Corrente de condução que, devido a isolamento imperfeito, percorre um caminho diferente do previsto, e flui para elementos condutores estranhos à instalação.
Meaning
Leakage current occurs when there are flaws in certain electrical components, or in the design of the components themselves. The result is current that flows between the current ground and output buses. (http://www.elpac.com/re...)
Exemplos de tradução
The Ca2Cu2Ti4,12 ceramics (with two CCTO and CaTiO3 phases) having a good coefficient of non-linearity (a) when compared with phase pure CCTO which enhances its application as a varistor, however, the leakage current (If) is still considered high for commercial applications.
A cerâmica Ca2CU2Ti4,12 (com duas fases CCTO e CaTiO3) apresenta um bom coeficiente de não linearidade (a) quando comparado com a fase pura de CCTO o que potencializa sua aplicação como varistor, entretanto, a corrente de fuga (If) ainda é considerada elevada para aplicações comerciais.
...S capacitors with these films were fabricated and dielectric constant values varying from 40 to 1,0 were obtained. However, until now, these materials have presented appreciable leakage current values, which were, minimize by orders of magnitude with the addition of a thin SiO2 or SiOxNy (optimized in this module) layer at the interface were utilized. This thin layer also resulted in a significant improvement of ...
...do alvo de Ti. Foram fabricados capacitores MOS com estes filmes e obteve-se valores de constante dielétrica que variaram de 40,160. Porém esses materiais ainda apresentavam valores apreciáveis de corrente de fuga que foram minimizadas em ordens de grandeza quando utilizados dielétricos de dupla camada com SiO2 ou SiOxNy (otimizado neste módulo) na interface, além de se observar uma melhora significativa da qualidade de interface. Utilizando dupla camada dielétrica com filmes de SiOxNy e SiO2, ainda espe...
Banco de Glossários (traduções não verificadas)
Área
Inglês
Português
Qualidade
Téc/Geral
Fault current
corrente de fuga
Téc/Geral
Leakage current
corrente de fuga
Frases traduzidas contendo "corrente de fuga"
The Ca2Cu2Ti4,12 ceramics (with two CCTO and CaTiO3 phases) having a good coefficient of non-linearity (a) when compared with phase pure CCTO which enhances its application as a varistor, however, the leakage current (If) is still considered high for commercial applications.
A cerâmica Ca2CU2Ti4,12 (com duas fases CCTO e CaTiO3) apresenta um bom coeficiente de não linearidade (a) quando comparado com a fase pura de CCTO o que potencializa sua aplicação como varistor, entretanto, a corrente de fuga (If) ainda é considerada elevada para aplicações comerciais.
We discuss the capacitance, leakage current, and dissipation factor measurements for these capacitors
Apresentamos para esses capacitores, resultados de capacitância, corrente de fuga e fator de dissipação
In general, an insulating type piezoelectric transformer has the advantages of small leakage current, good insulation capability, high voltage endurance, low operation temperature, compact size, thin package profile, and high energy conversion efficiency.
Em geral, um transformador piezelétrico do tipo isolador tem as vantagens de baixa corrente de fuga. boa capacidade de isolamento, alta resistência à tensão elétrica, baixa temperatura de operação, tamanho compacto, perfil de acondicionamento fino, e elevada eficiência de conversão de energia.
The MLCL filter reduces the leakage current of photovoltaic system and attenuates the current harmonics injected in the grid.
O filtro LCLM possui a finalidade de reduzir a corrente de fuga do sistema fotovoltaico ao mesmo tempo em que atenua os harmônicos de corrente injetados na rede.
The investigation of this material of this material aims using this material for application as insulating layer in field effect transistors, specifically metal-oxide-semiconductor (MOSFET), seeking for low leakage current and efficient current control in the conduction channel.
A investigação deste material tem por finalidade sua utilização como camada isolante em transistores de efeito de campo, mais especificamente do tipo metal-óxido-semicondutor (MOSTFET), visando a diminuição da corrente de fuga no gate e aumento do controle de corrente no canal de condução.
To achieve this type of switch fuse, several prototypes were developed to try the elimination the leakage current caused by pollution saline.
Para se chegar a esse modelo de chave fusível foram desenvolvidos vários protótipos, os quais tentam eliminar a corrente de fuga ocasionada pela poluição salina.
