OBS: O termo Wafer costuma ser deixado em inglês, embora exista a tradução. "bolacha" Recomenda-se sugerir a tradução e manter o termo original
Significado
Peça fina e plana de cristal semicondutor usada na fabricação de circuitos integrados. Cada wafer é dividido em dies, através da impressão dos circuitos. Cada die corresponde ao espaço ocupado por um elemento do circuito. Considerando uma ‘bolacha’ de 300mm utilizadas hoje, um único disco pode entregar até bilhões de dies.
Meaning
A thin sheet of semiconductor material made by mechanically sawing it from a single-crystal or multicrystal ingot or casting. (http://216.244.99.132/g...)
"during the semiconductor wafer production process or the LCD production process"
"durante o processo de produção de bolachas (wafers) de semicondutores ou de dispositivos de cristais líquidos"
Significado
folha fina de massa de farinha de trigo, usada para fechar cartas, documentos, etc.
(Adjetivo)
Exemplos de tradução
...f the effects that additives, such as emulsifiers, produce on their physical-chemical properties. This work studies the change to the physical-chemical properties of three commercially used fats (two wafer biscuit filling fats and one sandwich biscuit filling fat) with low contents of trans fatty acids when a constant 3% dosage of emulsifier is added. The emulsifiers used were five versions of saturate...
... aditivos, como os emulsificantes, nas suas características físico-químicas. neste módulo, três gorduras comerciais com baixo conteúdo de ácidos graxos trans (duas para recheio de biscoito tipo wafer e uma para recheio de biscoito tipo sanduíche) foram aditivadas com cinco emulsificantes diferentes, a uma dosagem constante de 3%. Os emulsificantes utilizados foram 5 versões de mono e mono-diglicerídios saturados, que diferiam com relação à matéria-prima usada na sua produção e o teor ...
b) Traduções gerais inglês para português
(Substantivo)
Exemplos de tradução
This dissertation describes a study of surface properties of graphene obtained by chemical vapor deposition (CVD) to evaluate its hydrophobicity and wetting transparency of this material deposited onto several hard substrates, for instance silicon wafer. glass, etc.
Esta obra relata um estudo das propriedades de superfície do grafeno obtido via deposição química na fase vapor (CVD) para avaliação da sua hidrofobicidade e transparência da molhabilidade, quando esse material se encontra depositado em diferentes substratos rígidos, tais como wafer de silício, vidro, entre outros.
(Verbo)
c) Traduções gerais português para inglês
(Substantivo)
Banco de Glossários (traduções não verificadas)
Área
Inglês
Português
Qualidade
Téc/Geral
wafer
Bolacha – fatia fina de silício usada na fabricação de circuitos integrados
Téc/Geral
wafer
pastilha
Téc/Geral
wafer
bolacha ( hóstia é cachet)
Téc/Geral
wafer
pastilha (semicondutores)
Téc/Geral
wafer, envoltório
hóstia
Frases traduzidas contendo "wafer"
in this module, it was studied chemical depositions of CuNixPy alloys and it was fabricated Cu/CuNixPy thermocouples onto silicon wafer surfaces.
neste módulo foram estudadas deposições químicas de ligas CuNixPy e foram fabricados termopares Cu/CuNixPy sobre superfícies de lâminas de silício.
The thick photoresist was chosen to serve as a mask for silicon etching by Deep Reaction Ion Etching (DRIE) through the entire thickness of the silicon wafer.
O fotorresiste espesso foi escolhido para servir de máscara para a corrosão de silício por Corrosão Iônica Reativa Profunda (DRIE) através de toda a espessura da pastilha de silício.
And, if the seal includes a membrane or wafer-type seal, the membrane or wafer-type is punctured or removed, thereby opening the mating connectors (1,3 and 1,5).
To obtain the extremely low doping levels for the fabrication of the JTE, a very thin oxide layer previously grown on the wafer by a LTO acts as a barrier to the boron charge, controlling the net charge that reaches the silicon surface
Para a obtenção de níveis de dopagem extremamente baixos para a fabricação do JTE, uma camada de óxido bem fina é previamente crescida sobre o "wafer", por uma oxidação à baixa temperatura, atuando como uma barreira para a carga de boro, controlando a carga liquida que alcança a superfície do silício
And, if the seal includes a membrane or wafer-type seal, the membrane or wafer-type is punctured or removed, thereby opening the mating connectors (1,3 and 1,5).
