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Resultados da busca para "Memória de Mudança de Fase"


a) Traduções Técnicas português para inglês

(Substantivo)

Sigla em inglês PCM (Phase Change Memory)

   
Frases traduzidas contendo "Memória de Mudança de Fase"

The system memory 7,6 may include various types of memory units, such as read-only memory (ROM), random-access memory (RAM), dynamic RAM (DRAM), Double-Data-Rate DRAM (DDRAM), synchronous DRAM (SDRAM), static RAM (SRAM), programmable ROM (PROM), erasable programmable ROM (EPROM), electrically erasable programmable ROM (EEPROM), flash memory, polymer memory such as ferroelectric polymer memory, ovonic memory, phase change or ferroelectric memory, silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory, magnetic or optical cards, or any other type of media suitable for storing information.

A memória do sistema 7,6 pode incluir vários tipos de unidades de memória, como a memória somente para leitura (ROM), a memória de acesso aleatório (RAM), a RAM dinâmica (DRAM), a DRAM de taxa de transferência dupla (DDRAM), a DRAM síncrona (SDRAM), a RAM estática (SRAM), a ROM programável (PROM), a ROM programável apagável (EPROM), a ROM programável eletricamente apagável (EEPROM), a memória flash, a memória polimérica, tal como a memória polimérica ferroelétrica, a memória ovônica, a Memória de Mudança de Fase ou ferroelétrica, a memória de óxido de silício-nitreto-óxido-silício (SONOS), cartões magnéticos ou ópticos ou qualquer outro tipo de meio adequado para o armazenamento de informações.

For example, memory 5,4 may include read-only memory (ROM), random-access memory (RAM), dynamic RAM (DRAM), Double-Data-Rate DRAM (DDRAM), synchronous DRAM (SDRAM), static RAM (SRAM), programmable ROM (PROM), erasable programmable ROM (EPROM), electrically erasable programmable ROM (EEPROM), flash memory, polymer memory such as ferroelectric polymer memory, ovonic memory, phase change or ferroelectric memory, silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory, magnetic or optical cards, or any other type of media suitable for storing information.

Por exemplo, a memória 5,4 pode incluir a memória somente para leitura (ROM), a memória de acesso aleatório (RAM), a RAM dinâmica (DRAM), a DRAM de taxa de transferência dupla (DDRAM), a DRAM síncrona (SDRAM), a RAM estática (SRAM), a ROM programável (PROM), a ROM programável apagável (EPROM), a ROM programável eletricamente apagável (EEPROM), a memória flash, a memória polimérica, tal como a memória polimérica ferroelétrica, a memória ovônica, a Memória de Mudança de Fase ou ferroelétrica, a memória de óxido de silício-nitreto-óxido-silício (SONOS), cartões magnéticos ou ópticos ou qualquer outro tipo de meio adequado para o armazenamento de informações.

For example, the memory 12,0 may include read-only memory (ROM), random-access memory (RAM), dynamic RAM (DRAM), Double-Data-Rate DRAM (DDRAM), synchronous DRAM (SDRAM), static RAM (SRAM), programmable ROM (PROM), erasable programmable ROM (EPROM), electrically erasable programmable ROM (EEPROM), flash memory, polymer memory such as ferroelectric polymer memory, ovonic memory, phase change or ferroelectric memory, silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory, magnetic or optical cards, or any other type of media suitable for storing information.

Por exemplo, a memória 12,0 pode incluir a memória somente para leitura (ROM), a memória de acesso aleatório (RAM), a RAM dinâmica (DRAM), a DRAM de taxa de transferência dupla (DDRAM), a DRAM síncrona (SDRAM), a RAM estática (SRAM), a ROM programável (PROM), a ROM programável apagável (EPROM), a ROM programável eletricamente apagável (EEPROM), a memória flash, a memória polimérica, tal como a memória polimérica ferroelétrica, a memória ovônica, a Memória de Mudança de Fase ou ferroelétrica, a memória de óxido de silício-nitreto-óxido-silício (SONOS), cartões magnéticos ou ópticos ou qualquer outro tipo de meio adequado para o armazenamento de informações.

For example, the memory 12,0 may include read-only memory (ROM), random-access memory (RAM), dynamic RAM (DRAM), Double-Data-Rate DRAM (DDRAM), synchronous DRAM (SDRAM), static RAM (SRAM), programmable ROM (PROM), erasable programmable ROM (EPROM), electrically erasable programmable ROM (EEPROM), flash memory, polymer memory such as ferroelectric polymer memory, ovonic memory, phase change or ferroelectric memory, silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory, magnetic or optical cards, or any other type of media suitable for storing information.

Por exemplo, a memória 12,0 pode incluir a memória somente para leitura (ROM), a memória de acesso aleatório (RAM), a RAM dinâmica (DRAM), a DRAM de taxa de transferência dupla (DDRAM), a DRAM síncrona (SDRAM), a RAM estática (SRAM), a ROM programável (PROM), a ROM programável apagável (EPROM), a ROM programável eletricamente apagável (EEPROM), a memória flash, a memória polimérica, tal como a memória polimérica ferroelétrica, a memória ovônica, a Memória de Mudança de Fase ou ferroelétrica, a memória de óxido de silício-nitreto-óxido-silício (SONOS), cartões magnéticos ou ópticos ou qualquer outro tipo de meio adequado para o armazenamento de informações.



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