Gama de energias que os elétrons podem ter num sólido.
Exemplos de tradução
" In a semiconductor, an empty conduction band lies close in energy to a full valence band. As a result, as the solid is warmed, electrons can be excited from the valence band into the conduction band where they can ravel through the solid. So the resistance of a semiconductor decreases as its temperature is raised. "
"Em um semicondutor, uma banda de condução vazia tem energia próxima a energia de uma banda de valência completa. Como resultado, quando o sólido é aquecido, elétrons podem ser excitados da banda de valência para a banda de condução onde poderão se deslocar através do sólido. Então, a resistência de um semicondutor diminui com o aumento da temperatura. "
Banco de Glossários (traduções não verificadas)
Área
Inglês
Português
Qualidade
Téc/Geral
conduction band
banda de condução
Frases traduzidas contendo "conduction band"
This study enabled the identification of the atoms that contribute most to the structure bands and also the energies in the region between the valence band and the conduction band (band gap).
Este estudo possibilitou a identificação dos átomos que mais contribuem para a estrutura de bandas e também as energias na região entre a banda de valência e a banda de condução (band gap).
Intrinsic defects and group III impurities, which modify the electronic density of states (DOS) near to the top of the valence band or near to the bottom of the conduction band increase the thermoelectric efficiency of the PbSe and PbTe nanowires.
Defeitos intrínsecos e impurezas do grupo III que alteram a densidade de estados eletrônicos (DOS) nas proximidades do topo da banda de valência ou do fundo da banda de condução, observamos um aumento da ficiência termoelétrica dos nanofios de PbSe e PbTe.
in this module, the excitonic properties of cylindrical Si/Si1¡xGex core-shell quantum wires are studied, considering two possibilities for the conduction band alignment: type-I, where electrons and holes are confined at the same material, and type-II, where these carriers are spatially separated.
neste módulo estudamos as propriedades excitônicas de fios quânticos cilíndricos Si/Si1¡xGex core-shell, considerando duas possibilidades para o alinhamento da banda de condução: tipo-I, onde elétrons e buracos estão confinados no mesmo material, e tipo-II, onde os portadores estão separados espacialmente.
The dye and hormone photocatalytic oxidation by these electrodes was discussed considering energy diagrams; for the electrodes containing WO3, the better harvesting of visible radiation, as well as, the favorable relative position of valence and conduction band of these semiconductors, promotes the separation of photogenerated charges, which minimizes their recombination, improving the efficiency of organic compounds oxidation
A oxidação fotocatalítica dos poluentes com estes eletrodos foi discutida considerando diagramas de energia; na presença de WO3, além de se obter um maior aproveitamento da radiação visível, a posição favorável das bandas de condução e de valência de ambos os semicondutores promove a separação das cargas fotogeradas, o que minimiza sua recombinação e aumenta a eficiência do processo de oxidação dos compostos orgânicos
DSSCs are based on the absorption of light by a dye, which injects electrons into the conduction band of a semiconductor.
Os complexos sintetizados foram caracterizados por técnicas espectroscópicas e eletroquímica.
The analysis of band structure showed that the energy levels at the top of the valence band and the lower region of the conduction band are originated from the nitrogen p orbitals; the direct band gap is 2,72 eV. Using the Tauc model, the absorption spectrum fitting method was employed to estimate the optical direct band gap (3,50 eV).
A extrapolação linear da curva de absorção óptica (método de Tauc) indica que a transição da banda fundamental de absorção é direta e vale 3,50 eV. O gráfico da função dielétrica complexa mostra que a transição eletrônica que forma a banda fundamental de absorção inicia-se a partir de 2,62 eV. As bandas experimentais de infravermelho e Raman foram identificadas pela comparação com as linhas espectrais calculadas para o cristal.
The catalytic effect of the white pigment TiO2 (anatase and rutile) in the polymer photooxidation has been assigned to the reaction of an excited electron in the conduction band of TiO2 with atmospheric O2.