On the other hand, the system (Co, Nb)-SnO2 presented better sensor and varistor response, and for gas sensor the film presented a response of 2,6 in the self-heating system and for the varistor property the sintered film with rich atmosphere in O2 presented better results with coefficient of nonlinearity (α) between 11,4 and 15,1; (VR <2,2 V) and leakage current (IF ~ 10,8 A/cm²), which indicates a potential for application as low voltage varistor used in electronic devices.
Por sua vez, o sistema (Co,Nb)-SnO2 apresentou melhor resposta sensora e varistora, sendo que para sensor de gás o filme apresentou resposta de 2,6 no sistema self-heating e para a propriedade varistor o filme sinterizado com atmosfera rica em O2 apresentou melhores resultados com coeficiente de não-linearidade (α) entre 11,4 e 15,1; tensão de ruptura (2,0 V < VR < 2,2 V) e corrente de fuga (IF ~10,8 A/cm²), valores estes que indicam um potencial para aplicação como varistor de baixa tensão utilizado em dispositivos eletrônicos.
Gold nanoparticles provide a larger electron storage capability, and do not favor the electric transport through the insulator; they act as traps for electrical charges, which reduces the leak current to lower levels.
As nanopartículas de ouro proporcionam maior capacidade de armazenamento de elétrons e não favorecem o transporte de corrente através do isolante; elas atuam como armadilhas para as cargas elétricas, o que reduz a corrente de fuga para níveis mais baixos.
Results are presented for the 1 kW, in order to support the validity of the proposed topology in conjunction with the standard aspects, especially in relation to THD (Total Harmonic Distortion) of grid current, leakage current, efficiency and power density.
São apresentados resultados, observando a potência de 1 kW, com a finalidade de corroborar a validade da topologia proposta juntamente as normativas e aspectos que norteiam a aplicação, especialmente com respeito à THD (Total Harmonic Distortion) da corrente da rede, corrente de fuga. rendimento e densidade de potência.
Distinct from the traditional capacitors or the coil-type step-up transformers, the piezoelectric capacitor 10 or 20 of this embodiment has small leakage current and high breakdown voltage and thus is exempt from the danger of catching a fire.
Diferentemente dos capacitores tradicionais ou dos transformadores elevadores do tipo bobina, o capacitor piezelétrico 10 ou 20 desta concretização tem baixa corrente de fuga e alta tensão de ruptura, estando, portanto, livre do risco de pegar fogo.
in this module it was compared the influence of the glass chemical composition as well as frit grain size of the glass, over the breakdown voltage and leakage current of the devices.
No presente trabalho foi realizada uma comparação entre a influência da composição química dos vidros, a granulometria do pó (frita) deste vidro, com a tensão de ruptura e corrente de fuga dos diodos levando em conta o rendimento do processo.
The thermal stability of these dielectrics on Si or Ge is a crucial issue to integrate them into CMOS, because standard device fabrication requires high temperature annealing, i.e. a dopant activation process (> 9,0 oC for Si and > 4,0 oC for Ge).
O principal limitante da atual tecnologia está sendo os efeitos indesejáveis de corrente de fuga através do dielétrico que ocorrem devido à contínua miniaturização dos transistores.
The lamp-ignition circuit of the present invention has advantages of low temperature, small leakage current, high voltage resistance and high lamp ignition efficiency.
O circuito de ignição de lâmpada da presente invenção apresenta as vantagens da baixa temperatura, pequena corrente de fuga. resistência à alta tensão e alta eficiência de ignição da lâmpada.
As electron devices shrinks to nanometric scale, new concerns emerge that can not be solved using the materials employed nowadays such as short channel effect, gate depletion, high leakage current and Vt spreading due to statistical variation of the doping process.
Conforme os dispositivos eletrônicos atingem dimensões nanométricas, surgem limitações que não podem ser solucionadas com os materiais empregados atualmente, como efeito de canal curto, depleção de porta, corrente de fuga e variação do Vt devido à variação estatística da dopagem.
The HMDS treatment proved to be the most effective, reducing the leakage current and increasing the dielectric rupture field.
O tratamento com HMDS se mostrou o mais efetivo, diminuindo a corrente de fuga e aumentando campo de ruptura dielétrica.
However, such a design has low efficiency and great leakage current.
