...are required to build it and there is no need of any doping step) and it has a reconfigurable operation (it can act as a n-type MOS transistor or as a ptype MOS transistor depending only on substrate bias). The substrate voltage (VGB) is responsible for the formation of an electron (VGB>0) or a hole (VGB<0) channel at the back interface of the silicon, where the drain current flows. The patent for it was required at the Na...
...em conhecidos e nenhuma etapa de dopagem do semicondutor) e sua flexibilidade quanto ao modo de operação (pode atuar como um transistor MOS tipo n ou um transistor MOS tipo p, dependendo somente da polarização de substrato). Aplicando-se tensão no substrato (VGB) é possível formar um canal de elétrons (VGB>0) ou lacunas (VGB<0) na segunda interface da camada de silício, por onde a corrente entre fonte e dreno flui. Sua patente foi requerida junto ao INPI (Instituto Nacional da Propriedade Industrial) sob o núme...
...oblem and allowing the use of smaller devices as a memory cell. Furthermore, it was seen that there can be a carriers generation or recombination, depending on the gate voltage during the holding state, degrading the bit '0' or '1'. Moreover, the optimization of substrate bias proved to be limited by enabling the writing state, without degrading the reading of '0'. The results also demonstrated the sense margin is less dep...
... 1,5 V). Além disso, foi visto que pode haver uma geração ou uma recombinação de portadores, dependendo da tensão na porta durante o repouso, degradando o bit '0' ou '1'. Já a otimização da polarização de substrato demonstrou ser limitada pelo compromisso de ser alta o suficiente para ativar o efeito de corpo flutuante durante a escrita, sem prejudicar a leitura do '0'. Os resultados também demonstraram que a margem de sensibilidade é menos dependente da tensão do substrato que o tempo de retenção, levan...