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Resultados da busca para "escalamento"


a) Traduções Técnicas português para inglês

(Substantivo)

Significado

Ação de ajustar os valores por um fator para adequar-se ao processo ou equipamento sendo utilizado.

Meaning

the adjustment of values to accommodate the process or equipment being used. (coe.missouri.edu...)

Exemplos de tradução

Escalonamento de painéis reforçados sujeitos a cargas de impacto

Scaling of reinforced panels subjected to impact loads.

ideal para redimensionamento de desempenho com vários núcleos

ideal for multi-core performance scaling

o escalamento da camada de silício e a ausência de uma região de extensão de fonte e dreno scaling

the scaling of the silicon layer and the absence of a doped extended source and drain region



b) Traduções gerais português para inglês

(Substantivo)

 
Frases traduzidas contendo "escalamento"

One of the empirical foundation of this science is the scaling laws of diferent urban variables in relation to the urban population size.

Uma das raízes empíricos dessa ciência está nas análises de escalamento entre diversas variáveis urbanas com a população das cidades.

Based on the performed analyzes it was observed that extensionless transistors are more scalable, being less susceptible to the short channel effects.

Com base nas análises realizadas, foi constatado que os transistores sem extensão respondem melhor à questão do escalamento. sendo menos susceptíveis aos efeitos de canal curto.

The methodology uses the Monte Carlo method to simulate both the vibrational and exchange dynamics and uses the adiabatic switching and reversible scaling methods to calculate the free energy efficiently.

A metodologia utiliza o método de Monte Carlo para simular a dinâmica de trocas e vibrações atômicas e determina a energia livre através dos métodos de ligação adiabática e escalamento reversível.

The design problem, at a first glance of complex nature, is converted into a convex optimization problem, using an arbitrary diagonal and positive definite matrix, expressed in terms of linear matrix inequalities, being thus possible to determine its global optimal solution numerically.

O problema de sintese, inicialmente de natureza complexa, e convertido em um problema de otimização convexo, com o auxilio de uma matriz arbitraria de escalamento. diagonal e definida positiva, expresso em função de desigualdades matriciais lineares, sendo assim possivel determinar sua solução otima global numericamente.

Further, another advantage/feature is the scalable video encoder that constrains the spatial scaling factor as described above, wherein the encoder encodes at least some blocks in the base layer and the enhancement layer using inter-layer prediction, by setting the spatial scaling factor equal to 2('n), n being an integer greater than zero, performing a many-to-one block mapping from the base layer to the enhancement layen converting any of the at least some blocks in the base layer having an intra prediction mode to an inter-prediction mode, and forcing motion vectors and discrete cosine transform coefficients in the intra-prediction mode to be zero.

De mais a mais, outra vantagem/característica é o codificador de vídeo escalonável que restringe o fator de escalamento espacial, conforme descrito acima, em que o codificador codifica pelo menos alguns blocos na camada de base e na camada de realce, usando predição de intercamada ao: ajustar o fator de escalamento espacial para 2(-n), n sendo um número inteiro maior do que zero, realizar uma mapeamento de blocos de muitos para um a partir da camada de base para a camada de realce, converter qualquer um dos pelo menos alguns blocos na camada de base com um modo de predição intra para um modo de predição inter, e forçar os vetores de movimento e os coeficientes da transformada discreta de coseno no modo de predição intra a serem iguais a zero.

Oriental fruit moth, Grapholita molesta (Busk 19,6) (Lepidoptera: Trotricidae), populations in peach and plum orchards had periodicity of 53,91 weeks with oscillations in the number of individuals characteristic of pink noise, with typical 1/f scale.

Populações da mariposa oriental, Grapholita molesta (Busk 19,6) (Lepidoptera:Trotricidae), em pomares de pessegueiro e ameixeira apresentaram periodicidade de 53,91 semanas com oscilações de indivíduos características de ruído rosa, com típico escalamento 1/f.

...ions, numerical simulations and experimental data in order to show this technology suitability as part of basic circuit blocks, being an important alternative for the continuous devices scaling. The basic idea of making use of band-to-band tunneling as the main current component comes from the possibility of reaching sub-60 mV/decade subthreshold slopes at room temperature, differently from conventional CMOS...