Entretanto, tal projeto tem baixa eficiência e grande corrente de fuga.
whereby the lamp-ignition circuit of the present invention has advantages of small leakage current, current balance and high lamp ignition efficiency.
por meio do que o circuito de ignição de lâmpada da presente invenção oferece vantagens de baixa corrente de fuga. equilíbrio das correntes e alta eficiência da ignição da lâmpada.
This device has threshold voltage equal to 0,30V, leakage current on the order of 10,8A and transconductance equal to 12?S. The ISFET presented current sensitivity equal to 63?A/pH and voltage sensitivity equivalent to 64mV/pH, which is close to the expected 59mV/pH determined by the Nernst limit.
Este dispositivo possui tensão de limiar igual a 0,30V, corrente de fuga da ordem de 10,8A e transcondutância igual a 12?S. O ISFET apresentou sensibilidade em corrente de 63?A/pH e sensibilidade em tensão equivalente a 64mV/pH, valor que encontra-se próximo do esperado de 59mV/pH (limite de Nernst).
The admittance that represents the leakage process was modeled according to Frenkel-Poole emission, Fowler-Nordheim tunneling and/or constant leakage admittance.
A admitância associada à corrente de fuga em capacitores MOS foi modelada através de emissão por Frenkel-Poole, tunelamento por Fowler-Nordheim e/ou corrente de fuga constante.
...applications in NVRAM and FeRAM devices. Nb doping of PZT films produces good values of ferroelectric properties for the application as ferroelectric memories. PZT films on Pt electrodes present imprint, fatigue and leakage current. We have prepared LaNiO3 films on SiO2/Si substrates to substitute Pt electrodes. Moreover, Nb-doped PZT films deposited on Pt electrodes lead to improved fatigue resistance when compa...
...ilmes de PZT com Nióbio foi realizada visando obter valores ótimos nas propriedades ferroelétricas para a aplicação destes filmes como memórias ferroelétricas. Todavia, problemas como imprint, corrente de fuga e fadiga na polarização, estão presentes nos dispositivos de memórias contendo filmes de PZT sobre substratos platinizados. Para tentar resolver estes problemas, estudamos a produção de eletrodos de LaNiO3 depositados sobre substratos de SiO2/Si, para substituição dos substratos com eletrod...
... as the decrease of the degradation, increase of the spontaneous and remaining polarization, decrease in the current reduction of impulse response time, epitaxial growth, control of oxygen vacancies and decrease of secondary phases. All of this is achieved through variations of the resins, controlling the excessive volatilization of Bismuth and parameters in the growth of the film, such as the time and temperatur...
...amos uma fase pseudo tetragonal favorável as propriedades de memorias de múltiplos estados, como a diminuição da degradação, aumento da polarização espontânea e remanescente, diminuição na corrente de fuga. diminuição do tempo de resposta ao impulso, crescimento epitaxial, controle de vacâncias de oxigênio e diminuição de fases secundarias. Tudo isso é atingido, através de variações das resinas, controlando a volatização excessiva do Bismuto e de parâmetros no crescimento do filme, como,...
...are highly attractive, showing a reduction on the threshold voltage and trap density, an improved mobility and of the intrinsic gain of the transistor. However, an increase on the leakage current is observed in these devices. Together with this analyzes the behavior of triple gate transistors with gate dielectric of silicate of hafnium oxide nitrated (HfSiON) was also studied, where for the HfSiON a higher interf...
...adas de TiN mais finas são mais atrativas, apresentando menor tensão de limiar e armadilhas de interface, assim como um aumento na mobilidade e no ganho intrínseco do transistor. Contudo uma maior corrente de fuga pelo óxido de porta é vista nestes dispositivos. Juntamente com esta análise, o comportamento de transistores de porta tripla com dielétrico de porta de silicato de óxido de háfnio nitretado (HfSiON) também foi estudado, onde observou-se um maior impacto nas cargas de interface para o óxido...
...ween 70 mV/decade and 1,0 mV/decade, were obtained. MOS capacitors were used to obtain capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements. The Equivalent Oxide Thickness (EOT) ofthe films were obtained ftom C-V curves, resulting in values between 2,9nm and 15,7nm. SiOxNygate insulators with EOT between 2,9nm and 4,3nm have presented gate leakage current densities between 4,5mA/cm² and 50nA/cm²...
