Tensão elétrica aplicada a um eletrodo de um componente eletrônico com o objetivo de estabelecer condições próprias de operação.
Meaning
The voltage applied to an electrode of an electronic component to establish suitable working conditions. (http://free.prohosting....)
Exemplos de tradução
Curves are obtained as a function of various structural parameters and of the biasing magnetic field applied along the three directions of the cartesian coordinate system.
Curvas são obtidas em função de vários parâmetros estruturais e do campo magnético estático externo de polarização aplicado segundo as três orientações do sistema de coordenadas cartesianas.
The applicator of either Claim 2 or Claim 3, further comprising a third biasing means connected between the body and the trigger member, the third biasing means biasing the trigger member into a rest position.
Aplicador, de acordo com a reivindicação 2 ou 3, caracterizado por adicionalmente compreender um terceiro meio de propensão conectado entre o corpo e o membro de gatilho, o terceiro meio de propensão propendendo o membro de gatilho para uma posição de repouso.
Then, to investigate the adsorption of the peptide to the bilayer, MD simulations using Adaptive biasing Force (ABF) method was performed, which allowed us to calculate the free energy profile of this process.
Em seguida, para investigarmos especificamente o processo de adsorção do peptídeo à bicamada, realizamos simulações de DM com a utilização do método Adaptive Biasing Force (ABF), o que nos permitiu calcular o perfil de energia livre desse processo.
Evolutionary constraints played a major role in species skull diversification, biasing evolutionary responses towards the direction of size.
Restrições evolutivas atuaram na diversificação do crânio das espécies, defletindo as respostas evolutivas para tamanho.
Curves are obtained as a function of various structural parameters and of the biasing magnetic field applied along the three directions of the cartesian coordinate system.
Curvas são obtidas em função de vários parâmetros estruturais e do campo magnético estático externo de polarização aplicado segundo as três orientações do sistema de coordenadas cartesianas.
Preferably, the applicator further comprises a third biasing means connected between the body and the trigger member, the third biasing means biasing the trigger member into a rest position.
Preferencialmente, o aplicador adicionalmente compreende um terceiro meio de propensão conectado entre o corpo e o membro de gatilho, o terceiro meio de propensão propendendo o membro de gatilho para uma posição de repouso.
The proposed TLMs allow the experimental verification of fundamental concepts in VLSI design, such as: NMOS and PMOS transistors biasing. CMOS inverters, transfer curves of a CMOS inverter, implementation of various static and dynamic CMOS logic using the pass-transistor or transmission gates (NAND, NOR, AND, OR, XOR, XNOR, MUX, DECODER, Half ADDERs and Full ADDERs), Latches, flip-flops and memory cells (RAM and ROM).
As TLMs propostas permitem a verificação experimental de conceitos fundamentais em VLSI Design, tais como: polarização de transistores NMOS e PMOS, inversores CMOS, curvas de transferência do inversor CMOS, implementação de diversas portas lógicas CMOS estática e dinâmica usando transistores de passagem ou portas de transmissão (NAND, NOR, AND, OR, XOR, XNOR, MUX, DECODER, Half ADDERs e Full ADDERs), Latches, Flip-flops e células de memória (RAM e ROM).
Morphological integration determines the standing variation available within a lineage in different directions of the multivariate space of a trait set, and can therefore have important evolutionary consequences, biasing the direction and rate of morphological evolution in certain directions.
A integração morfológica determina a quantidade de variação disponível em diferentes direções do espaço multivariado entre um conjunto de caracteres, e pode assim ter importantes consequências evolutivas, enviesando a direção e a taxa de evolução morfológica em determinadas direções.
Preferably, the applicator further comprises a third biasing means connected between the body and the trigger member, the third biasing means biasing the trigger member into a rest position.
Preferencialmente, o aplicador adicionalmente compreende um terceiro meio de propensão conectado entre o corpo e o membro de gatilho, o terceiro meio de propensão propendendo o membro de gatilho para uma posição de repouso.
The applicator of either Claim 2 or Claim 3, further comprising a third biasing means connected between the body and the trigger member, the third biasing means biasing the trigger member into a rest position.
Aplicador, de acordo com a reivindicação 2 ou 3, caracterizado por adicionalmente compreender um terceiro meio de propensão conectado entre o corpo e o membro de gatilho, o terceiro meio de propensão propendendo o membro de gatilho para uma posição de repouso.
The noise cancellation is achieved by a specific condition of the circuit, requiring an extra biasing current, already included in the total circuit power.
O cancelamento de ruído é obtido através de uma condição específica do circuito, requerendo uma corrente extra de polarização, já inclusa na potência total do circuito.
In the illustrated embodiment, apparatus 1,1 further comprises a first biasing element 1,3 disposed between head 1,9 and an upper surface 1,5 of first member 1,3 and a second biasing element 1,7 disposed between nut 1,1 and a lower surface 1,9 of second member 1,5.
Na concretização ilustrada, o aparelho 1,1 compreende ainda um primeiro elemento de propensão 1,3 disposto entre a cabeça 1,9 e a superfície superior 1,5 do primeiro membro 1,3 e um elemento de propensão 1,7 disposto entre a porca 1,1 e a superfície inferior 1,9 do segundo membro 1,5.
...igin, for example, where both have very low frequency components, their amplitudes are low in magnitude. The main tested parameter in the circuit was the cut-off frequency and its adjustment with the biasing current. Besides, as a test for the circuit capability of processing a signal without distortion, while imposing it a common-mode, it was used a standard from an European norm called CENELEC (Europea...