...eóricas, simulações numéricas e medidas experimentais para demonstrar a viabilidade do uso desta tecnologia em blocos de circuitos fundamentais, atuando como alternativa para permitir o contínuo escalamento de dispositivos. A motivação para o uso de transistores com corrente principal resultante do tunelamento de banda para banda consiste na proposta de superar o limite físico de inclinação de sublimiar da tecnologia CMOS convencional de 60 mV/década sob temperatura ambiente. Afinal, esta limita...

...In certain scientific applications the reduction in the processing time is fundamental. In the processing area and, particularly, in multiprocessing, the minimization of this time through algorithms that provide static scheduling of tasks in processors is aimed. These algorithms can be exact, meaning that the resulting processing time is minimum for a certain hardware architecture or approximate, indicating ...

...Em certas aplicações, a redução no tempo de processamento de programas é fundamental. Em sistemas multiprocessados, busca-se minimizar esse tempo através de algoritmos que proveem escalamento estático das tarefas nos processadores. Esses algoritmos podem ser exatos, significando que o tempo de processamento resultante é o mínimo para uma dada arquitetura de hardware, ou aproximados, indicando que a solução obtida e sub-ótima. Este trabalho apresenta uma biblioteca de algoritmos heurísticos que...

...d, obtaining a count, of 1,28 x 1,8 spores/ml, in 24 hours, in an optimized medium: 3,5g/l of molasses, 7,0g/l of com-steep liquor, 16g/l of yeast liquor and 6,0g/l of potassium phosphate. Scale-up tests have been performed, with 30 and 50% dissolved oxygen, obtaining specific growth rate of 0,25 and 0,51 h-1 and spores count of 1,76 and 1,96 x 1,9 spores/ml, in 24 hours, respectively...

...,8 esporos/ml, em 24 horas com um meio otimizado: 3,5g/l de melaço, 7,O g/l de água de maceração de milho, 16g/l de água de levedura e 6,O g/l de fosfato de potássio. Foram realizados testes de escalamento. com 30 e 50 % de oxigênio dissolvido, obtendo-se velocidades específicas de crescimento de 0,25 e.0,51 h-1, e contagem de esporos de 1,76 e 1,96 x 1,9 esp/ml respectivamente, em 24 e 18 horas...

...less, a small extension in the range, adopted by the Brazilian legislation, was enough to produce an improvement. The models from the 13C NMR spectra achieved worse performance than those cited above. In the second study is presented a novel method named multilevel individual differences scaling (ML-INDSCAL) to analyze within-individual variation in omic data, focusing on the changing covariances within grou...

...ão, os modelos mostraram boa melhoria. Os modelos a partir dos espectros de RMN 13C obtiveram desempenho inferior àqueles citados acima. No segundo estudo é apresentado um novo método denominado escalamento de diferenças individuais multinível (ML-INDSCAL), para analisar a variação intra-individual em dados das ciências ômicas, focando em mudanças nas covariâncias dentro dos grupos experimentais e evidenciando as relações entre as variáveis (BVRs). Como somente a variação intra-individual...

...ce and drain extensions, the devices with source and drain extensions presented a generation rate lower (about 12 orders of magnitude), resulting in a retention time far longer than the reference one (about 3 orders of magnitude). About its downscaling, the retention time decreased for shorter channel lengths (almost 2 orders of magnitude), which is a limiting factor for 1T-DRAM future generations. Neverthel...

...acunas menor (aproximadamente 12 ordens de grandeza), levando a um tempo de retenção muito maior (aproximadamente 3 ordens de grandeza) quando comparado ao dispositivo referência. Em seu estudo no escalamento. verificou-se uma diminuição no tempo de retenção para canais mais curtos (quase 2 ordens de grandeza), demonstrando ser um fator limitante para as futuras gerações das memórias 1T-DRAM. Apesar disso, quando comparados com os dispositivos convencionais com extensão de fonte e dreno (...

...hese baths were analyzed by Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS), Scanning Electron Microscopy (SEM) and, in some cases, Energy Dispersive Spectrometry (EDS). Fractal dimension and dynamic scaling of the surface width analysis allowed one to quantify the surface morphology details. The addition of Na2,2O3 to the bath allowed the development of a new electrodeposition bath for co-deposition of AuxSny....

