The samples were submitted to heat treatments of annealing and oxygen doping.
As amostras foram submetidas a tratamentos térmicos de recozimento e dopagem com oxigênio.
The study of zinc oxide (ZnO) doping in the production of ceramic materials is widely used as photocatalyst and photodegradation property.
O estudo da dopagem com óxido de zinco (ZnO) na produção de materiais cerâmicos é amplamente utilizado como propriedade de fotocatalisadores e fotodegradação.
Zinc selenide, an important II-VI semiconductor compound, is of great potential interest for blue light-emitting devices due to its large band gap of 2,7 eV. However, practical application of this material in p-n junction injection devices demands effective doping techniques which can produce low-resistivity n- and p-type material, whose luminescence at room temperature is predominantly band edge (blue) in nature.
Seleneto de zinco, um importante semicondutor do tipo II-VI, é um excelente candidato para fabricação de dispositivos que emitam no azul, devido a sua larga banda proibida de 2,1 eV. No entanto, a aplicação prática deste material em dispositivos de junções p-n requer técnicas de dopagem eficientes que possam produzir materiais dos tipos n e p de baixa resistividade e cuja luminescência perto da borda da banda, a temperatura ambiente, emita predominantemente no azul.
Among the semiconducting oxides, ZnO has received considerable attention as a promising material for several applications in optoelectronic devices due to its high optical transparency in the visible range and good electrical conductivity achieved by doping with suitable elements.
Dentre os óxidos semicondutores, o ZnO tem recebido considerável atenção como um material promissor para diversas aplicações em dispositivos opto-eletrônicos devido a sua alta transparênciaóptica na faixa do visível e boa condutividade elétrica alcançada por dopagem com elementos adequados.
Furthermore, the thermal diffusivity itself is also reduced with doping, indicating that ferrofluid particles play a significant role in the heat propagation in the sample
Além disso, a difusividade térmica também diminui com a dopagem. indicando que as partículas de ferrofluido desempenham papel significativo na propagação do calor na amostra
in this module, we study a GaAs/In_{0,27}Ga_{0,73}As/Al_{0,3} Ga_{0,7}As system intentionally doped n-type material, which occurs a transfer of electrons from the doping into In_{0,27}Ga_{0,73}As quantum well, forming a two-dimensional electron gas in the well.
Nesse trabalho estudamos um sistema de GaAs/In_{0,27}Ga_{0,73} As/Al_{0,3}Ga_{0,7}As, intencionalmente dopado com material do tipo-n, em que ocorre a transferência de elétrons, provenientes da dopagem. para o poço quântico de In_{0,27}Ga_{0,73}As, formando um gás de elétrons bidimensional no poço.
Established these conditions, the research focused on obtaining among three nitrogen doping the one that provided best performance of nanotubes.
Determinadas essas condições, buscou-se em três compostos nitrogenados o melhor desempenho para dopagem de nanotubos.
The deposition of nanoparticles of Sb2,3 was carried out by chemical bath deposition technique and the doping with boron was done by the addition of a boron precursor in the anodizing electrolyte.
A deposição de nanopartículas de Sb2,3 foi realizada por meio da técnica de deposição por banho químico e a dopagem com boro por meio da adição de um precursor no eletrólito de anodização.
This fact discloses that the bath removed the conducting material and that can be due to doping with sulphur in the surface and intergrain areas of the films.
Esse fato revela que o banho removeu o material condutor e que pode ser devido à dopagem com enxofre nas áreas superficiais e intergranulares dos filmes.
The objective of this study is to analyze the use of doping methods and supplements by amateur athletes and MMA professionals and what motivates usage.
Assim, o objetivo deste trabalho é analisar a utilização de métodos de dopagem e suplementação por atletas amadores e profissionais de MMA e o que motiva ao uso dos mesmos.
To obtain the extremely low doping levels for the fabrication of the JTE, a very thin oxide layer previously grown on the wafer by a LTO acts as a barrier to the boron charge, controlling the net charge that reaches the silicon surface
Para a obtenção de níveis de dopagem extremamente baixos para a fabricação do JTE, uma camada de óxido bem fina é previamente crescida sobre o "wafer", por uma oxidação à baixa temperatura, atuando como uma barreira para a carga de boro, controlando a carga liquida que alcança a superfície do silício
The technique of doping thin films of Fluoride was used in order to reduce the resistance to electrical current.
Foi utilizada a técnica de dopagem dos filmes finos com flúor com o intuito de reduzir a resistência à corrente elétrica.