In alternate embodiments in which such a membrane or wafer-type seal closes the mating connector (1,5), the seal is opened by puncturing it externally from the bag (1,1) by applying a force on the membrane or wafer in the direction of the internal volume of the bag (1,1), or is opened by pulling it out of the mating connector (1,5) from external to the bag (1,1).
Em concretizações alternativas nas quais tal vedação tipo membrana ou “pastilha” fecha o conector de acoplamento correspondente (1,5), a vedação é aberta perfurando-a pelo exterior do saco (1,1) aplicando-se uma força sobre a membrana ou pastilha na direção do volume interno do saco (1,1), ou é aberta arrancando-a do conector de acoplamento correspondente (1,5) pelo exterior do saco (1,1).
Using the derived equations, we identify the main factors that influence the axial homogeneity ( wafer to wafer) as well as the radial homogeneity (within the wafer) df the deposited filmo Assuming the restrictions: i) there is no radtial temperature gradient, ii) the growth is limited by surface kinetics, and iii) transport is due to a laminar flow in the annular region and gaseous diffusion in the space intra-wafers, an interesting model is sugested to the simulation of the batch type, hot wall, LPCVD reactor, taking into account: (a) the empty inlet tube, (b) the molar expansion of the gas, and (c) the depletion of reactants along the main flow direction.
Assumindo as restrições: (i) não há gradiente radial de temperatura, (ii) o crescimento é limitado por cinética de superfície e (iii) o transporte é realizado por fluxo laminar na região entre as paredes do reator e as lâminas e por difusão gasosa na região entre-lâminas, é sugerido um modelo para simulação de LPCVD, que considera: (a) a região vazia de entrada, (b) a expansão molar do gás e (c) a depleção de reagentes ao longo da direção principal do fluxo.
In alternate embodiments in which such a membrane or wafer-type seal closes the mating connector (1,5), the seal is opened by puncturing it externally from the bag (1,1) by applying a force on the membrane or wafer in the direction of the internal volume of the bag (1,1), or is opened by pulling it out of the mating connector (1,5) from external to the bag (1,1).
Em concretizações alternativas nas quais tal vedação tipo membrana ou “pastilha” fecha o conector de acoplamento correspondente (1,5), a vedação é aberta perfurando-a pelo exterior do saco (1,1) aplicando-se uma força sobre a membrana ou pastilha na direção do volume interno do saco (1,1), ou é aberta arrancando-a do conector de acoplamento correspondente (1,5) pelo exterior do saco (1,1).
A network matching was developed to connect the RF generator to ICP coil and to the electrode of wafer polarization, such as gas flow controllers, manual switches for pneumatic valves, cooling systems and vacuum pipes.
Foram desenvolvidos casadores de impedância para ligação dos geradores de RF à bobina do ICP e do eletrodo de polarização da amostra, controladores de fluxo de gases, chaveadores manuais para válvulas pneumáticas, sistemas de refrigeração e tubulação de vácuo.
This dissertation describes a study of surface properties of graphene obtained by chemical vapor deposition (CVD) to evaluate its hydrophobicity and wetting transparency of this material deposited onto several hard substrates, for instance silicon wafer. glass, etc.
Esta obra relata um estudo das propriedades de superfície do grafeno obtido via deposição química na fase vapor (CVD) para avaliação da sua hidrofobicidade e transparência da molhabilidade, quando esse material se encontra depositado em diferentes substratos rígidos, tais como wafer de silício, vidro, entre outros.
Hafnium aluminates (AlxHf1-xOy) were obtained on (1,0) silicon wafer surfaces by Atomic Layer Deposition (ALD) for different hafnium molar ratios (25, 50 or 75%) and for different treatments (10,0ºC, 60s in N2 or N2+O2 or laser).
Os aluminatos de háfnio (AlxHf1-xOy) foram obtidos sobre p-Si (1,0), através de deposição atômica por camadas (ALD) para diferentes proporções molares de háfnio (25, 50 ou 75%) e para diferentes tratamentos posteriores (10,0ºC, 60s em N2 ou N2+O2 ou laser).
