Additionally, the impedance behavior of a SOA-chip (without package) was measured as function of the bias current in wide frequency range, from 3,0 kHz to 40 GHz.
Foi realizado um estudo do comportamento da impedância de um SOA em chip, sem encapsulamento, em função da corrente de polarização e em ampla faixa de frequência .
... dBm, presenting good agreement with simulations. Phase noise was measured in the range between 1,0 kHz and 1 MHz shift from carrier; in which it was observed a 1/f3 slope. It was verified that decreasing the transistor bias current Ids through decreasing its gate bias voltage Vgs reduced phase noise. In the biasing condition for lowest phase noise, values between -84 and -93 dBc/Hz at 1,0 kHz off-set from carrier were me...
...concordância com as simulações. O ruído de fase foi medido entre 1,0 kHz e 1 MHz de distância da portadora, observando-se uma inclinação proporcional a 1/f3. Verificou-se que a diminuição da corrente de polarização Ids dos transistores, através da redução de sua tensão de polarização de porta-fonte Vgs, melhorou o ruído de fase. Na condição de polarização de menor ruído de fase, observaram-se valores entre -84 e -93 dBc/Hz a 1,0 kHz da portadora....
... seismic origin, for example, where both have very low frequency components, their amplitudes are low in magnitude. The main tested parameter in the circuit was the cut-off frequency and its adjustment with the biasing current. Besides, as a test for the circuit capability of processing a signal without distortion, while imposing it a common-mode, it was used a standard from an European norm called CENELEC (European Commi...
...m sísmica, onde ambos possuem componentes de freqüência bem baixas, as amplitudes são de baixa magnitude. O principal parâmetro testado no circuito foi a freqüência de corte e seu ajuste com a corrente de polarização. Ainda, de forma a testar a capacidade do circuito de processar um sinal sem distorção, impondo um modo comum ao mesmo, foi utilizado o padrão adotado pela norma européia CENELEC (European Committee for Electrotechnical Standardization) para o sinal de ECG. No desenvolvimento foram utili...
...oreflectance component due to the surface potencial bending; a photo-generated carriers component, induced by the probe beam itself; and a bias current component, mainly due to Joule effect. By using different arrangements we show six distinct ways to perform thermal -and electroreflectance microscopy in such kind of device, each one presenting a specific contrast...
...s efeito capacitivo nas trilhas. Em transistores de efeito de campo MOS observamos três componentes para o sinal: uma componente de eletrorefletância, uma devida aos portadores fotogerados e uma de corrente de polarização. Mostramos seis diferentes formas de fazer microscopia nesses dispositivos, pela modulação da voltagem do dreno ou do gate...
...z are coherent with published results. The PISIC modulation technique slightly increases the chirp's peak and significantly extends the transient oscillations afterwards. SOA's bias however does not have major influence other than, when very low, deteriorate the temporal signal, compromising the analysis. The laser power overpopulates the low state of the SOA, decreasing the difference between the states and, therefore, d...
... de gorjeio são coerentes com os resultados publicados. A modulação por técnica de PISIC aumenta um pouco o pico de gorjeio e prolonga significativamente as oscilações transientes logo após. A corrente de polarização não tem grande influência no gorjeio além de, quando muito baixa, deteriorar o sinal temporal, comprometendo a análise. A potência do laser superpovoa o nível lógico baixo do SOA, diminuindo a diferença entre os estados e, por isso, diminui o pico de desvio de frequência...
Inglês
Português
Resultados da busca para 
