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a bulk silicon substrate comprising upgraded metallurgical grade silicon, said upgraded metallurgical grade silicon having received at least one defect engineering process
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Frases traduzidas contendo "substrato de silício"
a) Traduções Técnicas português para inglês
(Substantivo)
Frases traduzidas contendo "substrato de silício"a bulk silicon substrate comprising upgraded metallurgical grade silicon, said upgraded metallurgical grade silicon having received at least one defect engineering process
um substrato de silício bruto compreendendo silício de grau metalúrgico melhorado, o referido silício de grau metalúrgico melhorado tendo recebido pelo menos um processo de engenharia de defeitos;
The films were obtained through rapid thermal oxidation and annealing of titanium thin films of different thicknesses deposited by Ebeam evaporation on silicon wafers.
Para isso, filmes finos de titânio de diferentes espessuras foram depositados através de uma evaporadora por feixe de elétrons sobre substrato de silício.
With the purpose of reducing the thermal dissipation in that area, the filament was designed and fabricated to be suspended through a partial anisotropic etch of the silicon substrate.
Com a finalidade de reduzir a dissipação térmica nessa região, o filamento foi projetado e construído para ficar suspenso através de uma corrosão anisotrópica parcial do substrato de silício.
The growing need to produce integrated circuits (ICs) increasingly miniaturized for applications in the microwave range (frequencies above 1 GHz) with low cost of production and low consumption power has been stimulating the utilization of traditional technology complementary metal oxide semiconductor (CMOS) on silicon (Si) substrate.
A crescente necessidade de produzir circuitos integrados (CIs) cada vez mais miniaturizados para aplicações na faixa de microondas (frequências acima de 1 GHz) com baixo custo de produção e baixo consumo de potênca tem motivado a utilização da tradicional tecnologia Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) sobre substrato de silício (Si).
Thin films of amorphous aluminum oxide (Al2,3) deposited on a thin layer of silicon oxide (SiO2) layer on the silicon substrate were used.
Utilizou-se filmes finos de óxido de alumínio (Al2,3) amorfo depositado sobre uma estrutura composta de uma camada fina de óxido de silício (SiO2) sobre o substrato de silício.
The solar cell may be achieved on a bulk silicon substrate comprising UMG or other low grade feedstock -silicon, as well as higher grade silicon for which the lower resistance properties here disclosed may be beneficial.
A célula solar pode ser obtida em um substrato de silício bruto compreendendo UMG ou outro material de silício de grau inferior, bem como silício de grau superior para o qual as propriedades de resistência inferior aqui reveladas podem ser benéficas.
a bulk silicon substrate comprising upgraded metallurgical grade silicon, said upgraded metallurgical grade silicon having received at least one defect engineering process;
um substrato de silício bruto compreendendo silício de grau metalúrgico melhorado, o referido silício de grau metalúrgico melhorado tendo recebido pelo menos um processo de engenharia de defeitos;
Plasma of fluorocarbons are frequently used either for etching of substrates in microelectronic technologies or for deposition of plasma polymerized fluorinated monomers films.
neste módulo, guias de ondas planares foram fabricados com filmes ópticos poliméricos em substrato de silício.
[ 00,0 ] The solar cell includes forming an emitter layer on the bulk silicon substrate, such as a phosphorus-based emitter formation process and removing a substantial portion of any phosphorus glass arising from the emitter layer forming step.
A célula solar inclui formar uma camada emissora no substrato de silício bruto, tal como um processo de formação de emissor baseado em fósforo, e remover uma porção substancial de qualquer vidro fosforoso decorrente da etapa de formação de camada emissora.
forming a bulk silicon substrate comprising upgraded metallurgical grade silicon, said upgraded metallurgical grade silicon having received at least one defect engineering process;
formar um substrato de silício bruto compreendendo silício de grau metalúrgico melhorado, o referido silício de grau metalúrgico melhorado tendo recebido pelo menos um processo de engenharia de defeitos;
...d the sidewall roughness (SWR), which is considered the most critical parameter with respect to propagation losses in the fabrication process used in this module. The materials used in the fabrication of ARROW waveguides over silicon substrate were silicon oxynitride (SiOxNy) films deposited by PECVD at 3,0°C, SiO2 films, thermally grown at 12,0°C and TiOxNy films deposited by the reactive magnetron sputtering techn...
