The temperature of the wire was also recorded, together with transition time, i.e. the time taken for the polymer to revert back to its original length upon removal of the bias voltage.
A temperatura do fio também foi registrada, junto com o tempo de transição, isto é, o tempo que o polímero leva para voltar ao seu comprimento original após a remoção da tensão de polarização.
Polypropylene samples were subjected to corona treatment in tip-plane geometry system using bias voltage of 5kV between the electrodes.
Submeteram-se amostras de polipropileno ao tratamento corona em sistema com geometria ponta-plano e utilizou-se de tensão de polarização dos eletrodos em 5kV .
The parameter space of the CO 2 laser model with feedback (without delay) presents two types of discontinuities in the period of the associated solutions: a divergence, with the increasing of the bias voltage (B), and a sharp increase with the joint variation of the bias voltage and the feedback gain (r).
O espaço de parâmetros do modelo de laser de CO 2 com realimentação sem atraso apresenta dois tipos de descontinuidade no período das soluções associadas: uma divergência com o aumento da voltagem de bias (B), e um aumento abrupto com a variação conjunta da voltagem de bias e do ganho de realimentação (r).
Subsequently, bias voltage was varied between 5,4 and 14,0 V, where it was observed that the increasing the pulse bias decreased the fluorine concentration in film structure
Posteriormente, a intensidade dos pulsos aplicados foi variada entre 5,4 e 148,1 V, onde verificou-se que o aumento da intensidade dos pulsos resulta na diminuição da incorporação de flúor
...eters on the structural and morphologic properties of NbN thin films. The samples have been produced by reactive magnetron sputtering for different nitrogen partial pressures, substrate temperatures, bias voltages and deposition times. The crystallographic structure, preferred orientations, grain sizes and surface roughness were stablished by XR diffraction and, for some samples, atomic force microscopy. The ...
...módulo estudamos o efeito de alguns parâmetros sobre as propriedades estruturais e morfológicas de filmes finos de NbN. As amostras foram produzidas por magnetron sputtering reativo com diferentes pressões parciais de nitrogênio, temperaturas do substrato, voltagem bias e tempos de deposição. Os resultados mostraram que sem bias aplicado são obtidos filmes finos de NbN na fase cúbica, com ou sem aquecimento do substrato, quando a pressão parcial de N2 na atmosfera reativa está entre 13 e 2...
... measured in the range between 1,0 kHz and 1 MHz shift from carrier; in which it was observed a 1/f3 slope. It was verified that decreasing the transistor bias current Ids through decreasing its gate bias voltage Vgs reduced phase noise. In the biasing condition for lowest phase noise, values between -84 and -93 dBc/Hz at 1,0 kHz off-set from carrier were measured....
... 1,0 kHz e 1 MHz de distância da portadora, observando-se uma inclinação proporcional a 1/f3. Verificou-se que a diminuição da corrente de polarização Ids dos transistores, através da redução de sua tensão de polarização de porta-fonte Vgs, melhorou o ruído de fase. Na condição de polarização de menor ruído de fase, observaram-se valores entre -84 e -93 dBc/Hz a 1,0 kHz da portadora....
...iases (+20 V for nMOS and -20 V for pMOS). However, this conduction occurs at the same time as in the front interface, so it is not possible to separate de effects of each interface. As the substrate bias voltage induces a back gate current, all the parameters are degraded due to this parasitic current. Narrow devices are less affected by VGB and thus its parameters are less degraded, different from wider dev...
... muito altas (VGB = +20 V para nMOS e VGB -20 V para pMOS). Todavia essa condução de corrente na segunda interface ocorre ao mesmo tempo que na primeira interface, impossibilitando fazer a separação dos efeitos de cada interface. A medida que a polarização no substrato faz com que haja uma condução na segunda interface, todos os parâmetros degradam devido a essa condução parasitária. Dispositivos estreitos sofrem menor influência de VGB e, portanto, tem os parâmetros menos degradados, diferent...
