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It was observed that the best results were related to an alignment between the gate electrode and the source/channel junction and to an abrupt dopant profile at the junction.
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Frases traduzidas contendo "gate electrode" 
Termos relacionados contendo "gate electrode"
a) Traduções técnicas inglês para português
(Substantivo)
Banco de Glossários (traduções não verificadas)| Área | Inglês | Português | Qualidade |
|---|---|---|---|
| Téc/Geral | gate electrode | elétrodo de desbloqueio |  |
| Téc/Geral | gate electrode | eletrodo de comando | |
Frases traduzidas contendo "gate electrode"It was observed that the best results were related to an alignment between the gate electrode and the source/channel junction and to an abrupt dopant profile at the junction.
Observou-se que os melhores resultados estavam associados a um alinhamento entre o eletrodo de porta e a junção entre fonte e canal e a um perfil abrupto de dopantes na junção.
A recent development in measurements was the introduction of an ion-sensitive field effect transistor (ISFET), the main part of which is MOSFET (acronym for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), with the gate electrode attached to a membrane chemically sensitive.
Um recente desenvolvimento em medidas de foi a introdução de um transistor de efeito de campo sensível a íon (ISFET), cuja parte principal é o MOSFET (acrônimo de Metal Oxido Semiconductor Field Effect Transistor), tendo o eletrodo do gate ligado a uma membrana quimicamente sensível.
GraFETs and CNTFETs demonstrated the current modulation between the source and drain electrodes by the action of perpendicular electric field, applied with the aid of the gate electrode.
GraFET's e CNTFET's demonstraram a modulação da corrente entre os eletrodos de fonte e dreno pela ação do campo elétrico perpendicular, aplicado com o auxílio do eletrodo de porta.
...and rigid substrates. Pentacene EGOFETs have been used to produce biosensors to detect biomarkers (interleukins 4 and 6) related to inflammation. These bionsensors have been produced exploiting their gate electrode modification by self-assembled monolayers of Protein G and interleukin 4 and 6 anbtibodies. EGOFET biosensors have shown to be able to detect, in a specific manner, interleukins in concentration as l...
...e substratos flexíveis e rígidos. EGOFETs de pentaceno foram utilizados na produção de biossensores para a detecção de biomarcadores (interleucinas 4 e 6) relacionados a processos inflamatórios. Estes biossensores foram produzidos através da modificação do gate do dispositivo por monocamadas automontadas de Proteína G e anticorpos de interleucina 4 e 6. Biossensores EGOFETs se mostraram aptos a detectar, de maneira específica, interleucinas em concentrações em torno 5,7 nano mol/L. Por fi...
...k function (WF) were extracted from these measurements. The extracted values of Q0/q, VFB e WF 10,0 cm2, 0,29 V e 4,65 eV, and these values were extracted from CV curves of MOS capacitors with TiN as gate electrode and SiOxNy as gate dielectric. The extracted values of Q0/q, VFB e WF 10,0 cm2, 1,36 V e 3,81 eV, and these values were extracted from CV curves of MOS capacitors with TiN as gate electrode and SiOxN...
...or de TiN apresentaram valores extraídos de Q0/q, VFB e WF de 10,0 cm2, 0,29 V e 4,65 eV, respectivamente, que são compatíveis com a tecnologia CMOS. As curvas CV dos capacitores MOS com dielétrico de SiOxNy e eletrodo superior de TaN apresentaram valores extraídos de Q0/q, VFB e WF de 10,0 cm2, 1,36 V e 3,81 eV, respectivamente, que não são compatíveis com a tecnologia CMOS. As curvas CV dos capacitores MOS com dielétrico de SiO2 e eletrodo superior de TiN apresentaram valores extraíd...
... (surface roughness). The ECR plasmas were characterized by optical emission spectroscopy (OES). These films have been used as gate insulators in MOS capacitors, which were fabricated with Al or TiAl gate electrodes . These capacitors were used to obtain capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements. A relative dielectric constant of 3,9 was adopted to extract the Equivalent Oxide Thickness (E...
...a atômica (AFM) (rugosidade da superfície). Os plasmas ECR foram caracterizados por espectroscopia por emissão óptica (OES). Estes filmes foram usados como isolantes de porta em capacitores MOS, que foram fabricados com eletrodos de Al e TiAl. Estes capacitores foram utilizados para a obtenção das medidas de capacitância - tensão (C-V) e corrente - tensão (I-V). Um valor relativo para a constante dielétrica de 3,9 foi adotado para extrair o valor de EOT dos filmes, a partir das medidas C-V sob regi...
Termos relacionados contendo "gate electrode"
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