finally, the operation of junctionless nanowire transistors in analog applications has been analyzed for devices of different dimensions....
...namento dos JNTs, mostrando que o ponto invariante com a temperatura, onde a corrente de dreno se mantém constante independente da temperatura, pode ou não existir nesses dispositivos dependendo da resistência série e de sua dependência com a temperatura. Por fim, a operação analógica dos dispositivos sem junções é analisada para dispositivos de diferentes dimensões....
Inglês
Português
Resultados da busca para 