The main problem to be solved in this case is to be able to eliminate the structural defects without the occurrence of phase transitions and also to enable the material doping with a series of metallic cations with light radiation absorption properties.
O principal problema a ser resolvido neste caso é conseguir eliminar os defeitos estruturais sem a ocorrência da transição de fases e também possibilitar a dopagem do material com uma série de cátions metálicos absorvedores de radiação luminosa.
Films of PANI, with different number of prints, were printed between the electrodes of PEDOT:PSS AND electrical characterization for the device PANI/PEDOT/paper, before and after exposed to steam HCI, process in which promoting the device doping, were realized using measures DC and impedance spectroscopy (EI).
Filmes de PANI, com diferentes número de impressões, foram impressos entre os eletrodos de PEDOT:PSS e caracterizações elétricas para o dispositivo PANI/PEDOT/papel antes e após expor ao vapor de HCI, processo no qual promove a dopagem do dispositivo, usando medidas DC e de espectroscopia de impedância (EI).
The doped polycrystalline silicon was performed to obtain TCR values near to -2% K-1 and resistance less than 1k'omega'.
O silício policristalino, submetido a dopagem de boro, foi desenvolvido para se obter valores de TCR próximos a -2%K-1 e resistências abaixo de 1k'ômega'.
Devices containing electrodes of Au and Al were fabricated with semiconductor polymer of different doping levels.
Os dispositivos contendo eletrodos de Au e Al foram fabricados com material semicondutor com diferentes níveis de dopagem.
In the literature, it has been reported the doping of HAp in ceramic bone cement of calcium phosphates, calcium aluminates, but brushite cements obtained from wollastonite has few results.
Na literatura, tem-se relatado a dopagem de HAp em cimentos ósseos cerâmicos de fosfatos de cálcio, aluminatos de cálcio, mas cimentos de brushita obtido a partir da wollastonita se tem poucos resultados ao respeito.
Two effects found when a GTD-Ag sample (Sample with AgNO3 doping) irradiated by a UV lamp and treated at temperatures (above 80 °C), are photochromic and thermochromic effects.
Dois efeitos encontrados quando uma amostra GTD-Ag (Amostra com a dopagem de AgNO3), irradiada por uma lâmpada UV e tratada a temperatura (acima de 80 °C), são os efeitos fotocrômicos e termocrômicos.
This thesis presents a study on the doping technique in aggregates disabled chemical and mineralogical and aims to demonstrate that with the technique, although there is a resistances limitation, these aggregates could be used with success in large projects.
Este trabalho apresenta um estudo sobre a técnica de dopagem em agregados química e mineralogicamente deficientes e tem como objetivo demonstrar que se houver a dopagem de agregados, ainda que haja o limitante das respectivas resistências destes materiais, eles poderão vir a ser utilizados em grandes obras com pleno êxito.
These materials can be produced by doping of a non-magnetic semiconductor with magnetic ions of transition metals.
Estes semicondutores podem ser produzidos a partir da dopagem de semicondutor não magnético com íons de metais de transição.
The TiO2 layer (without and with Ag doping) was obtained by the Pechini method.
A camada de TiO2 (sem e com dopagem de Ag) foi obtida pelo método Pechini.
We also observed supeerconductivity in the semimetals bismuth, antimony and Bi1-xSbx, triggered by doping with the metals gold and indium, and showed that the superconductivity is associated to the interface between the metals and the semimetals.
Observamos, também, supercondutividade nos semimetais bismuto, antimônio e no Bi1-xSbx, induzida por dopagem com os metais ouro e índio, e mostramos que a supercondutividade está associada à interface entre os metais e os semimetais.
No appreciable changes were observed, indicating that the LaPO4 lattice is not substantially modified by Ce doping.
Nenhuma mudança apreciável foi observada, indicando que a rede do composto LaPO4 não sofre modificações consideráveis por causa da dopagem de Ce.
The comparisons indicate that the compositions containing 5% and 8% of Co-doping in mol represent promising materials for use as interconnect component in SOFC. Keywords: X-ray diffraction; Rietveld method; crystal structure; lanthanum chromite; SOFC.
As comparações mostraram que as composições contendo a dopagem com 5% e 8% de Co em mol apresentam potencial de uso promissor como interconector em SOFC. Palavras-chaves: difração de raios X; método de Rietveld; estrutura cristalina; cromito de lantânio; SOFC.
We studied the in uence of intrinsic defects and group III impurity doping in the main properties of PbSe and PbTe, we show that these defects give rise to different electronic properties in the nanowires as compared to the bulk one.
