This could lead to a sheet resistance of approximately 1,0 O/sq, in contrast to the typical 40 O/sq arising from conventional processes.
Isso poderia resultar em uma resistência de folha de aproximadamente 1,0 Ω/sq, em contraste com os típicos 40 Ω/sq decorrentes dos processos convencionais.
resistência de folha do sensor
A 2,0 run gold layer with a thin chrome adhesion layer was deposited by e-beam evaporation with a total sheet resistance of 0,11Q/D.
Uma camada de ouro de 2,0 nm com uma camada fina de adesão de cromo foi depositada por evaporação por feixe de elétrons com uma resistência de folha total de 0,11 /.
Under optimum deposition conditions, films with sheet resistance of 4,20/0, electrical resistivity of 1,23x10,40-cm with a visual transmittance better than 87% (0,55um) and infrared reflectivity above 80% (2,5um) were obtained.
Sob ótimas condições de deposição foram obtidos filmes com uma resistência de folha de 4,20/0, resistividade elétrica de 1,23x10,40-cm com uma transmitância visivel melhor que 87% (O, 55um) e refletividade infravermelha ao redor de 80% (2,5um)
This is followed, at step 14, with, for example, a POCL3 or other phosphorous-based emitter forming an emitter layer having a sheet resistance for producing, in one embodiment, a sheet resistance of approximately 1,0 O/sq which is generally considered to be adequate for surface passivation.
Isto é seguido, na etapa 14, por exemplo, de um POCL3 ou outro emissor baseado em fósforo formando uma camada emissora tendo uma resistência de folha para produzir, em uma concretização, uma resistência de folha de aproximadamente Ω/sq, que é geralmente considerada adequada para a passivação da superfície.
The presently disclosed process forms an emitter with a sheet resistance of 1,0 O/sq.
O processo presentemente revelado forma um emissor com uma resistência de folha de 1,0 Ω/sq.
...ure commonly known as VOFET (Vertical Organic Field Effect Transistor) has been explored in recent years. However, a common issue in VOFET structure is the intermediate electrode, which must be permeable to electric fields with low sheet resistance using low-cost production techniques. Thus, in the first part of this work, the development of an intermediate electrode based on silver nanowires using the low-cost techni...
...em Arquitetura Vertical) vem sendo explorada nos últimos anos. Entretanto, um problema comum em VOFETs é o eletrodo intermediário, o qual deve ser permeável a campos elétricos e apresentar baixa resistência de folha utilizando técnicas com baixo custo de produção. Desta forma, na primeira parte deste trabalho é apresentado o desenvolvimento de um eletrodo intermediário baseado em nanofios de prata utilizando a técnica de baixo custo conhecida como Mayer rod-coating. Os eletrodos otimizados foram aplicado...
...cially transparent electrodes have been made by deposition of indium tin oxide (ITO) films by RF-Sputtering technique. These commercial electrodes have sheet resistance of about 1,0 Ω/sq and optical transmittance of 77% at the wavelength of 5,0 nm. The poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrene-sulfonate (PEDOT:PSS) is an alternative material to fabricate transparent electrodes due to its high conductivity (about 6...
..., eletrodos transparentes comerciais são fabricados com óxidos transparentes, sendo o mais comum o óxido de índio-estanho (ITO), e depositados por técnicas como RF-Sputtering, apresentando baixa resistência de folha ( menor que 1,0 Ω/sq (sq = quadrado) e transmitância óptica acima de 75% em 5,0 nm. O poli(3,4-etileno dioxitiofeno):poliestireno sulfonado (PEDOT:PSS) é um material alternativo solúvel em água para fabricação de eletrodos transparentes que pode alcançar alta condutividade (~9,0 S/cm) quan...
...attering of polymer (PEDOT:PSS) on surface by contact angle was observed. For ITO and FTO films the optimum period was observed during 5 minutes and ZnO during 15 minutes. The measurements results of sheet resistance, thickness and Hall effect revealed no significant changes confirming that the surfaces were influenced only atomically or molecularly only....
...ravés da técnica de ângulo de contato foi observado. Para os filmes de ITO e FTO o período ótimo foi observado durante 5 minutos e para o ZnO, durante 15 minutos. Os resultados das medições de resistência de folha. espessura e efeito Hall, não revelaram significantes modificações. Revelando que as superfícies foram influenciadas apenas atomicamente ou molecularmente....
...optical characterization, SEM to visualize their morphology and Raman spectroscopy for chemical analysis of their structures. sheet resistance values of 2,105 W/ and transmittance of 65% were obtained in the most concentrated samples, with 0,2 mg per ml of nanotubes in deionized water (DI). A cleaning stage in DI water after deposition was taken for removal of surfactant excess in the film, which harms both the electr...
