One of them is a cylindrical dielectric resonator antenna on a ground plane, intended for operation at the center frequencies of 3,94 GHz and 5,42 GHz, with a directional radiation pattern and circular polarization in the first operating band and with an omnidirectional radiation pattern and linear polarization in the second one.
Uma delas é uma antena de ressoador dielétrico cilíndrica sobre plano de terra. destinada a operar nas frequências centrais de 3,94 GHz e de 5,42 GHz, com diagrama de radiação direcional e polarização circular na primeira banda de operação e com diagrama de radiação omnidirecional e polarização linear na segunda.
In the UTBOX and UTBB SOI nMOSFETs transistors the parameters starting from the threshold voltage towards the region of the transistor in the off state were studied, analyzing the influence of the silicon active region thickness, the channel length and the ground plane implantation in the following parameters: threshold voltage, subthreshold swing, drain-induced barrier lowering (DIBL), gate-induced drain leakage (GIDL) and current ratio on over off (ION/IOFF).
Nos transistores UTBOX e UTBB SOI nMOSFETs foram analisados os parâmetros partindo-se da tensão de limiar em direção à região do transistor no estado desligado, analisando a influência da espessura da região ativa do silício, do comprimento do canal e da implantação do plano de terra nos seguintes parâmetros: tensão de limiar, inclinação de sublimiar, abaixamento da barreira induzido pelo dreno (DIBL), a fuga no dreno induzida pela porta (GIDL) e razão das correntes no estado ligado e desligado (ION/IOFF).
in this module it was studied and numerically calculated, by a Charge Simulation Method (CSM); the electric field for the infinite cylinder-ground plane configuration, as well as for the lower half of infinite cylinder - ground plane and infinite strip-ground plane.
No presente trabalho foi estudado e calculado numericamente, pelo Método de Simulação de Cargas (MSC), o campo elétrico para a configuração cilindro infinito-plano de terra, bem como para a configuração metade inferior do cilindro infinito- plano de terra e "strip" infinito - plano de terra.
...the fabrication process and the design methodology of Shunt MEMS switches over a coplanar transmission line (CPW). The structure is composed by a metallic bridge anchored on both ends by two metallic posts connected to the ground plane. The switches are designed to operate at low activation voltage (16 V) and with a large band of operating frequency (4,0 MHz ¿ 4GHz), making possible its use in many communicati...
...gia para projeto de Chaves MEMS paralela sobre linha de transmissão coplanar (CPW). A estrutura é composta de uma ponte metálica suspensa em ambos os lados por dois postes metálicos conectados ao plano de terra. As chaves são projetadas para uma baixa tensão de ativação (16 V) e com larga banda de operação em freqüência (4,0 MHz ¿ 4GHz) possibilitando seu uso na maioria dos padrões de sistemas de comunicação. Também é descrita a metodologia do projeto auxiliado por simulações eletromecâni...
...tion of the back gate bias (VGB). The analysis were made through experimental measures and numerical simulation. In the UTBB SOI nMOSFET devices, devices with and without ground plane (GP) implantation of three different technologies were studied. Based on analytical model developed by Martino et al. the values VGB were defined. The reference technology has silicon film thickness (tSi) of 6 nm and 5 nm of SiO2 ...
...da no substrato (VGB). As análises foram feitas através de medidas experimentais e simulações numéricas. Nos dispositivos UTBB SOI nMOSFET foram estudados dispositivos com e sem implantação de plano de terra (GP), de três diferentes tecnologias, e com diferentes comprimentos de canal. A partir do modelo analítico de tensão de limiar desenvolvido por Martino et al. foram definidos os valores de VGB. A tecnologia referência possui 6 nm de camada de silício (tSi) e no óxido de porta uma camad...
...low relative permittivity, low loss tangent and, concerned with the monophasic samples, negative temperature coefficient of resonant frequency. Subsequently, the cylindrical dielectric resonator antennas (CDRAs) supported on rectangular ground plane and fed by monopole are analyzed according to the following radiation performance criteria: resonant frequency, input impedance, bandwidth and radiation patterns. B...
...o das amostras monofásicas, com coeficiente de temperatura na frequência de ressonância negativo. Posteriormente, as antenas ressoadoras dielétricas de geometria cilíndrica (CDRAs) suportadas em plano de terra retangular e alimentadas por sonda monopolar são analisadas segundo critérios de desempenho de irradiação, quais sejam: frequência de ressonância, impedância de entrada, largura de banda e padrões de irradiação. Além de experimentação, o seu estudo envolveu procedimento computacional, ...
...se of these structures can improve the antenna performance, such a..c;; on the gain, the efficiency, and, mainly, on the bandwidth. As an innovation, it is presented the Local ground plane, which is a contiguous ground plane with a very small area, placed just below the radiator and it provides a great improvement on the antenna characteristics....
... que, utilizando tais estruturas, há melhorias no desempenho da antena, como no ganho, na eficiência e, principalmente, na faixa de operação. Como inovação, introduz-se o Local Ground Plane, um plano de terra contínuo de área reduzida, localizado, somente, sob o elemento radiador e que proporcionou uma grande melhoria nas características das antenas....
...TBB, where the back-gate bias is a multiple value of the front-gate one, VB=kVG) modes. The working principle of these modes has been studied and the effect of different technologies and current trends were analyzed under such biasing conditions as the presence of the ground plane (ground plane - GP), the scaling of the silicon layer and the absence of a doped extended source and drain region. It was also propo...
...B=kVG). O princípio de funcionamento desses modos foi estudado e a influência de diferentes tendências e tecnologias atuais foram analisadas nessas condições de polarização como a presença do plano de terra (Ground Plane - GP), o escalamento da camada de silício e a ausência de uma região de extensão de fonte e dreno. Também foi proposto neste módulo o modo kDT inverso, onde a tensão de porta é um múltiplo da tensão de substrato (VG=kVB). O efeito do superacoplamento foi identificado e anali...
...work analysis was performed based on theoretical models, numerical simulations and experimental measurements. Experimentally, it is possible to notice that the presence of the ground plane implantation (GP) below the buried oxide eliminates and/or minimizes some undesirable effects of the substrate, as the variation of potential drop on third interface (buried oxide/substrate). The interface trap density (Nit) ...
...dy and Buried Oxide - UTBB). A análise do trabalho foi realizada baseando-se em modelos teóricos, simulações numéricas e medidas experimentais. Experimentalmente pode-se notar que a presença do plano de terra (Ground Plane, GP) abaixo do óxido enterrado elimina e/ou minimiza alguns efeitos indesejados do substrato, tais como a variação do potencial na terceira interface (óxido enterrado/substrato). A densidade de armadilhas de interfaces (Nit) foi um parâmetro importante no ajuste da simulação pa...
...ture coefficient point (ZTC) for transistors with SOI UTBB nMOSFETs (Silicon-On-Insulator Ultra-Thin Body and BOX) structure regarding the influence of the ground plane (GP) and the thickness of the silicon film (tSi). This study was realized in the linear and saturation region, by the use of experimental data and an analytical model. Electrical parameters such as threshold voltage and transconductance were ana...
...ponto invariante com a temperatura (ZTC - Zero Temperature Coefficient) para transistores com estrutura SOI UTBB (Silicon-On-Insulator Ultra-Thin Body and BOX) nMOSFETs em relação à influência do plano de terra (GP-Ground Plane) e da espessura do filme de silício (tSi). Este estudo foi realizado nas regiões linear e de saturação, por meio da utilização de dados experimentais e de um modelo analítico. Parâmetros elétricos, como a tensão de limiar e a transcondutância foram analisados para verifi...
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