...sistance of 268,9G? ±97,7G? and serpentine diode reverse resistance of 35,5G? ±11,5G?, forwardbias voltage between 0,55V and 0,56V, forward series resistance of 4,7? ±1,3?, ideality factor of 1,15 ±0,03, and reverse saturation current of 1,1x10,11A for square diodes (3,0ìm x 3,0ìm). The lowest film resistivity value (Ni(Pt)Si) of 25ì?cm and sheet resistance of 3,13 ?/? were obtained for the formation of nickel mo...
...a dos diodos serpentinas de 35,5G? ±11,5G?, a tensão de início de condução resultou entre 0,55V e 0,56V, a resistência série em condução de 4,7? ±1,3?, fator de idealidade de 1,15 ±0,03, e corrente de saturação de 1,1x10,11A para diodos quadrados (3,0ìm x 3,0ìm). O menor valor de resistividade do filme de (Ni(Pt)Si) resultou 25ì?cm e a resistência de folha de 3,13 ?/? foram obtidas após a formação do mono-siliceto de níquel na temperatura de 6,0 ºC durante 1,0 segundos. As estruturas Kelvin apres...