...trica, transmitância por espectrofotometria para caracterização óptica, SEM para a visualização de sua morfologia e espectroscopia Raman para a análise química de suas estruturas. Valores de resistência de folha de 2,105 W/ e transmitância de 65% foram obtidos nas amostras mais concentradas, com 0,2 mg de nanotubos por ml de água DI. Uma etapa de limpeza em água DI pós deposição foi feita para remoção do excesso de surfactante presente no filme, o que prejudica tanto as características elé...
...rward series resistance of 4,7? ±1,3?, ideality factor of 1,15 ±0,03, and reverse saturation current of 1,1x10,11A for square diodes (3,0ìm x 3,0ìm). The lowest film resistivity value (Ni(Pt)Si) of 25ì?cm and sheet resistance of 3,13 ?/? were obtained for the formation of nickel monosilicide under temperature of 6,0ºC for 1,0 seconds. The cross-bridge Kelvin resistors presented contact resistivity of 15,0 ì?.cm...
...±1,3?, fator de idealidade de 1,15 ±0,03, e corrente de saturação de 1,1x10,11A para diodos quadrados (3,0ìm x 3,0ìm). O menor valor de resistividade do filme de (Ni(Pt)Si) resultou 25ì?cm e a resistência de folha de 3,13 ?/? foram obtidas após a formação do mono-siliceto de níquel na temperatura de 6,0 ºC durante 1,0 segundos. As estruturas Kelvin apresentaram resistividade de contato de 15,0ì?.cm2 ±3,3ì?.cm2 e comportamento ôhmico estável para diversos níveis de corrente. Após uma extensa anál...
...ormed over the surfaces of printed electrodes onto filter, vegetable and bond paper. The electrode produced by screen-printing using the PEDOT: PSS/MWNT composite printed onto filter paper exhibited low sheet resistance (17 Ω /sqr), being used in the production of supercapacitors. Printed supercapacitor showed good capacitive behavior through impedance spectroscopy and cyclic voltammetry measurements. An R(RC)(C(RQ)(...
...odos impressos em papel filtro, vegetal e sulfite. Os eletrodos produzidos por serigrafia utilizando o compósito de PEDOT:PSS com MWNT impressos em papel filtro apresentaram os menores resultados de resistência de folha (17 Ω/sqr), sendo assim utilizados na produção dos supercapacitores. O supercapacitor impresso em papel apresentou um bom comportamento capacitivo através de medidas de espectroscopia de impedância e voltametria cíclica. A curva de impedância foi modelada através de um circuito do tipo R(RC...
...r ration (from 5 % to 30 %), for AZO fims. Thermally vacuum evaporated aluminum electrodes with different aspect ratios (1,18, 2,9, 5,13, 5,9 and 8,9) were used to determine the sheet resistance over the whole film area. To determine the electrical conductivity of the films it was necessary to perform atomic force microscopy analysis (AFM) to discover the thickness of the films. Thermogravimetric analysis (TGA) and in...
...o molar Al:Zn (de 5 % a 30 %), para os filmes de AZO. Utilizaram-se eletrodos de alumínio evaporados a vácuo com diferentes razões de aspecto (1,18, 2,9, 5,13, 5,9 e 8,9) para determinar a resistência de folha sobre toda a área do filme. Para determinar a condutividade elétrica dos filmes foi necessário fazer análise de microscopia de forca atômica (AFM) para descobrir a espessura dos filmes. A análise termogravimétrica (TGA) e a análise por infravermelha (FTIR) foram também utilizadas para veri...
... efficacy of 1,3 cd/A, were produced with a coating of the developed LE composite done over glass substrates containing indium tin oxide transparent electrodes. Additionally, the optical transmittance and sheet resistance of films produced with the conductive composite PEDOT:PSS/GPTMS were evaluated showing that this material is suitable to fabricate transparent electrodes. Finally, were produced light-emitting device...
...rodos transparentes de óxido de estanho e índio, foram obtidos dispositivos EL com tensão de operação de 30 V e eficiência luminosa de 1,3 cd/A. Além disso, a transmitância óptica e a resistência de folha de filmes do compósito condutor (PEDOT:PSS/GPTMS) foram avaliadas, demonstrando que este material apresenta propriedades compatíveis com a aplicação como eletrodo transparente. Por fim, foram produzidos dispositivos EL utilizando o compósito condutor PEDOT:PSS/GPTMS como eletrodos e o compósi...
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