The films were deposited by the technique of Molecular Beam Epitaxy (MBE) and characterized by optical spectroscopy and ellipsometry.
Os filmes foram depositados pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) e caracterizados através de espectroscopia ótica e elipsometria.
In our study, a DWELL sample, in which InAs QDs are confined in InGaAs wells, was grown on a GaAs substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE) and was analyzed by photoluminescence (PL) measurements.
Em nosso estudo, as amostras DWELL, em que os pontos de InAs são confinados em poços de InGaAs, foram crescidas sobre um substrato de GaAs por epitaxia de feixe molecular (MBE) e analisadas a partir de medidas de fotoluminiscência (PL).
in this module the techniques of hot wall epitaxy (HWE) and Molecular Beam Epitaxy (MBE) on thin films of CdTe (cadmium telluride) were used in order to manufacture a prototype solar cell type Schottky barrier.
neste módulo utilizou-se as técnicas de epitaxia por paredes quentes (HWE) e epitaxia por feixe molecular (MBE) na fabricação de filmes finos de CdTe (telureto de cádmio) com o objetivo de fabricar um protótipo de célula solar tipo barreira Schottky.
The samples were obtained by Molecular Beam Epitaxy technique (MBE) and characterized by high resolution X-ray diffraction.
As amostras foram obtidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) e caracterizadas por difração de raios-X de alta resolução.
The samples were grown by Molecular Beam Epitaxy and characterized by atomic force microscopy, x-rays diffraction and high-resolution transmission electron microscopy.
As amostras foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular e caracterizadas pelas técnicas de microscopia de força atômica, difração de raios X e microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução.
The structures are fabricated by overgrowth of a nanohole template using Molecular Beam Epitaxy.
As estruturas são fabricadas através do crescimento sobreposto de um modelo de nano orifícios usando epitaxia de feixe molecular.
This study investigated InAs large quantum dot on GaAs substrate grown by the techique of Molecular Beam Epitaxy (MBE).
neste módulo investigamos pontos quânticos de InAs sobre um substrato de GaAs crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy).
Gallium is known to be a useful n-type dopant for ZnSe, particularly for Molecular Beam Epitaxy (BEM).
Gálio é conhecido como um bom dopante do tipo n para ZnSe, particularmente para epitaxia por feixes moleculares (MBE).
Until now, the 'GA IND.1-x'MN IND. XN' films with ferromagnetic properties described in the literature were prepared by Molecular Beam Epitaxy (MBE).
Até o presente, os filmes de 'GA IND.1-x'MN IND. XN' com propriedades ferromagnéticas relatados na literatura foram preparados por epitaxia por feixe molecular (MBE).
Thin films of Ga1-xMnxN have great interest in its potential for control of electron spin (spintronics), in most cases this material is synthesized by techniques that have a high degree of control the deposition parameters, such as Molecular Beam Epitaxy (MBE) and deposition of metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).
Os filmes finos de Ga1-xMnxN apresentam grande interesse por sua potencial aplicabilidade com controle de spin eletrônico (spintrônica), na maior parte das vezes esse material é sintetizado por técnicas que possuem um alto grau de controle nos parâmetros de deposição, tais como a epitaxia por feixe molecular (MBE) e a deposição de vapores químicos de metalorgânicos(MOCVD).
...The present work deals with the growth and characterization of semiconductor nanostructures by Molecular Beam Epitaxy. The results show the production of new nanoestructures as well as the use of compliant substrates for basic studies of growth phenomena. Two diffents methodologies were employed in this module. The first method exploits the use of partly released, relaxed and wrinkled InGaAs membranes as virtual substr...
...O presente trabalho trata do crescimento e caracterização de nanoestruturas semicondutoras crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Os resultados mostram a confecção de novas estruturas, assim como o uso de substratos complacentes em estudos básicos de fenômenos de crescimento. Duas metodologias distintas foram empregadas. A primeira metodologia explora o uso de membranas parcialmente relaxadas como substratos virtuais para deposição de InAs. A amostra usada como substrato exibe diferentes par...