...tro mais crítico no que diz respeito às perdas por propagação obtidas com o processo de fabricação utilizado neste módulo. Os materiais utilizados na fabricação dos guias de onda ARROW sobre substrato de silício foram filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) depositados por PECVD à temperatura de 3,0°C, filmes de SiO2 crescidos em forno de oxidação em ambiente úmido a 12,0°C e filmes de TiOxNy depositados pela técnica de Magnetron Sputtering Reativo. A definição das paredes laterais dessas estrut...
...e powders presented nanometric particles with specific surface areas between 8 and 1,0 m2/g, optical band-gap energies among 2,58 and 3,47 eV. Films were deposited by means of spin-coating technique onto silicon substrates covered with a 3,0 nm silicon oxide layer. Films doped with La, Cu and W obtained by the Pechini method, and films doped with Al obtained by the sol gel method, showed response towards O2....
...dos dopantes e presença de polietilenoglicol na solução. Na preparação dos nos filmes obtidos a partir de sol gel variou-se a concentração dos dopantes. Todos os filmes foram depositados sobre substrato de silício recoberto com uma camada de 3,0nm de oxido de silício, utilizando o processo spin-coating. Obteve-se indicativo de resposta sensora a O2 nos filmes dopados com lantânio, cobre ou tungstênio, obtidos a partir de solução Pechini, e para o filme dopado com alumínio a partir de método sol gel....
...OS device as a sensor of chemical image, for the detection and classification of hydrogen and ammonia gases, through the Scanning Light Pulse Technique (SLPT). The MOS device was fabricated onto silicon bulk (1,0) and resistivity of 10 -cm. The gate of the device was built from an Au-Pd bimetallic electrode, with nanometric thickness. It was proposed an X Y automatic position system for scanning the light pulsed beam,...
... como sensor de imagem química para a detecção e classificação de gases de hidrogênio e amônia através da técnica de escaneamento de luz pulsada (TELP). O dispositivo MOS foi fabricado sobre substrato de silício (1,0) e resistividade de 10 -cm. A porta do dispositivo foi constituída de um eletrodo bimetálico de Au-Pd com espessura nanométrica. Foi proposto um sistema automático de posicionamento X Y para o escaneamento do feixe de luz pulsada baseado no controle PID e no software Labview®. O processo ...
...This work reports the synthesis and characterization of nanostructures of ZnO with hexagonal nanorods morphology, growth vertically on silicon substrate. For the vertical growth a film constituted for ZnO grain was deposited over the substrate to act as nucleation layer. in this module, the synthesis of nanorods and nucleation layer was made by chemical methods. The nucleation layers were obtained by calcination of th...
...Este trabalho reporta a síntese e caracterização de nanoestruturas de ZnO com morfologia de nanobastões hexagonais, crescidas verticalmente ao substrato de silício. Para o crescimento vertical dos nanobastões foi depositado um filme constituído por grãos de ZnO para atuar como camada de nucleação. neste módulo, as sínteses dos nanobastões e das camadas de nucleação foram preparadas por métodos químicos. As camadas de nucleação foram obtidas com a calcinação do filme de precursor polimérico e de...
...2,0°C) as mask for alkaline solutions. Vgrooves (60 mm deep) were fabricated by anisotropic etching process, using a KOH (27%-60°) solution. During this process, the etch rate of the silicon substrate by the KOH solution was measured as 33,1 micrometers/h. The composition of the obtained nickel silicide layer was investigated using RBS technique, which supplied us the stoichiometric Ni2Si. The roughness of nickel an...
