Região de orbitais moleculares completamente preenchida por elétrons.
Exemplos de tradução
A positive feedback current was observed under radiation at 2,0 nm indicating an increase of the electron density within the valence band of the semiconductor.
A incidência de radiação UV (2,0 nm) causou uma resposta positiva na corrente de retroalimentação indicando aumento de densidade eletrônica na banda de valência do semicondutor.
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Área
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Qualidade
Téc/Geral
valence band
banda de valência
Frases traduzidas contendo "valence band"
A positive feedback current was observed under radiation at 2,0 nm indicating an increase of the electron density within the valence band of the semiconductor.
A incidência de radiação UV (2,0 nm) causou uma resposta positiva na corrente de retroalimentação indicando aumento de densidade eletrônica na banda de valência do semicondutor.
Intrinsic defects and group III impurities, which modify the electronic density of states (DOS) near to the top of the valence band or near to the bottom of the conduction band increase the thermoelectric efficiency of the PbSe and PbTe nanowires.
Defeitos intrínsecos e impurezas do grupo III que alteram a densidade de estados eletrônicos (DOS) nas proximidades do topo da banda de valência ou do fundo da banda de condução, observamos um aumento da ficiência termoelétrica dos nanofios de PbSe e PbTe.
The analysis of band structure showed that the energy levels at the top of the valence band and the lower region of the conduction band are originated from the nitrogen p orbitals; the direct band gap is 2,72 eV. Using the Tauc model, the absorption spectrum fitting method was employed to estimate the optical direct band gap (3,50 eV).
A extrapolação linear da curva de absorção óptica (método de Tauc) indica que a transição da banda fundamental de absorção é direta e vale 3,50 eV. O gráfico da função dielétrica complexa mostra que a transição eletrônica que forma a banda fundamental de absorção inicia-se a partir de 2,62 eV. As bandas experimentais de infravermelho e Raman foram identificadas pela comparação com as linhas espectrais calculadas para o cristal.
The importance of each ERO was evaluated by deaeration of the medium, addition of catalase, dimethylsulfoxide (DMSO), ethanol and potassium iodide (KI), which were used to remove dissolved oxygen, hydrogen peroxide (H2,2), HO● and holes in the valence band. respectively.
A importância de cada EROs foi avaliada por desaeração do meio, adição de catalase, dimetilsulfóxido (DMSO), etanol e iodeto de potássio (KI), que foram utilizados para remoção de oxigênio dissolvido, peróxido de hidrogênio (H2,2), HO● e buracos na banda de valência, respectivamente.
This fail is due to the fact that the Eu atom presents f electrons in the valence band. which are strongly localized.
A teoria DFT+U, onde U é proveniente da teoria de muitos corpos dentro do modelo de Hubbard se mostrou eficiente.
This study enabled the identification of the atoms that contribute most to the structure bands and also the energies in the region between the valence band and the conduction band (band gap).
Este estudo possibilitou a identificação dos átomos que mais contribuem para a estrutura de bandas e também as energias na região entre a banda de valência e a banda de condução (band gap).
...on of the heterojunction is seen to be an endothermic process, requiring 0,54 eV per chemical bond at the junctions. The band offset is determined to be of the type II, staggered, with the top of the valence band on the BN nanotube being 0,26 eV above in energy than the top of the valence band on the AlN nanotube....
...(3,2 eV). O processo de formação da heterojunção dos nanotubos AlN/BN (10,0) é endotérmico, requerendo 0,54 eV por ligação química nas junções. O band offset é determinado ser do tipo II, com o topo da banda de valência do nanotubo de BN estando 0,26 eV acima do topo da banda de valência do nanotubo de AlN....
...he bosonization method. We calculated the emission spectra of the right and left circularly polarized radiations for the situations where the distance between the two-dimensional electron gas and the valence band hole are smaller and greater than the magnetic length. For the former, it was shown that the polarized photoluminescence spectra can be understood as the recombination of the so-called excitonic stat...
...és de nosso método de bosonização¸. Calculamos os espectros de emissão das radiações¸ circularmente polarizadas à direita e à esquerda para as situações onde a distância entre os planos do gás de elétrons e do buraco da banda de valência é menor ou maior que o comprimento magnético. Para o primeiro caso, é mostrado que o espectro de fotoluminescência pode ser entendido como a recombinação do chamado estado excitônico com o buraco de valência, enquanto, para o segundo caso, o espectr...
...with different fluorine coverage, the most stable configuration is obtained when the fluorine atoms are adsorbed on the boron atoms, forming a line. Defects levels are observed near to the top of the valence band and the system exhibit a p-type semiconductor character to low fluorine density and metallic character to the high fluorine density. We observe that the fluorine adsorption induces spin polarization ...
...ncia níveis de defeito podem ser observados. Em relação às propriedades eletrônicas é possível observar que em todas as estruturas ocorre uma perturbação no fundo da banda de condução. Na região do topo da banda de valência níveis de defeitos podem ser observados. Onde podemos obsevar que essas estruturas apresentam características de semicondutor do tipo-p para baixas densidades de flúor e metálicas para altas densidades. Temos que a adsorção de flúor provoca uma quebra de degenerescên...
...e ZnS results in a broadening of the peak of the photoluminescence spectrum due to emission in blue-green, which is related to recombination deeper defect levels of electrons of t2 Cu states near the valence band....
...fotoluminescência decorrente de emissão no azul-verde, que está relacionada a recombinação de elétrons de níveis de defeitos mais profundos dos estados t2 do Cu próximos da banda de valência....