... (slope) na região de sub-limiar entre 7OmV/dec e 15OmV/dec foram obtidas nos nMOSFETs. Nos capacitores MOS foram feitas medidas de capacitância x tensão (C-V) (espessura) e de corrente x tensão (corrente de fuga). Através das curvas C-v foram obtidas espessuras equivalentes (EOT) entre 2,9nm e 15,7nm. Os filmes de oxinitreto com EOT entre 2,9 cm 4,3 cm apresentaram densidades de corrente de fuga entre 4,5mA/cm² e 50nA/cm²...
...ent transistors with MIS structure, this films should present equivalent oxide thickness (EOT) smaller than to 5 nm, Si-O and Si-N bonds, which confirm the formation the SiOxNy, and gate leakage current densities smaller than 10A/cm2...
...uais transistores com estrutura MIS, os filmes finos deverão apresentar espessuras equivalentes de óxido menores que 5 nm, ligações Si-O e Si-N que confirmam a formação do SiOxNy e densidade de corrente de fuga menores que 10A/cm2...
...This paper presents results obtained after research, aiming at the utilisation of the leakage current to indicate the degradation of polymeric material of distribution line spacer and covered cables located in agressive enviroment. Tests were performed at the laboratory in order to investigate the behavior of the leakage current as function of the stage of degradation of polymeric material. The results showed tha...
...Este trabalho apresenta os resultados obtidos em uma pesquisa, visando utilizar a corrente de fuga como parâmetro indicativo do estado de degradação de materiais poliméricos de rede compacta de média tensão, instalados em ambientes agressivos. Testes foram realizados em laboratório de modo a investigar o comportamento da corrente de fuga com o estado de degradação do material polimérico. Os resultados mostram que a corrente de fuga pode fornecer informações valiosas sobre a degradação. Uma anális...
...degradation. In order to represent 20 years of the field device, 3 months of immersion test/aging in water with sodium chloride at a temperature of 90 degrees will be performed. The evaluation will be through periodic measurements of the leakage current and residual voltage. Another objective is to describe the silicone housing used in surge arresters for classifying the degree of hydrophobicity...
...loreto de sódio à temperatura de 90 °C, visando representar 20 anos de aplicação do dispositivo em campo. A avaliação do desempenho elétrico é realizada através de medições periódicas da corrente de fuga e da tensão residual, enquanto a avaliação físico-química é obtida através da qualificação do invólucro de silicone utilizado nos para-raios por meio da classificação do grau de hidrofobicidade...
...S capacitors with these films were fabricated and dielectric constant values varying from 40 to 1,0 were obtained. However, until now, these materials have presented appreciable leakage current values, which were, minimize by orders of magnitude with the addition of a thin SiO2 or SiOxNy (optimized in this module) layer at the interface were utilized. This thin layer also resulted in a significant improvement of ...
...do alvo de Ti. Foram fabricados capacitores MOS com estes filmes e obteve-se valores de constante dielétrica que variaram de 40,160. Porém esses materiais ainda apresentavam valores apreciáveis de corrente de fuga que foram minimizadas em ordens de grandeza quando utilizados dielétricos de dupla camada com SiO2 ou SiOxNy (otimizado neste módulo) na interface, além de se observar uma melhora significativa da qualidade de interface. Utilizando dupla camada dielétrica com filmes de SiOxNy e SiO2, ainda espe...
...d CeO2 were obtained by the Tape Casting process and the dielectric, non-ohmic and resistive memories were evaluated. From all investigated systems, the one which reduces the leakage current with symmetric hystereses was the 8 mol% in La. For this study, the nanoparticles used for the production of the slip were synthesized by the HAM at 1,0°C for 8 minutes, using KOH mineralizer. The suspension was made in an a...
...pelo processo de Tape Casting e suas propriedades dielétricas, não ôhmicas e resistivas avaliadas. Dentre as composições estudadas, o sistema com 8 mol% em La mostrou-se mais eficaz em reduzir a corrente de fuga com histerese mais simétrica. Para este estudo, as nanoparticulas utilizadas para a produção da barbotina foram sintetizadas pelo método HAM, a 1,0°C por 8 minutos, utilizando o mineralizador KOH. A barbotina foi feita em solvente aquoso, necessitando de ótimo controle das condições ...
...gy meter, customer connections, secondary feeder, distribution transformer, primary feeder, distribution substation, high voltage system and another segment that represents other technical losses. The latter comprises losses in equipment such as capacitors and voltage regulators as well as losses in electric connections, isolators, etc. A computational system was developed and it comprises two modules. The first ...