Estudamos a influência de defeitos intrínsecos e da dopagem de impurezas do grupo III nas principais propriedades do PbSe e PbTe, onde mostramos que essa influência é diferente no bulk e no nanofio.
The absence of cobalt phases in doped films indicates that doping was successful.
A ausência de fases referentes ao cobalto em filmes dopados indica que a dopagem foi bem sucedida.
However, no concrete results were obtained regarding dOping and manganese concentration in the films.
Porém, não foram obtidos resultados concretos a respeito da dopagem e da concentração de manganês nos filmes.
The objective of this work was to investigate the effects of oxygen doping on structure, microstructure and on some selected mechanical properties of Ti-xNi wt% (x = 10, 15 and 20) alloys system.
O objetivo deste trabalho foi investigar os efeitos da dopagem de oxigênio na estrutura, microestrutura e em algumas propriedades mecânicas selecionadas de ligas do sistema Ti-xNi%p, x= 10, 15 e 20.
It had been made corrosin assays wehe was observed that, with the oxygen charge, had a small displacement of the corrosin potential for less positives values.
Foram realizados ensaios de corrosão onde foi observado que, com a dopagem de oxigênio, houve um pequeno deslocamento do potencial de corrosão para valores menos positivos.
in this module we investigated the interaction between confined carriers in of InGaAs/GaAs quantum wells (QWs) and Mn ions from a Mn delta-doping at the barrier of the QW. We have used two types of structures in this module.
neste módulo investigamos a interação entre portadores confinados em poços quânticos de InGaAs/GaAs e íons de Mn de uma dopagem tipo delta na barreira do poço.
Particularly, these nanowires may have a metal or semiconductor construction, with the doping characteristics as a controllable parameter during the growth process.
Particularmente, estes nanofios podem apresentar características semicondutoras ou metálicas por construção tendo a dopagem como um parâmetro controlável durante o processo de crescimento.
We also investigate the effects due carbon doping in the innermost ring of the h-BN cluster, where the C atom take the place either the Boron or Nitrogen atom.
Nós também investigamos os efeitos devido a dopagem com carbono no anel mais interno de um cluster de h-BN, onde o átomo C toma o lugar de um átomo de Boro ou de um átomo de Nitrogênio.
in this module, we synthesized and characterized a system of tellurite glasses forward some thermal, optical and structural properties towards doping CsCl.
neste módulo foi sintetizado e caracterizado um sistema de vidros teluritos frente algumas propriedades térmicas, ópticas e estruturais, em relação à dopagem por CsCl.
As electron devices shrinks to nanometric scale, new concerns emerge that can not be solved using the materials employed nowadays such as short channel effect, gate depletion, high leakage current and Vt spreading due to statistical variation of the doping process.
Conforme os dispositivos eletrônicos atingem dimensões nanométricas, surgem limitações que não podem ser solucionadas com os materiais empregados atualmente, como efeito de canal curto, depleção de porta, corrente de fuga e variação do Vt devido à variação estatística da dopagem.
Those properties are affected by sthoichiometry of material, synthesis and processing route and dopants.
Essas propriedades dependem da estequiometria do material, rota de síntese e processamento e dopagem.
Considering that these structures can undergo from deep chemical modifications to a simple doping, the possibilities of applicability of this material expand.
Considerando que estas estruturas podem sofrer desde profundas modificações químicas a uma simples dopagem. as possibilidades de aplicabilidade deste material se expandem.
The doping of the active layer was performed by immersing the device in hydrochloric acid solution with pH 2 during different times in order to promote different doping levels of the semiconductor polymer.
A dopagem da camada ativa se deu imergindo o dispositivo em ácido clorídrico com pH 2 durante diferentes tempos visando promover diferentes níveis de dopagem do polímero semicondutor.
In this aspect is proposed to investigate the effects of variation of the concentration of europium about the properties of tantalate because doping with Eu3 + indicates that they may occupy different sites in the crystal structure, as in the case of LiTaO3.
Neste aspecto propõe-se investigar o efeito da variação da concentração de európio sobre as propriedades dos tantalatos, pois a dopagem com Eu3+ indica que os mesmos podem ocupar diferentes sítios na estrutura cristalina, como no caso do LiTaO3.
This plasma may also also be introduced in the semiconductor by means of doping.
Esse plasma também pode ser estabelecido em semicondutor por dopagem.
We studied the diamond doping processes with introduction of doping impurities during the diamond growth in the chemical vapor deposition (CVD) technique, using a hot-filament reactor.
Estudamos processos de dopagem do diamante crescido por deposição química a partir da fase vapor (diamante CVD) com a introdução de impurezas dopantes durante o crescimento do diamante em reatores do tipo filamento-quente.