... also determined the average electrostatic potential for the nanotubes and alloys, and performed a quadratic fit of these values obtaining a bowing coefficient of -0,2799 eV. We calculated the valence band offset of the GaN/AlN heterojunction and estimated the band offset for the Al x Ga 1-x N/GaN heterojunctions. All studied heterojunctions present type II band offset....
...eletrostático médio para os nanotubos e suas ligas, e fizemos o mesmo tipo de ajuste quadrático obtendo um bowing coefficient de -0,2799 eV. Calculamos o descasamento das bandas de valência e condução das heterojunções entre nanotubos de GaN/AlN e estimamos para as heterojunções Al x Ga 1-x N/AlN. Todas as heterojunções estudadas apresentam um descasamento de bandas do tipo II....
...maller concentration, the results show that Fermi level decrease in alloy in relation to pure Cu in order 0,3 eV. For Ni, our results showed that an internal redistribution of electrons in the valence band with transfer from sp states to d states, when we decrease Ni concentration. To quantify this redistribution we used atomic calculations, which indicate that the redistribution was of the order of te...
...de sua estrutura eletrônica necessitaram do auxílio de cálculos atômicos. Os resultados obtidos indicam uma pequena redistribuição interna das cargas de valência do Ni onde frações de elétrons identificados como sp passam a ocupar estados d quando diminuimos a concentração de Ni. Através dos resultados foi estimado que o nível de Fermi do Cu é maior que o do Ni na ordem de 0,3 eV. Por fim, concluiu-se que a transferência de elétron entre o Cu e o Ni deve ser menor que 0,1 elétron...
...esence of an InP shell covering the InAs nanowires enhances the InAs electron mobility, as compared to the uncapped InAs nanowires. In addition, for the radial heterostructure, the conduction and the valence band alignments favor a type-I heterojunction, while for the axial heterostructure a transition from a type-I to a type-II heterojunction could occur at this range of diameters. From (ii), we observed tha...
... de InP sobre nanofios de InAs aumenta significativamente sua mobilidade eletrônica quando comparada com a de um nanofio de InAs puro. Além disso, na heteroestrutura radial, o alinhamento das bandas de condução e das bandas de valência favorece uma heteroestrutura do tipo I, enquanto que na heteroestrutura axial, uma transição de uma heteroestrutura do tipo I para uma heteroestrutura do tipo II poderá ocorrer neste intervalo de diâmetros. Em (ii), para as heteroestruturas com diâmetros similares, ...
...here tunnels are stable and small cavities present in the subsurface of the β−SiC(0,1). The semiconductor character of the β−SiC(0,1) in the presence of nanotunnels is preserved. The top of the valence band and of the boton of the band are surface states localized in hydrogenated C dimers near to the nanotunnel. Adsorbing Fe atoms on the β−SiC(0,1) surface we observe that the electronic and magnetic ...
...o número de H adsorvido (hidrogenação até a terceira camada) foi possível mostrar a formação de nanotúnel na superfície. Os nanotúneis são pequenas cavidades presentes na subsuperfície da β−SiC(0,1). Na presença dos nanotúneis o carácter semicondutor é preservado. Com adsorção de átomos de Fe na β−SiC(0,1) as propriedades eletrônicas e magnéticas são fortemente influenciadas. Existe a presença de um forte momento magnético localizados nos átomos de Fe adsorvidos na β−SiC(0,...
...d that the conducting behavior of B-PbO2 is an intrinsic characteristic of the material that arises from the overlaping of the 6s orbital of the conducting band of Pb and the 2p orbital of the top of valence band of O. The charge density of the Pb cations in B-PbO2 and a-PbO2 is about half the formal ionic charge. PbO2 has a small direct band gap...
... eletrônica de todas as fases com o objetivo de contribuir para uma melhor compreensão do comportamento dos referidos materiais. O código computacional CRYSTAL09 foi utilizado para os cálculos. Os dados da estrutura de bandas, sugerem que a condução do B-PbO2 é uma característica intrínseca do material que surge a partir das sobreposições dos orbitais 6s da banda......
...duction band giving rise to a net spin magnetic moment of 1 μB . Silicon in the nitrogen site (SiN), depending on the tube chirality, introduce electronic levels near or resonant with the top of the valence band leaving the system to exhibit acceptor properties, suggesting the formation of defect induced type-p BC2N NTs. Whereas, for Si in the two non equivalent carbon atoms (SiCI and SiCII), the defective l...
...o da banda de condução, fazendo com que o sistema apresente um momento magnético de spin igual 1 μB . O silício no sítio do nitrogênio (SiN) introduz um nível ressonante com o topo da banda de valência com uma pequena dependência em relação a quiralidade do nanotubo, e o sistema dopado passa a exibir propriedades aceitadoras, sugerindo a formação de defeitos induzidos do tipo p em nanotubos de BC2N. Considerando o silício nos sítios dos átomos de carbono (SiCI e SiCII), os níveis de...
...ith DFT calculations, using PBE parameterization, and the mBJ exchange potential. The calculated density of states and optics for the bulk CIS were compared with XPS experimental measurements for the valence band. and with ellipsometry measurements for the dielectric function. Besides that, this work presents the development of a thin film photovoltaic cell presenting the following structure: SnO2 :F (FTO), I...
...ão PBE e também do potencial de troca mBJ. Foram obtidos resultados para a densidade de estados e a óptica para o CIS bulk – esses foram comparados com resultados experimentais de XPS para a banda de valência e medidas de elipsometria para a função dielétrica. Além disso, o trabalho também apresenta o desenvolvimento de um dispositivo fotovoltaico baseado em filmes finos de SnO2 :F (FTO), In2 Se3 (IS) e CIS. Estes dois últimos materiais foram crescidos por eletrodeposição e ...
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