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Resultados da busca para "Electron Beam Lithography"


a) Traduções técnicas inglês para português

(Substantivo)

◼ Sinônimos Inglês e-beam lithography;

◼ Sigla em inglês EBL (Electron Beam Lithography)

◼ Sigla em português EBL

Significado

Técnica litográfica baseada em um feixe de elétrons focado. Não há utilização de máscara. A gravação é feita diretamente por meio de varredura com o feixe de elétrons. A resolução obtida é inferior a 100 nm. A litografia por feixe de elétrons (EBL) é frequentemente usada para fabricar máscaras de alta resolução para fotolitografia e litografia por raios-X.

Meaning

An integrated circuit fabrication process in which fine beams of electrons are used to draw extremely high-resolution patterns directly into the resist without the use of a mask. (books.google.com.br - A...)

Exemplos de tradução

...This work presents the development for obtaining silicon nanowires (SiNW) for applications in 3D MOS devices using Focused Ion Beam with gallium ions (GaFIB) and Electron Beam Lithography (EBL) techniques. The complete fabrication process was developed for obtaining junctionless nanowire-based transistors, chosen due to the simplicity of processing and to the absence of short channel and punchthrough effects. Silicon on I...

...neste módulo é apresentado o desenvolvimento do processo de obtenção de nanofios de silício (SiNW) para aplicações em dispositivos MOS tridimensionais utilizando as técnicas de Feixe Íons Focalizados com íons de Gálio (GaFIB) e litografia por feixe de elétrons (EBL). O processo completo de fabricação foi desenvolvido para a obtenção de transistores sem junção baseados em nanofios (junctionless nanowire transistors, JNT), escolhidos devido à facilidade de processamento ¿ comparativamente a outros disp...

   
Frases traduzidas contendo "Electron Beam Lithography"

We produced samples containing specific microcavities (parallelepipeds, hexagonal and cylindrical) which have been microfabricated by Electron Beam Lithography and characterized by scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM) and contact angle measurements.

Produzimos amostras contendo microcavidades específicas (paralelepípedas, hexagonais e cilíndricas) as quais foram microfabricadas por litografia de feixes de elétrons e caracterizadas por Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Microscopia de Força Atômica (AFM), e medidas de ângulo de contato.

...This work presents the development for obtaining silicon nanowires (SiNW) for applications in 3D MOS devices using Focused Ion Beam with gallium ions (GaFIB) and Electron Beam Lithography (EBL) techniques. The complete fabrication process was developed for obtaining junctionless nanowire-based transistors, chosen due to the simplicity of processing and to the absence of short channel and punchthrough effects. Silicon on I...

...neste módulo é apresentado o desenvolvimento do processo de obtenção de nanofios de silício (SiNW) para aplicações em dispositivos MOS tridimensionais utilizando as técnicas de Feixe Íons Focalizados com íons de Gálio (GaFIB) e litografia por feixe de elétrons (EBL). O processo completo de fabricação foi desenvolvido para a obtenção de transistores sem junção baseados em nanofios (junctionless nanowire transistors, JNT), escolhidos devido à facilidade de processamento ¿ comparativamente a outros disp...

...ce between two elements is equal to π, regardless of the wavelength; thus, the hologram operates in a spectral band defined by transmitted bandwidth. The first steps of its fabrication process using Electron Beam Lithography are presented and described....

...de fase entre os elementos é igual a π independente do comprimento de onda. Assim, o holograma pode operar em uma faixa espectral definida pela largura de banda transmitida. É descrito o inicio da fabricação do elemento usando litografia por feixe de elétrons....


 
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