...canaletas em V (com profundidade de 60 mm) foram fabricadas através do processo de corrosão anisotrópica, utilizando uma solução de KOH (27%-60°C). Durante este processo, a taxa de corrosão do substrato de silício pela solução de KOH foi estimada como sendo 33,1 micrômetros/h. A composição da camada de siliceto de níquel obtida foi investigada utilizando a técnica RBS, que nos forneceu a estequiometria Ni2Si. A rugosidade de filmes de níquel e de Ni2Si foi medida pela técnica AFM. Uma anális...
... the kinetic and the chemical species in the growing environment, leading to fast changing the structure and morphology of the deposited films. in this module, we studied the influence of deposition temperature and premixed gas flow ratio R of ?O IND. 2? to ?C IND. 2??H IND. 2?, resulting from changes in the values of these process parameters, on the morphology of diamond films deposited by the ox...
...s no ambiente de crescimento, produzindo rápidas mudanças na morfologia e estrutura dos filmes depositados. neste módulo, estudamos a variação da morfologia dos filmes de diamante depositados em substrato de silício pelo método de combustão de oxi-acetileno, considerando a influência da temperatura de deposição e a taxa de mistura de gases. Os estudos foram efetuados à taxa de mistura R=[?O IND. 2?/?C IND. 2??H IND. 2?]= 1 variando a temperatura de 6,0 a 10,0?GRAUS?C e à taxa variá...
...tch produced by the oxygen atoms at the interface. The low internal stress leveI is consistent with the releasing of the film during the CVD processo Otherwise the mismatch in the thermal expansion coefficients of zirconia and diamond would induce a high leveI of internal stress. In the case of silicon substrate, for comparison, Raman results indicate a large amount of structural defects, related to a large fluorescen...
...lme e substrato. Caso contrário, a diferença entre os coeficientes de expansão térmica da zircônia e do diamante induziria a um elevado grau de tensão interna. No caso dos filmes depositados em substrato de silício. para efeito de comparação, resultados de espectroscopia Raman revelam a presença de imperfeições e/ou impurezas na estrutura do filme associadas a uma larga e intensa banda de ftuorescência, principalmente na superfície em contato com o substrato. Além disso, o filme apresenta um elevado n...
...igh anisotropy and is performed by alternating etching steps, employing SF6 + Ar gas mixture, and passivation steps, employing C4,8 + Ar gas mixture. Ni-P metallic masks grown by electroless over silicon substrate were employed, showing high selectivity and thus allowing for long process times for deep etching. The difficulties of process implementation are discussed and a method to implement it is shown, comprising p...
...alternando-se etapas de corrosão, empregando-se mistura gasosa de SF6 e Ar, e de passivação, empregando-se mistura gasosa de C4,8 e Ar. São empregadas máscaras metálicas de Ni-P crescidas sobre substrato de silício por processo autocatalítico, as quais apresentam alta seletividade, possibilitando a aplicação em processos de longa duração proporcionando assim corrosões profundas. As dificuldades de implementação deste processo são discutidas sendo apresentada uma sequência de passos para implementá-...
...ition of organic material through decomposition of rhodamine in TiO2 thin films on a silicon substrate. The degradation performance was monitored with the aid of techniques such as atomic force microscopy, transmission electron microscopy, field emission gun scanning electron microscopy, Fourier transform spectroscopy, thermal and photocatalytic analyses...
...ade de desenvolver um trabalho aliado aos ideais ambientais, com o objetivo de contribuir para a decomposição de material orgânico através da decomposição da rodamina em filmes finos de TiO2 em substrato de silício. com auxílio de técnicas de caracterização de microscopia, espectrometria, analises térmicas e fotocatalíticas para o conhecimento do desempenho da degradação...