...de ambos possuem componentes de freqüência bem baixas, as amplitudes são de baixa magnitude. O principal parâmetro testado no circuito foi a freqüência de corte e seu ajuste com a corrente de polarização. Ainda, de forma a testar a capacidade do circuito de processar um sinal sem distorção, impondo um modo comum ao mesmo, foi utilizado o padrão adotado pela norma européia CENELEC (European Committee for Electrotechnical Standardization) para o sinal de ECG. No desenvolvimento foram u...
...tive-free algorithms when applied to certain mathematical problems. The generality of modern optimization methods allow that variations of the same techniques can be used in circuit level (sizing and biasing of circuit components) and in system level (translation of system specifications to block specifications). Therefore, techniques for the creation of a circuit-level and system-level tool are develope...
...áticos. A generalidade dos métodos modernos de otimização permite que variações da mesma técnica sejam utilizadas em nível de circuito (dimensionamento e polarização de componentes do circuito) e de sistema (tradução de especificações de sistema em especificações de blocos). Dessa forma, são propostas técnicas para a criação de uma ferramenta de síntese em nível de sistema e circuito utilizando métodos modernos de otimização. Uma interface através de arquivos texto de entrada ...
...MHz shift from carrier; in which it was observed a 1/f3 slope. It was verified that decreasing the transistor bias current Ids through decreasing its gate bias voltage Vgs reduced phase noise. In the biasing condition for lowest phase noise, values between -84 and -93 dBc/Hz at 1,0 kHz off-set from carrier were measured....
...nação proporcional a 1/f3. Verificou-se que a diminuição da corrente de polarização Ids dos transistores, através da redução de sua tensão de polarização de porta-fonte Vgs, melhorou o ruído de fase. Na condição de polarização de menor ruído de fase, observaram-se valores entre -84 e -93 dBc/Hz a 1,0 kHz da portadora....
...as is a multiple value of the front-gate one, VB=kVG) modes. The working principle of these modes has been studied and the effect of different technologies and current trends were analyzed under such biasing conditions as the presence of the ground plane (ground plane - GP), the scaling of the silicon layer and the absence of a doped extended source and drain region. It was also proposed in this paper th...
... foi estudado e a influência de diferentes tendências e tecnologias atuais foram analisadas nessas condições de polarização como a presença do plano de terra (Ground Plane - GP), o escalamento da camada de silício e a ausência de uma região de extensão de fonte e dreno. Também foi proposto neste módulo o modo kDT inverso, onde a tensão de porta é um múltiplo da tensão de substrato (VG=kVB). O efeito do superacoplamento foi identificado e analisado a partir de diferentes técnicas, como...
...characterizations. The drain current, transconductance, resistance, threshold voltage, subthreshold swing and Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) will be analyzed in the DTMOS mode and the standard biasing configuration. Important figures of merit for the analog performance such as transconductance-over-drain current, output conductance, Early voltage and intrinsic voltage gain will be studied experime...
... transcondutância, a resistência, a tensão de limiar, a inclinação de sublimiar e a Redução da Barreira Induzida pelo Dreno (DIBL) serão analisadas em modo DTMOS e em configuração de polarização convencional. Importantes figuras de mérito para o desempenho analógico como transcondutância-sobre-corrente de dreno, a condutância de saída, a tensão Early e o ganho de tensão intrínseco serão estudados tanto experimentalmente como através de simulações numéricas tridimensionais para ...
...his latter. It is concluded in this analysis that the best bias to retain the datum for longer time is the first interface being in accumulation mode and the second in depletion mode. In the study of biasing the drain during the read operation, it has been observed that the use of high drain voltage provides high sense margin, but at the same time, this polarization affect the data '0' due to high level ...
...Concluiu-se nesta análise que a melhor polarização para reter o dado por mais tempo é a primeira interface estar em modo acumulação e a segunda em modo depleção. No estudo da polarização de dreno durante a operação de leitura, observou-se que quando aplicado alta tensão de dreno é obtido alta margem de sensibilidade, porém ao mesmo tempo esta polarização prejudica o dado 0 devido ao alto nível de geração de lacunas induzidas pela ionização por impacto, o qual diminui o tempo de re...
...to the toroidal sensor and making its response very close to a quadratic function, it is possible to calculate the RMS value of the current directly from the output of the sensor and eliminate the DC biasing magnetic field used in previous literature reported techniques. A new electronic interrogation circuit technique which allows the measurement of AC signals and keeps the DC operation point of the FBG...
...única com projeto mecânico robusto. Aplicando compressão mecânica ao sensor toroidal e fazendo sua resposta ficar muito próxima a uma função quadrática, foi possível calcular o valor RMS da corrente diretamente do sinal de saída do sensor, e com isso, eliminar qualquer polarização magnética DC utilizada em técnicas anteriores reportadas na literatura. Foi utilizada com sucesso, uma nova técnica de circuito eletrônico de interrogação que permite a medida de sinais AC e mantém o ponto ...
...termining a relationship between the high-frequencies noise voltage density and the junction temperature of a highefficiency white LED. the measurements of noise voltage density were performed biasing the LED with currents in the range of 1'mi'A up to 3,6mA and temperatures junction from 24ºC to 1,0ºC. This work, which is exploratory, was motivated by the search for mechanisms that allow ...
...determinação de uma relação entre a densidade de tensão de ruído em altas frequências e a temperatura da junção de um LED branco de alta eficiência. As medições da densidade de tensão de ruído foram realizadas polarizando o LED com correntes na faixa de 1'mi'A até 3,6mA e temperaturas de junção desde 24ºC até 1,0ºC. A realização deste trabalho, que é de cunho exploratório, foi motivada pela busca de mecanismos que permitam a avaliação contínua da temperatura da junçã...
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