...in this module, it was investigated MOS capacitors fabricated onto periodic rectangular shapes, 1,0 nm in height, obtained by localized plasma etching onto silicon wafer surfaces. 4,5-nm gate oxide growth was performed in ultrapure dry O2 or pyrogenic environments in order to compare the coverage uniformity at the step edges of rectangular shapes defined onto the silicon surfaces. It was shown that pyr...
...neste módulo, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 1,0 nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de O2 ou pirogênico a fim de comparar a uniformidade de cobertura sobre os degraus verticais dos perfis retangulares. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 8,0 ºC permite obter ...
...o realize deep etchings (>2,0um). This reactor makes possible the microfabrication of membranes (for pressure sensors mainly) and cantilevers (for accelerometers mainly) in integrated circuits and in wafers with a predefined active electronic. We investigated factors such as quality and repeatability of the etching as well as its compatibility with the microelectronic process. To support our study, mic...
...orrosão úmida anisotrópica em silício capaz de realizar corrosões profundas (>2,0µm). Este reator possibilita a microfabricação de membranas (sensores de pressão) e cantilevers (acelerômetros) em circuitos integrados e wafers com eletrônica pré-existente. Fatores como qualidade e repetibilidade da corrosão e compatibilidade com o processo de microeletrônica foram estudados. Algumas microestruturas de interesse foram fabricadas e comparadas com resultados obtidos através de um simulador...
... of ANVISA establishes that only foods with trans fat content less than ≤ 0,1 g per serving and saturated fatty acids plus trans up to 1,5 g / serving can claim zero trans on the label. The stuffed wafers and wafers are important representatives of ultra-processed foods containing high levels of sugars and fats, being widely consumed due to their low cost and accessibility. From these observations, t...
...2 da ANVISA estabelece que, somente os alimentos que apresentarem teores de gorduras trans menor ≤ 0,1 g por porção e ácidos graxos saturados mais trans até 1,5 g/porção podem alegar zero trans na rotulagem. As bolachas recheadas e wafers são importantes representantes de alimentos ultra processados contendo elevados teores de açucares e gorduras, sendo muito consumidas pelo seu baixo custo e acessibilidade. A partir destas observações, o objetivo desse estudo foi o de avaliar os teores d...
...V, 10 nA to 1,0 nA) or ultraviolet (UVC) radiation. These films were also tested on miniaturized devices. Two different plasma- equipment were used and the main substrates for deposition were silicon wafer. piezoelectric quartz crystal and acrylics. The characterization procedures used: profilometer (thickness determination), ellipsometer (refractive index measurement); Infrared (FTIR) and x-ray photoe...
...diação ultravioleta (UVC) e foram testados em dispositivos miniaturizados. Foram utilizados dois equipamentos de plasma distintos para a produção dos filmes e vários substratos para deposição: lâminas de silício, cristais piezelétricos de quartzo e acrílico, principalmente. Uma série de caracterizações foi providenciada: Perfilometria (determinação de espessura); Elipsometria (medidas do índice de refração); Espectroscopia de Infravermelho e Espectroscopia de Fotoelétrons Por Raio...
...hich diminished with time, being practically insignificant after 2 weeks of tempering. The previously frozen cheeses were easier to cut due to their low TPA cohesivity and TPA hardness. Separation of wafer was observed up to the second week of storage. Free oil formation increased with storage time significantly for both treatments and it was superior in the tempered cheese. The melting capacity of ail...
...dias semanas de temperagem. Os queijos submetidos ao congelamento apresentaram menor dificuldade ao corte devido a baixa coesividade e dureza TPA. Observou-se separação de água livre somente até a segunda semana de armazenamento. O óleo livre aumentou significativamente ao íongo do tempo de armazenamento para os dois tratamentos sendo superior nas amostras temperadas. A capacidade de derretimento observada para as amostras de maneira geral neste experimento foi bastante baixa devido aos ...
...ugh the oxidation and/or nitridation by high density ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma. The interest in these insulator films and in this technology, which allows reduce thermal stress on the wafer. grows with the increase of the integration levels and the complexity of the current devices and electronic circuits with dimensions sub-1,0 nm The films will be characterized by ellipsometry, infra-...
...tretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de alta densidade. O interesse nestes filmes isolantes e nesta tecnologia, que permite reduzir o stress térmico sobre as lâminas, cresce à medida que aumentam os níveis de integração e de complexidade dos atuais dispositivos e circuitos eletrônicos com dimensões menores que 1,0 nm. Os filmes foram caracterizados por elipsometria, por espectrometria de absorção do infra-vermelho (FTIR) e por microscopia eletrônica de transmissão (TEM...
...the digital circuits, can be fabricated with semi-custom master-slíces. When using this technique, the design engineer needs only to make the ínterconnectíon of pre-diffused devices on the silicon wafer. Among the advantages of using this lmethodology. we can mention: low cost. fast design turn-around time. easy and quick correction of eventual mistakes. extremely fast processing turn-around for the...
...cionados usando circuitos integrados semidedicados ("semi-custom"). Com esta técnica o projetista necessita apenas realizar as interconexões entre os dispositivos pré-difundidos na lâmina de silício. Entre as várias vantagens da utilização desta metodologia de projeto, podemos citar: baixo custo; rapidez na execução do projeto; rapidez na correção de algum eventual erro no projeto; rapidez na confecção do circuito integrado. neste módulo apresentamos o projeto de um "chip semi-custom" ...
...and in which circurnstances another mechanism is valid, as in the case of the etch delaying role of tungsten oxide. We could also conclude that the arrival of the active species at the surface of the wafer is the etch rate limiting step most processes. For other processes, we have strong indications that the interaction plasma-tungsten-resist induces some phenomena which limit the etch rate. And for so...
... em quais circunstâncias qual mecanismo é válido, como no caso da formação e influência do óxido de tungstênio. Podemos também concluir que para a grande maioria dos processos, o mecanismo que limita a taxa de corrosão do tungstênio, é a chegada das espécies reativas na superfície da lâmina. Para os outros processos, há fortes indicações que a interação plasmatungstênio- resiste causa fenômenos que limitam a taxa de corrosão. As conclusões deste trabalho não são apenas váli...
... a digital picoammeter, and an increase in the resistance was measured. This result shows that the membrane is suitable to be applied as electrostatic filter. A channel was constructed on the silicon wafer using a laser beam for the deposition of fibers inside the channel using the electrodynamic focusing technique. The quartz crystal microbalance technique was used to determine the applicability of th...
...metro digital, visando aplicação como filtro eletrostático. Foi construído canal na lâmina de silício usando um feixe de laser visando a deposição de fibras dentro do canal usando a técnica de focagem eletrodinâmica com tensão aplicada em máscaras de cobre. Foi usada a técnica da microbalança de cristal de quartzo para determinar a variação de massa adsorvida por membranas de PAN/CuPc e PVDF/CuPc por meio da medida da variação de frequência usando um frequencímetro digital, onde s...
...We have investigated in this module the electroless deposition processes of cobalt thin films on silicon wafer surfaces, (1,0) P type, previously activated with palladium and we have studied some chemical mechanisms by which the electroless deposition of cobalt may occur. The morphology of the cobalt thin films were characterized with the aid of atomic force microscope (AFM) and Rutherford Backscatteri...
...neste módulo investigamos a deposição química de filmes finos de cobalto sobre superfícies de lâminas de silício, tipo P (1,0), previamente ativadas com paládio e estudamos alguns mecanismos químicos envolvidos no processo de deposição química de filmes finos de cobalto. Os filmes de cobalto foram caracterizados quanto sua morfologia utilizando técnicas de Microscopia de Força Atômica (AFM) e Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS).Estudamos dois tipos de banho para dep...
...as developed for obtaining junctionless nanowire-based transistors, chosen due to the simplicity of processing and to the absence of short channel and punchthrough effects. Silicon on Insulator (SOI) wafers were used as substrate. GaFIB/SEM - a dual beam system coupled to a scanning electron microscope -, with nominal resolution for the ionic beam of 20 nm, was used to define silicon nanowires and dope...
... desenvolvido para a obtenção de transistores sem junção baseados em nanofios (junctionless nanowire transistors, JNT), escolhidos devido à facilidade de processamento ¿ comparativamente a outros dispositivos, como FinFETs ¿ e à ausência de efeitos de canal curto e perfuração MOS (punchthrough). Lâminas de tecnologia SOI (Silicon on Insulator) foram utilizadas como substrato. GaFIB/SEM ¿ um sistema de duplo feixe acoplado a um microscópio eletrônico de varredura -, com resolução nomi...