...explained by using the standard soft mode model. Defects in the structure of RE-doped BCT23 are generated by charge compensation mechanism due to the incorporation of elements with di®erent valence state relative to the ions of pure BCT23 ceramics. Electronic Paramagnetic Reso- nance (EPR) showed the existence of Ti vacancies in the structure of RE-doped BCT23. This Ti vacancy is responsible for the act...
...o dos íons TR. Os resultados são discutidos em termos do comportamento do modo supera- mortecido (modo de baixa frequência) pertencente a representação irredutível [E(1TO)]. O efeito da dopagem na temperatura de transição é discutido e explicado com base na teoria do modo \soft". Defeitos na estrutura do BCT dopado são gerados pelo mecanismo de compensação de cargas devido a incorporação de elementos com diferentes valências (estado de oxidação) em relação aos elementos da ma...
...s of the class of Tetracycline more commonly used in veterinary medicine and, therefore, with larger risk of contamination of the milk destined to human consumption. This procedure was adapted to produce samples containing each one of the mentioned tetracycline and also samples containing the binary combination of the same ones. For samples doped with a tetracycline type, it was obtained a matrix with 40...
...etraciclina, três dos antibióticos da classe das Tetraciclinas mais comumente usados em medicina veterinária e, portanto, com maior risco de contaminação do leite destinado a consumo humano. Tal dopagem ocorreu de forma a produzir amostras contendo cada uma das tetraciclinas citadas e também amostras contendo a combinação binária das mesmas. Para amostras dopadas com um tipo de tetraciclina, obteve-se uma matriz com 40 amostras, e uma matriz com 36 amostras para amostras contendo a combinaçã...
... the objective of this work was to contribute to the development of photocatalysis treatment method from the production of catalysts capable of degrading these hormones from solar irradiation. The catalysts were prepared by doping titanium dioxide with nitrate of silver, copper and iron metals in molar proportions of 1 and 5% and characterized by different instrumental analysis techniques showing catalys...
...to de método de tratamento por fotocatálise a partir da produção de catalisadores capazes de degradar esses hormônios a parir da irradiação solar. Os catalisadores foram preparados a partir da dopagem do dióxido de titânio com nitrato dos metais de prata, cobre e ferro nas proporções molares de 1 e 5 % e caracterizados por diferentes técnicas instrumentais de análise mostrando a obtenção de catalisadores com potencial para degradação dos hormônios....
...ctifying the characterization of the samples. Tests of direct and indirect cytotoxicity, mechanical spectroscopy and heat treatments were made, besides of doping the samples with oxygen, to verify that influence the interstitial elements have in the physical properties and biocompatibility of this alloy. In the cytotoxicity tests the samples not presented toxic effect... ...
... varredura e análises químicas, objetivando a caracterização das amostras. Foram realizados ensaios de citotoxicidade direta e indireta, espectroscopia mecânica e tratamentos térmicos, além de dopagem com oxigênio nas amostras, para verificar que influência os elementos intersticiais acarretariam nas propriedades físicas e biocompatibilidade desta liga......
...ing mechanical, eletro and optical properties. A good technique to study the graphene properties is the Raman spectroscopy. With this technique, we can identify aspects of graphene, as dopage, number of layers, strain, defects, energy dispersion of eletrons and phonons, and vibracional properties. This work is dedicated to present a review of the basics aspects of Raman spectroscopy in graphene. The subj...
...nicas, elétricas e óticas. Uma boa técnica para estudar as propriedades do grafeno é a espectroscopia Raman. Por meio desta técnica, podemos identificar diversos aspectos do grafeno tais como a dopagem. número de camadas, tensão, defeitos, dispersão de energia de elétrons e fônons, e propriedades vibracionais. Este trabalho é dedicado a apresentar uma revisão dos aspectos básicos de espectroscopia Raman em grafeno. O conteúdo é dividido em três partes. A primeira parte é dedicada à u...
...y deformed and the Raman spectrum is typical of highly disordered graphite. Secondly, we investigated the effects of H2SO4 doping on DWNTs and SWNTs where the diameter of SWNTs are in the same range as the inner tube of the DWNTs. The comparison of these two systems allow to further improve the knowledge of doping effects on the constituents of DWNTs as well as to establish differences between the exohed...