...In the present thesis we investigate the emergence of three- dimensional self-assembled structures in surfaces grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). Kinetic Monte Carlo simulations were used to the modelling of two speci c cases of these morphologies: mound formation and nucleation of 3d nanometric islands called of quantum dots (QDs). The main process of the models proposed in this thesis is the thermally activated s...
...Nesta obra estudamos o surgimento de estruturas tridimensionais auto-arranjadas em superfícies crescidas por epitaxia por feixe molecular (MBE). Foram utilizadas simulações de Monte Carlo cinético para a descrição de dois casos específicos dessas morfologias: formação de morros e de nucleação de ilhas 3d de escalas nanométricas conhecidas como pontos quânticos (QDs). Os modelos propostos nessa obra possuem como principal processo a difusão super cial termicamente ativada. O principal ingrediente do noss...
...D. xAs' an interesting candidate to the production of devices with effective spin control. The growth of ferromagnetic 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' films is generally achieved using Molecular Beam Epitaxy. in this module nanocrystalline 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' films (0,000 ≤ x ≤ 0,081) were produced alternatively by RF magnetron sputtering. The films were deposited using a monocrys...
...rnando o 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' um candidato interessante para a produção de dispositivos com efetivo controle de spin (spintrônica). Atualmente, a produção de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' ferromagnético é em sua maioria feita através da técnica de MBE. neste módulo foram produzidos e analisados filmes nanocristalinos de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' com diferentes concentrações de Mn (0,000 ≤ x ≤ 0,081) obtidos através da técnica de RF magnetron sputteri...
... its desirable characteristics for such aplications as the value of energy bandgap of 3,4 eV, high thermal conductivity and high hardness. Conventional techniques for producing GaN thin films are the Molecular Beam Epitaxy (MBE) and chemical vapor deposition of metalorganinc precursors (MOVPE), nevertheless these are high techniques. This work brings into focus the preparation and characterization of polycrystalline Ga...
... apresenta características desejáveis para tais aplicações, como valor de energia de bandgap de 3,4 eV, alta condutividade térmica e alta dureza. As técnicas convencionais para a produção de filmes finos de GaN são a epitaxia por feixe molecular (MBE) e deposição de vapor químico de precursores metalorgânicos (MOVPE), porém tais técnicas possuem um elevado custo. Este trabalho discorre sobre a preparação e caracterização de filmes policristalinos de GaN pela técnica alternativa de RF magnetron spu...
...ience and technology due to the unique properties presented by the matter at the nanometer scale. This dissertation had as the main goal the construction of a system for epitaxial growth based on the Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique. First of all, basic aspects about the physics and the technology involved in a MBE system were analyzed. What is MBE and what are the principles that govern its operation are intrigu...
...na escala nanométrica. Esta obra teve como objetivo principal a construção de um sistema de crescimento epitaxial baseado na técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, do inglês Molecular Beam Epitaxy). Inicialmente, aspectos básicos sobre a física e a tecnologia envolvidas em um sistema de MBE foram analisados. O que é MBE e quais são os princípios que governam seu funcionamento são perguntas intrigantes a um aluno do curso de engenharia elétrica. No decorrer do trabalho, todo o complexo sistema vácu...
...cation in dilute magnetic semiconductor (DMS) by incorporation of ions like Mn. However, the preparation of these samples is very complicated and has been achieved only in the past few years by using Molecular Beam Epitaxy and Metal Organic Chemical Vapor Deposition, which are very expensive techniques and require special condition like high temperature of growth. One alternative route is to use growth techniques like ...
...ncorporação de íons como o Manganês (Mn). No entanto, a preparação destes tipos de amostras tem sido conseguida nos últimos anos usando epitaxia por feixe molecular (Molecular Beam Epitaxy, MBE) e Deposição de Vapor Químico com precursoresMetalorgânicos (Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), que são técnicas de crescimento muito caras e necessitam de condições especiais de substrato, tal como alta temperatura de crescimento. Uma alternativa é a utilização de técnicas de crescimento como ...
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