... de distribuição, sistema de alta tensão e outros. Neste último segmento, foram incorporadas as parcelas referentes a equipamentos (capacitores, reguladores de tensão, etc), perdas em conexões, corrente de fuga em isoladores, etc. Desenvolveu-se um sistema computacional, para uso em microcomputador, que conta com dois módulos principais. O primeiro módulo destina-se ao cálculo das perdas técnicas em redes específicas. O cálculo é feito de forma hierárquica, por exemplo, selecionada uma subestaçã...
...osited over pre processed diodes samples, supplied by AEGIS Semicondutores Ltda, in the best process conditions obtained in the previous experiments. The behavior of the leakage current and the breakdown voltage were analyzed. The histograms of the breakdown voltage data showed that decreasing the pre oxidation time of the SIPOS-Si interface, the leakage current through the SIPOS films decreases. The power diodes...
... SIPOS foram depositados sobre diodos de potência pré processados fornecidos pela AEGIS Semicondutores Ltda. Estes diodos foram então caracterizados quanto a sua tensão de ruptura reversa e a sua corrente de fuga reversa. Os histogramas dos dados experimentais mostraram que diminuindo-se o tempo para a formação de uma camada de pré-oxidação entre a interface SIPOS-Si, temos uma diminuição da corrente reversa que flui pelo filme SIPOS. Os diodos de potência fornecidos pela Aegis Semicondutores...
...ior. Switch electric field r E and nonlinear coefficient a increased while leakage current f I diminished function of sintering time. These facts were related of oxygen desorption and as a consequence the grain and grain boundary resistivity decreased. The origin of dielectric behavior was discussed based on relaxation process amount, obtained 3 processes: space charge in grain boundary (low frequency), space cha...
...ão com a formação de precipitados ou fase secundária dentro do limite das técnicas. A diminuição do campo elétrico de ruptura r E e do coeficiente de não linearidade a , além do aumento da corrente de fuga f I , exibiram a degradação da propriedade não-ôhmica com o aumento do tempo de sinterização que foram relatados a dessorção de oxigênio. Como consequência, as resistências do grão e do contorno de grão diminuíram, assim como a quantidade de cargas no contorno de grão. Para verificar...
...HSPICE, 20,9; KIME, 19,8) and applying Monte Carlo analysis. The effect of total ionization dose is analyzed through the modeling of threshold voltage shifts and leakage currents. The case study processes of this work do not use any special fabrication steps to make the circuit tolerant to radiation. The behavior of the cell related to write propagation time, read noise margin and energy consumption is evaluated ...
...IME, 19,8) e com a análise de Monte Carlo, o seu comportamento com relação à dose de ionização total (Total Ionization Dose, TID), a qual altera a tensão de limiar (threshold voltage, Vth) e a corrente de fuga. não sendo utilizada nenhuma técnica de fabricação especial para tolerância à radiação. Na simulação foi observado o comportamento da célula com relação ao tempo de atraso de escrita, à margem de ruído de leitura e ao consumo de energia. As simulações incluem as tecnologias de 1,0n...
...ffect Transistor) and heterojunction bip lar transistors (HBT), respectively. The passivation process aims the maximum reduction of semiconductor surface state density at levels lower than 10,2 states/cm2. The high surface state density on GaAs surface produces current leakage in active regions of MESFET and HBT transistors, reducing the device performance. Furthermore, the MISFET device formation on GaAs substra...
...rocesso de passivação visa à máxima redução da densidade de estados de superfícies semicondutoras para níveis menores que 10,2 cm-2. A alta densidade de estados na superfície do GaAs provoca corrente de fuga nas regiões ativas dos transistores MESFET e HBT, reduzindo o desempenho destes dispositivos. Além disso, impossibilita a formação de dispositivos MISFET sobre os substratos de GaAs, devido à alta densidade de estados na região da interface isolante-semicondutor. Para o estudo da passivação...
...ge current. The parameters of the potential barrier formed at grain boundary region were calculated after analysis of the curves ln(J/T²) vs E1,2 obtained by the V vs I measurements as a function of temperature. The films showed nonlinear coefficient (α)......
...E1,2, e caracterização em corrente alternada (espectroscopia de impedância). A partir das curvas V vs I foi possível obter valores do coeficiente de não-linearidade, campo elétrico de ruptura e corrente de fuga. Os parâmetros da barreira de potencial formada......