...f the effects that additives, such as emulsifiers, produce on their physical-chemical properties. This work studies the change to the physical-chemical properties of three commercially used fats (two wafer biscuit filling fats and one sandwich biscuit filling fat) with low contents of trans fatty acids when a constant 3% dosage of emulsifier is added. The emulsifiers used were five versions of saturate...
... aditivos, como os emulsificantes, nas suas características físico-químicas. neste módulo, três gorduras comerciais com baixo conteúdo de ácidos graxos trans (duas para recheio de biscoito tipo wafer e uma para recheio de biscoito tipo sanduíche) foram aditivadas com cinco emulsificantes diferentes, a uma dosagem constante de 3%. Os emulsificantes utilizados foram 5 versões de mono e mono-diglicerídios saturados, que diferiam com relação à matéria-prima usada na sua produção e o teor ...
...were fabricated with areas of 3,0µm x 3,0µm x 7,0µm and 7,0µm. For the growth of silicon oxynitrides (SiOxNy) as gate dielectrics, it was used a heating furnace with a quartz apparatus for single wafer processing. It was employed a processing temperature of 8,0°C and ultrapure gas flows adjusted in a volume proportion of 5,2:1,2 (2 l/min of N2 and 0,4l/min of O2). It has been found that the rapid ...
...x 3,0?m e de 7,0?m x 7,0µm. Para o crescimento do oxinitreto de silício (SiOxNy), como dielétrico de porta, foi utilizado um forno térmico junto com um aparato de quartzo para processamento de apenas uma lâmina por vez. Foi empregada uma temperatura de processamento de 8,0°C e fluxos de gases ultrapuros ajustados na proporção em volume de 5,2 : 1,2 (2 l/min. de N2 e 0,4 l/min. de O2). Foi constatado que a nitretação térmica rápida do silício introduz armadilhas no dielétrico de porta de...
...deposition process. The physical and electrical characteristics were analyzed in function of the follow process parameters: total pressure, gas ratio (N2O/SiH4), distance between samples in the LPCVD wafer holder; pre oxidation time and total process time. It was observed that the distance between samples in the LPCVD wafer holder is direct related to the thickness uniformity and in the oxygen concentr...
...cia. As características físicas e elétricas do filme SIPOS foram analisadas em função dos seguintes parâmetros de deposição: pressão, razão gasosa entre (N2O/SiH4), espaçamento entre as lâminas de processo, tempo para a formação de uma camada de pré-oxidação entre SIPOS-Si e tempo de processo. Observamos que o espaçamento entre as lâminas de processo é um importante parâmetro de processo, pois este influi diretamente na uniformidade em espessura e na concentração de oxigênio p...
...years at Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP). This technique combines high-dose hydrogen ion implantation (I/I) and direct wafer bonding. To produce SOI structures some processes are essential: I/I process, cleaning and activation of the surfaces, and conventional thermal treatments at moderated temperatures. We also investiga...
...nto de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP). Esta técnica combina a solda direta para a união de lâminas e a implantação iônica (I/I) de íons leves para a separação de camadas especificadas. São essenciais na preparação destas estruturas SOI, processos de I/I, limpeza e ativação das superfícies das lâminas e recozimentos em fornos a temperaturas moderadas. Estudamos também, diferentes métodos para a obtenção de novas hete...
...In the present work, we study films CdTe electrodeposited galvanostatically from aqueous acidic solution (pH<1) onto n-type monocrystalline silicon wafer (1,1). The optimum current density to obtain good crystalline quality CdTe films was found to be 0,3 mA/cm2. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and photoacoustic spectroscopy (PAS). The CdTe fil...
...No presente trabalho, estudamos filmes finos de CdTe eletrodepositados galvanostaticamente em meio aquoso ácido (pH<1) sobre silício monocristalino, tipo-n, (1,1). A densidade de corrente de 0,3 mA/cm2 permitiu a obtenção de filmes de melhor qualidade. Os filmes foram caracterizados por microscopia eletrônica de varredura (SEM), difração de raios-X (XRD) e espectroscopia fotoacústica (PAS). Obtivemos depósitos que cobriram efetivamente o substrato tanto a temperatura ambiente quanto a 85 ºC...
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