The active region or active volume is where the radial electric field will fall to the breakdown electric field of the gas.
A região ativa ou volume ativo é onde o campo elétrico radial cairá para o campo elétrico de ruptura do gás.
The active region or active volume is where the radial electric field will fall to the breakdown electric field of the gas.
A região ativa ou volume ativo é onde o campo elétrico radial cairá para o campo elétrico de ruptura do gás.
The visible portion of a true corona discharge or corona plasma occurs in the region within a critical radius radiating from the sharp point or wire; wherein the electric field that is created is equal to, or greater than, the breakdown electric field of the medium (for example, a gas or a liquid) surrounding the sharp point or electrode.
A parte visível de uma verdadeira descarga corona ou plasma de corona ocorre na região dentro de um raio crítico sendo irradiado da ponta aguda ou fio; em que o campo elétrico que é criado é igual ou maior do que o campo elétrico de ruptura do meio (por exemplo, um gás ou líquido) circundando a ponta aguda ou eletrodo.
The breakdown electric field at standard pressures and temperatures for dry air is about 3MV/m or about 30kV/cm.
O campo elétrico de ruptura sob pressões e temperaturas convencionais para ar seco é de cerca de 3MV/m ou cerca de 30kV/cm.
The visible portion of a true corona discharge or corona plasma occurs in the region within a critical radius radiating from the sharp point or wire; wherein the electric field that is created is equal to, or greater than, the breakdown electric field of the medium (for example, a gas or a liquid) surrounding the sharp point or electrode.
A parte visível de uma verdadeira descarga corona ou plasma de corona ocorre na região dentro de um raio crítico sendo irradiado da ponta aguda ou fio; em que o campo elétrico que é criado é igual ou maior do que o campo elétrico de ruptura do meio (por exemplo, um gás ou líquido) circundando a ponta aguda ou eletrodo.
...ults showed that with a deposition pressure of 0,160 mbar and a RF power density lower than 1,5 W/cm2 it is possible to obtain interface state density (Dit) values of 4,1010 eV-1.cm-2, Electrical Breakdown (Ebd) of 13 MV/cm, comparable with the obtained for thermally grown SiO2 , and an effective charge density (Nss) of 4,1011 cm-2. According with experimental results this Nss value is the minimum attainable with our chemi...
...s resultados mostraram que com uma pressão de deposição de 0,160 mbar e potências menores que 1,5 W/cm2 é possível obter um valor de densidade de estados de interface (Dit) de 4,1010 eV-1.cm-2, campo elétrico de ruptura (Ebd) de 13 MV/cm, valores comparáveis ao SiO2 térmico e uma densidade de carga efetiva (Nss) de 4,1011 cm-2. Segundo resultados experimentais esse valor de Nss é o mínimo possível que se pode atingir com a limpeza química utilizada em nosso laboratório. Pode-se dizer que estes são resultad...
...nlinearity, breakdown voltage and leakage current. The parameters of the potential barrier formed at grain boundary region were calculated after analysis of the curves ln(J/T²) vs E1,2 obtained by the V vs I measurements as a function of temperature. The films showed nonlinear coefficient (α)......
...a) e das curvas ln(J/T²) vs E1,2, e caracterização em corrente alternada (espectroscopia de impedância). A partir das curvas V vs I foi possível obter valores do coeficiente de não-linearidade, campo elétrico de ruptura e corrente de fuga. Os parâmetros da barreira de potencial formada......
...easurements showed that secondary phase or precipitated has no relation with electrical behavior. Switch electric field r E and nonlinear coefficient a increased while leakage current f I diminished function of sintering time. These facts were related of oxygen desorption and as a consequence the grain and grain boundary resistivity decreased. The origin of dielectric behavior was discussed based on relaxation process amou...
...scopia eletrônica de varredura (MEV) mostraram que as medidas elétricas não possuem relação com a formação de precipitados ou fase secundária dentro do limite das técnicas. A diminuição do campo elétrico de ruptura r E e do coeficiente de não linearidade a , além do aumento da corrente de fuga f I , exibiram a degradação da propriedade não-ôhmica com o aumento do tempo de sinterização que foram relatados a dessorção de oxigênio. Como consequência, as resistências do grão e do contorno de grão d...
... 10,0 °C during 30 min. As a result, besides no boron segregation to Si, the interface states density was low (< 1,10'POT.11' eV-¹cm-²) and the breakdown field of the gate oxides increased (from 14 MV/cm to 21 MV/cm) by increasing the nitrogen doses (from 1,10'POT.13' to 5,10'POT.15' at/cm²). Although a larger dispersion and increasing of the flat-band voltage have occurred as the nitrogen dose was increased, values of...
...o seguido por difusão a 10,0 °C por 30 min. Os resultados indicaram segregação do boro desprezível para o Si, baixa densidade de estados de interface (< 1,10'POT.11' eV-¹ cm-²) e no aumento do campo elétrico de ruptura (de 14 MV/cm para 21 MV/cm) com o aumento da dose de nitrogênio (de 1,10'POT.13' a 5,10'POT.15' at/cm²). Embora ocorresse uma maior dispersão e um aumento desfavorável da tensão de banda plana com o aumento da dose de nitrogênio, os valores 1,10'POT.15' e 5,10'POT.15' at.cm-² resultaram em c...
...capacitance and current vs. voltage measurements, from where the interface state density (Dit), the effective charge density (Nss), the dielectric constant (k) and the film electrical breakdown field (Ebd) were extracted. The results showed a dielectric constant varying linearly as a function of the films nitrogen concentration, going from a value of 3,9, corresponding to stoichiometric silicon dioxide (SiO2) to a value of...
...oram caracterizados por medidas de capacitância e corrente em função da tensão, de onde foram extraídas a densidade de estados de interface, a densidade de carga efetiva, constante dielétrica e campo elétrico de ruptura dos filmes. Os resultados mostraram uma variação linear da constante dielétrica do filme em função da concentração de nitrogênio, indo do valor de 3,9, correspondente ao dióxido de silício estequiométrico (SiO2) à 7,2 correspondente ao nitreto de silício estequiométrico (Si3,4). Tamb...
...l characteristics of the systems as well as to determine the voltage per barrier of these systems the results indicate that the nonlinear coefficient and the breakdown electric field increased as the concentration of MnO2 concentration increased. The composition SnO2,0.25%CoO+0,75%MnO2,0.05%Ta2,5 presented the optimum behavior varistor and had been doped with the rare earths oxides La2,3, Nd2,3 and Gd2,3. The rare earths o...
...etrônica de Varredura foi aplicada avaliar as características microestruturais dos sistemas. Os resultados obtidos para as propriedades varistoras mostraram que o coeficiente de nãolinearidade e o campo elétrico de ruptura aumentam com o aumento da concentração de MnO2, tendo a composição SnO2,0,25%CoO+0,75%MnO2,0,05%Ta2,5 apresentado o melhor comportamento varistor. Esse sistema foi dopado com La2,3, Nd2,3 e Gd2,3 para analisar o efeito da adição destes óxidos no comportamento varistor. A introdução desses ...
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