...ain voltage required to trigger the writing datum '1' decreased favoring the programming the cell. However the retention time is harmed (becomes smaller) due to the increment of leakage current in the PN junction. Analyzing the impact of the first and second gate on sense margin current and retention time, it was verified that depending on the voltage applied to the gate during the hold condition, the retention t...
...o mínima de dreno necessária para disparar a escrita do dado 1 diminuiu favorecendo a programação da célula. Porém o tempo de retenção é prejudicado (torna-se menor) por causa do aumento da corrente de fuga na junção PN. Na análise sobre o impacto que a primeira e a segunda porta causam na margem de sensibilidade de corrente e no tempo de retenção, verificou-se que dependendo da tensão aplicada à porta durante a condição de armazenamento do dado, o tempo de retenção pode ser limitado...
...was built on a borosilicate glass substrate, with a 'Al IND. 2''O IND. 3' layer on top of a GaAs layer. The contacts of source, drain and gate were done using In. This structure allows evaluating the leak current and other characteristics of this system. In this device, it was evaluated the current - voltage characteristics and the interaction with light, because GaAs, due to its direct bandgap, bec...
...ob um substrato de vidro borossilicato com uma camada de GaAs e outra de 'Al IND. 2''O IND. 3'. Os contatos de fonte, dreno e gate foram feitos de In. Essa estrutura permite a medida da corrente de fuga e a avaliação de outras características do sistema. Neste dispositivo foram avaliadas as características corrente-voltagem em função da temperatura, e também a interação com luz, já que GaAs, por apresentar gap direto, torna-se atraente para aplicações opto-eletrônicas. Assim medidas d...
...module, which was carried out over two consecutive years; Year 1 (20,2, N = 2,8) and Year 2 (20,3, N = 2,1). The animals consisted of two groups: i) Group 1 averaging 237,29 ± 22,30 d of age and 280,09 ± 29,05 kg of BW (n = 1,1) in yr 1, and 276,33 ± 12,24 d of age and 299,26 ± 30,09 kg of BW (n = 1,3) in yr 2 and; ii) Group 2 averaging 324,57 ± 32,20 d of age and 318,68 ± 36,07 kg of BW (n = 1,7) in yr 1, ...
...ilmes de PZT com Nióbio foi realizada visando obter valores ótimos nas propriedades ferroelétricas para a aplicação destes filmes como memórias ferroelétricas. Todavia, problemas como imprint, corrente de fuga e fadiga na polarização, estão presentes nos dispositivos de memórias contendo filmes de PZT sobre substratos platinizados. Para tentar resolver estes problemas, estudamos a produção de eletrodos de LaNiO3 depositados sobre substratos de SiO2/Si, para substituição dos substratos com eletrod...
...lar shapes defined onto the silicon surfaces. It was shown that pyrogenic and conventional oxidation at 8,0 ºC allows one to obtain gate oxides on 1,0nm-stepped silicon surfaces with low leakage current and high dielectric breakdown field. This behavior can be understood as highly conformal gate oxides over silicon steps with height of 1,0 nm. The impact of this result is now the feasibility of implementing gate...
...graus verticais dos perfis retangulares. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 8,0 ºC permite obter óxidos de porta sobre degraus com altura de 1,0nm com baixa corrente de fuga e alto campo de ruptura. Esse comportamento pode ser interpretado como óxidos de porta perfeitamente amoldados sobre os degraus de 1,0nm de altura. O impacto deste resultado é agora a possibilidade de implementar óxidos de porta para transistores de porta envolvente e FinFETs....
...merous studies have been conducted in order to identify appropriate methodologies to specific breeds and traits, which will result in more accurate GEBVs. The aim of this study was to compare the prediction accuracy of GEBVs and the ability to identify genomic regions and genes related to average weight daily gain in Nelore cattle, by applying different regression models and genotypes densities datasets. Genomic ...
...ilmes de PZT com Nióbio foi realizada visando obter valores ótimos nas propriedades ferroelétricas para a aplicação destes filmes como memórias ferroelétricas. Todavia, problemas como imprint, corrente de fuga e fadiga na polarização, estão presentes nos dispositivos de memórias contendo filmes de PZT sobre substratos platinizados. Para tentar resolver estes problemas, estudamos a produção de eletrodos de LaNiO3 depositados sobre substratos de SiO2/Si, para substituição dos substratos com eletrod...
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