... substrate. As in the deposition performed on the nickel substrate, it was also verified the good formation of the desired phases on the ceramic substrates. The analyses on electrical conduction and magnetic properties demonstrated the superconducting characteristic of the YBa.2Cu.3O.7-x films deposited on metallic nickel substrates, MgO and SrTiO.3, as well as the magnetic characteristic of the La.0,7Ca.0,3MNO.3 film...
...ilizada para a deposição de YBa.2Cu.3O.7-x sobre substratos de níquel metálico, e comprovar a necessidade de uma camada buffer layer para a obtenção de filmes de YBa.2Cu.3O.7-x depositado sobre substrato de silício. Assim como na deposição realizada sobre substrato de níquel, foi verificada também a boa formação das fases desejadas sobre os substratos cerâmicos. As análises de condução elétrica e das propriedades magnéticas demonstraram a característica supercondutora dos filmes de YBa.2Cu.3.O.7-...
...n films of diamond as heat exchanger. As this material has higher thermal conductivity than copper and aluminum, it is aimed to add energy efficiency to the system. Among the procedures taken it was found that P-Boron type silicon substrate (1,1) was the most suitable for the growth of the films, different thicknesses were obtained for the comparison of performance in the condenser and the technical feasibility of the...
...alor. Como este material apresenta condutividade térmica maior que a do cobre e do alumínio, visa-se agregar eficiência energética ao sistema. Dentre os procedimentos tomados identificou-se que o substrato de silício do tipo P-Boro (1,1) foi o mais adequado para o crescimento dos filmes, obteve-se diferentes espessuras para comparação de desempenho no condensador e verificou-se a viabilidade técnica da proposta, pois foi possível realizar condensação utilizando o filme de diamante. De maneira geral, não ...
...enumfor diamond thin film deposition. Beside we have found some dificulties with the correct reading and control of the substrate temperature and plasma stability, these tests detected some signs of diamond growth on silicon substrate and on molybdenum only an intermediate layer of 'Mo IND.2 C¿ were found. We have shown that trns reactor is technically applicable for thin films deposition. Due its flexibilityit can b...
...nos de diamantes. Muito embora tenhamos encontrado dificuldades com relação às leituras de temperatura-e estabilidade total do plasma, os ensaios detectaram indícios do crescimento de diamante no substrato de silício e no substrato de molibdênio apenas o crescimento de uma camada intermediária de carbeto de molibdênio. Portanto, este reator mostrou-se de aplicação tecnicamente viável para a deposição de filmes finos e, devido à sua flexibilidade, podemos estendermos sua aplicação para outras áreas d...
...This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy)films by low-energy molecular nitrogen (N21 into silicon substrate prior to thermal oxidation. The films were characterized by ellipsometry (thiclmess), infta-red absorption spectrometry (FTIR) (chemical bonds) and secondary ion mass spectrometry (SIMS) (nitrogen distribution). These films have been used as gat...
...lho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através de implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2+) com baixa energia em substrato de silício com posterior oxidação térmica. Os filmes foram caracterizados por elipsometria (espessura), por espectrometria de absorção do infta-vermelho (FTIR) (ligações químicas) e por espectrometria de massa do íon secundário (SIMS) (distribuição de nitrogênio). Estes filmes foram utilizados co...
...This work presents the production and characterization of thin films produced by the RF Magnetron Sputtering technique. There were produced thin films on silicon substrate from vitreous targets of GeO2-PbO prepared with and without AgNO3 and Cu2O reagents. It was developed adequate methodology to obtain metallic nanoparticles in thin films by means of heat treatment. The films were characterized using perfilomitry, el...
...Este trabalho apresenta a produção e a caracterização de filmes finos produzidos a partir da técnica de RF Magnetron Sputtering. Foram produzidos filmes finos sobre substrato de silício a partir de alvos vítreos de germânio de GeO2-PbO preparados com e sem os reagentes AgNO3 e Cu2O. Foi desenvolvida metodologia adequada para a obtenção de nanopartículas em filmes finos por meio de tratamento térmico. Os filmes foram caracterizados por técnicas de perfilometria, elipsometria, Microscopia de Força...