...ries of depositions of titanium nitride thin films was conducted in a triode unbalanced magnetron sputtering chamber. Similar parameters were selected during each deposition, except for the substrate bias voltage. which was different for every deposition. An in-situ measurement of film residual stresses was carried out as the depositions proceeded. This measurement was based on substrate curvature, which was ...
...de filmes de Nitreto de Titânio sobre substrato de aço inoxidável. Foi utilizado o processo conhecido como triodo magnetron sputtering. Os parâmetros de deposição foram mantidos entre as deposições, exceto pela voltagem de bias no substrato, que foi variada de uma deposição para outra. Medições in-situ das tensões residuais no filme depositado foram realizadas. As medições foram feitas através do método da curvatura do substrato, utilizando-se um sensor capacitivo posicionado dentro da câm...
...d the ASYLUM MFP-3D BIO system to obtain EFM measurements, in no contact mode with force constant probes k = 2,8 N / m, free oscillation frequency f0 = 75 KHz and tip radius of 20 nm by varying the bias voltage at the tip to determine the (negative) charge nature and varying the distance between the tip and the sample of the commercial monolayer graphene oxide having an oxidation level of 10% to determinate...
...tema ASYLUM MFP-3D BIO para obter medidas de EFM, no modo não contato com sondas de constante de força k = 2,8 N/m, frequência de oscilação livre f0 = 75 KHz e raio da ponta de 20 nm, variando a tensão na ponta, para determinar a natureza carga (negativa) e variando a distância entre a ponta e a amostra do óxido de grafeno monocamada comercial, que tem um nível de oxidação de 10% para determinar a densidade superficial de cargas...
... Temperature Coefficient) in SOI MOSFETs devices, partially (PD-SOI) and fully (FD-SOI) depleted mode. The study is performed from a simple analytical model proposed for the determination of the gate bias voltage at ZTC point (VZTC) using the first-order models of the drain current (IDS) characteristics as a function of the gate voltage (VGF), operating in the linear and saturation regimes. To validate the mo...
...sitivos SOI MOSFETs, funcionando em modo parcialmente (PD-SOI) e totalmente (FD-SOI) depletados. O estudo é realizado a partir de um modelo analítico simples, proposto para determinação da tensão de polarização da porta do transistor no ponto ZTC (VZTC), através dos modelos de primeira ordem das características da corrente de dreno (IDS) em função da tensão aplicada a porta (VGF) do transistor, considerando as regiões de operação linear e de saturação. Para a validação do modelo, os resul...
...es have been deposited on several conditions in order to understand the influence of the process parameters as 'H IND. 2¿ and Ar partial pressures, substrate temperature, RF power and cathode bias voltage. on the electrical and physical properties of the deposited films. So, we have studied the deposition rate, the composition and the electrical conductivity and IR and VIS transmitance. The deposition...
...ica de "RF sputtering", usando um antigo sistema Varian que reconstruímos para este fim. As amostras foram depositadas sob diversas condições a fim de compreendermos a influência dos parâmetros do processo, tais como as pressões parciais de 'H IND. 2¿ e Ar, temperatura do substrato, potência de RF e tensão de polarização do catodo, nas propriedades dos filmes depositados. Assim, estudamos a taxa de deposição, a composição e as propriedades elétricas e ópticas de nosso material, medin...
...d across the slots of the patch resonator. This filter presents a center frequency tuning range of 20 %, varying from 2,9 GHz to 3,5 GHz. The FBW 3dB can be varied from 4 % to 12 %. Two different DC bias voltages ranging from 2,5 V to 22 V are used to tune this filter. The second filter is a tunable triple-mode patch filter using a circular resonator with four slots, across which the varactor diodes are conn...
...filtro apresenta variação de 20 % de frequência central de 2,9 GHz a 3,5 GHz. A banda relativa de 3 dB varia de 4 % a 12 %. Duas tensões de polarização DC diferentes variando de 2,5 V a 22 V são usadas para ajustar este filtro. O segundo filtro é um filtro patch triple-mode sintonizável que utiliza um ressoador circular com quatro fendas radiais, nas quais são conectados os diodos varactor. A frequência central e a largura de banda deste filtro variam simultaneamente. O filtro apresenta 27 % de v...
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