...or Retroespalhamento de Rutherford (RBS), Microscopia Eletrônica de Varredura (SEM) e, em alguns casos, por Espectrometria de Energia Dispersiva de Raios X (EDS). Análises de dimensão fractal e de escalamento dinâmico da rugosidade forneceram detalhes importantes sobre a morfologia superficial dos depósitos. .A adição de Na2,2O3 ao banho permitiu o desenvolvimento de um novo banho de eletrodeposição para a co-deposição de Au AuxSny. O Na2,2O3 atua como um complexante dos íons de Au(I) juntament...

...ices (sub-20 nm). Therefore, these devices provide a higher scalability with a simplified fabrication process. Recent works on junctionless nanowire transistors modeling have considered long-channel (a length of 1 µm is commonly used) double-gate or cylindrical devices. Few works have presented the modeling of triple-gate JNTs and the temperature influence on the device operation. The goal of this work is t...

...igorosamente controladas para se evitar a difusão de dopantes para o interior do canal em dispositivos de tamanho extremamente reduzido (sub-20 nm). Dessa forma, esses dispositivos permitem um maior escalamento. com um processo de fabricação simplificado. Os trabalhos recentes de modelagem desses transistores consideram dispositivos de canal longo, de forma geral o comprimento utilizado é de 1 µm, de porta dupla ou cilíndricos. Pouco tem sido feito relacionado à modelagem de JNTs porta tripla e a in...

... of the front-gate one, VB=kVG) modes. The working principle of these modes has been studied and the effect of different technologies and current trends were analyzed under such biasing conditions as the presence of the ground plane (ground plane - GP), the scaling of the silicon layer and the absence of a doped extended source and drain region. It was also proposed in this paper the inverse kDT-UTBB mode, w...

...desses modos foi estudado e a influência de diferentes tendências e tecnologias atuais foram analisadas nessas condições de polarização como a presença do plano de terra (Ground Plane - GP), o escalamento da camada de silício e a ausência de uma região de extensão de fonte e dreno. Também foi proposto neste módulo o modo kDT inverso, onde a tensão de porta é um múltiplo da tensão de substrato (VG=kVB). O efeito do superacoplamento foi identificado e analisado a partir de diferentes técnic...

...dielectrics had to be introduced. However, traditional poly-Si based gate electrodes are not compatible with high-k dielectrics and therefore also their replacement is required to continue the scaling of CMOS devices. Metal based electrodes have been employed on the traditional planar MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) gate structure comprising high-k gate dielectrics. Effective work ...

...ou alto-k) foram introduzidos. Eletrodos de porta tradicionais baseados em poli-Si não são compatíveis com dielétricos com alto-k e, portanto, a sua substituição é necessária para continuar o escalamento dos dispositivos CMOS. Eletrodos metálicos têm sido empregados em estruturas de porta de dispositivos tradicionais MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) planares, juntamente com dielétricos de alto-k. Filmes de nitreto de titânio (TiN) são utilizados como eletrodos ...

...ore, he can also select: a) the gain of the amplifier; b) the cut-off frequency of the filters; c) the sampling frequencies; d) the number of stimuli to be processed; e) the output gain; and f) the delay to be applied after the arrival of the synchronizing signal. Besides bench tests with artificial signals, the prototype we tested with animals and volunteers, with the recording of auditory evoked potentials...

...amento; c) parar processamento; e d) calcular média. onde ainda se lecionar: a) ganho do amplificador; b) freqüência de corte do filtro; c) freqüência de amostragem; d) número de estímulos; e) escalamento do sinal de saí da; e f) atraso do sinal de sincronismo vindo do estimulador. Além dos testes de bancada, com sinais artificiais, o protótipo foi testado com animais e com voluntários, sendo obtidos potenciais evocados aditivos de tronco cerebral e de córtex não-específico. Os resultados obt...

... performed based on theoretical explanations, numerical simulations and experimental data in order to show this technology suitability as an alternative for the continuous devices scaling. The basic idea of making use of band-to-band tunneling as the main current component comes from the possibility of reaching sub-60 mV/decade subthreshold slopes at room temperature, differently from conventional CMOS devic...

... realizadas análises com base em explicação teórica, simulação numérica e medidas experimentais para demonstrar a viabilidade do uso desta tecnologia como alternativa para permitir o contínuo escalamento de dispositivos. A motivação para o uso de transistores com corrente principal resultante do tunelamento de banda para banda consiste na proposta de superar o limite físico de inclinação de sublimiar da tecnologia CMOS convencional de 60 mV/década sob temperatura ambiente. Afinal, esta limita...


 
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