...h other crystalline orientations. A (1,1) fiber texture and the growth of grains with other orientations, nucleated in the beginning of the growth process at the substrate surface is confirmed by backscattered and transmitted electron diffraction. These results bring important contributions about the annealing process dynamics of thin semiconductor films. Keywords: CdTe. Annealing. AFM. EBSD. TKD....
...os de difração. A orientação preferencial na direção (1,1) na forma de textura de fibra e o aumento da presença de grãos com outras orientações cristalográficas, a partir da superfície do substrato de silício. são evidenciados pelas medidas de difração de elétrons retroespalhados e transmitidos. Os resultados trazem importantes informações sobre a dinâmica do processo de recozimento em filmes finos. Palavras-chave: CdTe. Recozimento. AFM. EBSD. TKD. Microestrutura....
...lane (SiH4), nitrogen (N2), hydrogen (H2), nitrous oxide (N2O) and methane (CH4) as precursor gases. In order to isolate thermally the heating region of the structure, part of the IMZ sensor arm was suspended by the surface etching of the silicon substrate in KOH solution. Basically, the electro-thermo-optical device is based in the Thermo- Optic Effect of the constituent materials. In this case, with the application ...
... nitroso (N2O) e metano (CH4) como gases precursores. Para isolar termicamente a região de aquecimento do dispositivo, parte do braço sensor do IMZ foi suspenso através da corrosão superficial do substrato de silício em solução de hidróxido de potássio (KOH). Basicamente o dispositivo termo-eletroóptico utiliza para seu funcionamento o efeito termo-óptico dos materiais constituintes. Neste caso, com a aplicação de uma corrente elétrica no micro-resistor localizado em uma pequena região de um dos braç...
...and II, respectively, in other words, the formation of biologically active monolayers. Through micro-Raman spectrometry were detected displacements in the main spikes of the Silicon substratum. This displacement has been related with the stress induced by the deposited films. It was manufactured Metal Insulating Semiconductor (MIS) capacitors, using the structures dielectric/semiconductor obtained. The capacitors made...
... de grupos amida A, I e II, respectivamente, ou seja, a formação das monocamadas biologicamente ativas. Através de espectroscopia micro-Raman foram detectados deslocamentos nos picos principais do substrato de silício. Tais deslocamentos foram relacionados com o stress provocado pelos filmes depositados. Foram fabricados capacitores Metal/Isolante/Semicondutor, MIS, utilizando-se as estruturas dielétrico/semicondutor obtidas. Os capacitores possibilitaram realizar a caracterização elétrica dos filmes atravé...
...g and silicon nitride films for this application was performed using the following mixtures: CF4/O2/N2, CF4/H2, SF6/CF4/N2 and CHF3/O2. High selectivity was obtained for silicon oxide (>10) and silicon substrate (~7). The films were characterized by various equipment. The Profiler was used to measure the etching depth, and herewith, the etching rate was evaluated. The Elipsometer was used to measure the refractive ind...
...ão foram feitas utilizando as seguintes misturas gasosas: CF4/O2/N2, CF4/H2, SF6/CF4/N2 e CHF3/O2. As Maiores seletividades obtidas foram de aproximadamente 10 para óxido e aproximadamente 7 para o substrato de silício. Os filmes foram caracterizados com vários equipamentos. Um Perfilômetro foi utilizado para medir a profundidade das corrosões, e por conseguinte, calcular a taxa de corrosão através da divisão pelo tempo. Um Elipsômetro foi utilizado para medir as espessuras e índices de refração dos fil...
...ors manufacturing. It was tried plasma polymerization of pure reactants and mixtures of ethyl ether with oxygen, acetone, methyl or ethyl acetate. For all reactants and mixtures films were obtained on silicon and peeling did not occur during one year of observation. Measurements of profilemeter, infrared spectroscopy, contact angle for drop of water, 2-propanol and acetone aqueous solutions were used to determine depo...