...u carbono observamos que os nanotubos são completamente deformados e os espectros Raman apresentam aspectos de grafite altamente desordenados. No segundo sistema estudado, investigamos os efeitos da dopagem da molécula de H2SO4 nos SWNTs e DWNTs com distribuição de diâmetros dos SWNTs similar aos tubos internos dos DWNTs. A comparação destes dois sistemas permitiu ter um maior conhecimento dos efeitos da molécula H2SO4 nos sistemas DWNTs como também estabelecer diferenças entre a dopagem por ...
...Studies of diamond doping and of the diamond-porous silicon interface were made. The diamond films were grown by hot :fi1ament chemical vapor deposition (HFCVD). The carbon source was a mixture of ethyl alcohol and acetone, diluted in hydrogen. Boron was introduced as B2,3 diluted in acetone. Nitrogen was introduced in gaseous (molecular) form. We present results of annealing following doping with boron....
...Foram realizados estudos de dopagem do diamante, e estudos da interface entre o diamante e o silício poroso. Os filmes foram crescidos pelo método de deposição química a partir da fase vapor assistido por :fi1amento quente. A fonte precursora de carbono foi álcool etílico e acetona, diluídos em hidrogênio. O boro foi introduzido através da diluição de B2,3 e o nitrogênio através do nitrogênio molecular. Apresentamos os resultados do recozimento na dopagem com boro e calcula-se as energia...
... nanoparticles is reported. The compound under study (Sn1−xFexOy) was prepared by high energy ball milling and proteic sol-gel. The samples prepared by ball milling showed an increase of Fe-doping in the semiconducting matrix as a function of milling time, as well as amounts of undesirable metallic iron impurities from the milling tools. A series of samples with various Fe concentrations were HCl-washe...
...s-x e espectroscopia Mössbauer. O composto em estudo (Sn1−xFexOy) foi preparado por moagem mecânica de altas energias e sol-gel proteico. As amostras preparadas por moagem apresentaram aumento de dopagem na matriz semicondutora como função do tempo de moagem, mas também apresentaram impurezas indesejáveis provenientes do recipiente e das esferas que foram utilizadas na síntese. Uma série de amostras com concentrações variadas de ferro foram lavadas com HCl e reanalisadas. Resultados obtidos...
...alled polyanilina (PAni). The work done here with this semiconductor polymer, started with the synthesis process with and without the addition of Carbon-dots (C-dots), followed by the characterization; also passing by thin film deposition through spin-coating technique, controlling the film thickness and doping, and finishing with the development of a protocol for lithography of PAni films. By the last, ...
... com o processo de síntese com e sem a adição de Carbon-dots (C-dots), seguido da carac- terização, passando também por técnicas de deposição de filmes finos por spin-coating com espessura e dopagem controladas, e finalizando com o desenvolvimento de um protocolo para litografia de filmes dos PAni. Esse último processo permitiu obter fitas poliméricas condutoras com características elétricas retificadoras. O processo de síntese da polianilina foi pelo mé- todo químico convencional, exce...
...in the nitrogen doped anatase films reaches up to ? 10,9 cm?3 (while the undoped films have a carrier density of ? 10,2 cm?3). The resistivity of the doped films is as low as 10,1 ? cm while maintaining good optical transmission. Indeed, depending on the doping time and substrate temperature, transmission of up to 90% could be obtained at 5,0 nm with this resistivity. X-ray photoelectron spectroscopy (XP...
...nto filmes não dopados tem densidade de cargas de ?10,2 cm?3). A resistividade dos filmes dopados chegam até 10,1 ?cm enquanto mantem boa transmissão ótica (>80%). De fato, dependendo do tempo de dopagem e da temperatura do substrato durante o processo, a transmissão de até 85% podem ser obtida em 5,0 nm com tal resistividade (?10,1 ?cm). Espectroscopia de fotoelétrons emitidos por raio-x (XPS) realizadas in situ mostram que a composição na superfície é compatível com TiO2?xNx com concentra...
... of magnetic pinning in our samples. Regarding the structural and magnetic transitions, there are evidences that, in the 1,2 system, there is no effective electronic doping when a chemical substitution is performed but a tuning of the system properties by the geometric configuration of FeAs tetrahedra in the material. Also, there is some debate if in the temperature range between Ts and TSDW the material...
...o observada para a temperatura crítica supercondutora Tc e para a densidade de corrente crítica Jc. Quanto às transições estrutural e magnética, discute-se na literatura se nesses sistemas há dopagem eletrônica efetiva quando se realiza substituição química, ou se ocorre uma sintonização das propriedades pelo ajuste da geometria dos tetraedros de FeAs nos planos do material. Além disso, na faixa de temperatura entre Ts e TSDW, há certo debate se o material torna-se inteiramente ortorrô...
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