Additionally, the impedance behavior of a SOA-chip (without package) was measured as function of the bias current in wide frequency range, from 3,0 kHz to 40 GHz.
Foi realizado um estudo do comportamento da impedância de um SOA em chip, sem encapsulamento, em função da corrente de polarização e em ampla faixa de frequência .
...d agreement with simulations. Phase noise was measured in the range between 1,0 kHz and 1 MHz shift from carrier; in which it was observed a 1/f3 slope. It was verified that decreasing the transistor bias current Ids through decreasing its gate bias voltage Vgs reduced phase noise. In the biasing condition for lowest phase noise, values between -84 and -93 dBc/Hz at 1,0 kHz off-set from carrier were measured....
...imulações. O ruído de fase foi medido entre 1,0 kHz e 1 MHz de distância da portadora, observando-se uma inclinação proporcional a 1/f3. Verificou-se que a diminuição da corrente de polarização Ids dos transistores, através da redução de sua tensão de polarização de porta-fonte Vgs, melhorou o ruído de fase. Na condição de polarização de menor ruído de fase, observaram-se valores entre -84 e -93 dBc/Hz a 1,0 kHz da portadora....
...vealed three different contributions to the signal: an electroreflectance component due to the surface potencial bending; a photo-generated carriers component, induced by the probe beam itself; and a bias current component, mainly due to Joule effect. By using different arrangements we show six distinct ways to perform thermal -and electroreflectance microscopy in such kind of device, each one presenting a sp...
...o de linhas de corrente. Em regime de altas freqüências observamos efeito capacitivo nas trilhas. Em transistores de efeito de campo MOS observamos três componentes para o sinal: uma componente de eletrorefletância, uma devida aos portadores fotogerados e uma de corrente de polarização. Mostramos seis diferentes formas de fazer microscopia nesses dispositivos, pela modulação da voltagem do dreno ou do gate...
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