O pigmento branco TiO2 (rutilo e anatase) apresenta efeito catalítico na degradação fotoxidativa do polímero, em um processo iniciado pela reação de um elétron fotoexcitado na banda de condução do TiO2 com oxigênio atmosférico.
...parison with the starting compound (~0,50V vs Ag/AgCl). The excited state oxidation potentials of both complexes (~ 1,5 V) are favorable for an efficient electron injection from the dye into the TiO2 conduction band. The photoelectrochemical data were evaluated in comparison to the standard [Ru(dcbH2,2(NCS)2] dye, N3. DSSCs sensitized by these compounds exhibit overall efficiency conversion of 0,38 and 0,47% for...
...da ordem de 0,0040.Os resultados eletroquímicos de voltametria cíclica para o par redox Ru (II/III) em ~0,80V vs Ag/AgCl, encontram-se deslocados positivamente em ao composto de partida (~0,50V vs Ag/AgCl). O potencial dos complexos no estado excitado, em torno de -1,5 V, indicam que os mesmos possuem capacidade de injetar elétrons na banda de condução do semicondutor TiO2. Os resultados dos testes fotovoltaicos para os complexos cis-[Ru(dcbpy)2(nic)Cl]+ e cis-[Ru(dcbpy)2(isn)Cl]+ apresentaram uma eficiê...
...ction parallel to the molecular planes for the L-Asp anhydrous system. The analysis of the density of electronic states revealed the contributions per atom and per functional group to the valence and conduction band states. A nice agreement was found between the theoretical IR and Raman spectra and the experimental data for the L-Asp anhydrous crystal, allowing for an adequate interpretation of the normal modes ...
...ção paralela aos planos moleculares para o caso L-Asp anidro. A análise da densidade de estados eletrônicos permitiu estabelecer a contribuição por átomo e por grupo funcional para os estados das bandas de valência e condução e um ótimo acordo foi obtido entre os espectros vibracionais IR e Raman teóricos e experimentais do cristal L-Asp anidro, permitindo uma adequada interpretação dos modos normais envolvidos em cada pico espectral....
...y EXAFS was possible conclude that no change of Mn - O - Mn angle is induced by the strain. The distortion of octahedra explains the decrease of Curie temperature (TC) with the strain effects. 3d conduction band changes, induced by the strain and by intense x-ray exposition, were observed. A correlation model between these effects and the structural distortion of films is not clear yet...
...Mn - O - Mn é induzida pela tensão fornecida pelo substrato. A distorção local do octahedro explicaram a diminuição da temperatura de transição (TC) por efeitos de tensão. Foram observados efeitos de modificação da banda 3d de condução do material, induzidos por tensão e por exposição a raios-x intensos, porém uma correlação entre estes efeitos e a distorção da estrutura do filme ainda não está muito clara...
...esults of others methodologies of study. From the results obtained in the present work could identify whose atoms can make the major contribution to the energy bands near the Fermi level and close to conduction band....
...studo teórico possibilitou a identificação dos átomos que mais contribuem para as bandas de energia e também as energias na região entre os limites superiores da banda de valência e inferiores da banda de condução....
...ers, the variation of their structural and electronic properties with the composition possesses significant deviations from the linear behavior, which are dependent of the nanostructure diameter. The conduction band offset is approximately zero and the valence band offset decrease regardless of diameter and composition of the heterostructure....
...as propriedades estruturais e eletrônicas com a composição possui desvios significativos do comportamento linear, sendo estes dependentes do diâmetro dessas nanoestruturas. O descasamento da banda de condução é aproximadamente nulo enquanto que o descasamento da banda de valência diminui independente do diâmetro e da composição da heteroestrutura....
..., is direct (~ 3,18 eV and 3,16 eV, respectively) and of the dihydrate is indirect (~ 2,89 eV). The 2p orbitals are the largest contributors to the density of states. Water has great influence in the conduction band of the dihydrate crystal. There is an anisotropic behavior in relation to the study of the optical properties of these crystals along four directions of incidence of the electric field, where the ani...
...é direto (~ 3,18 eV e 3,16 eV, respectivamente) e do dihidratado é indireto (~ 2,89 eV). Os orbitais 2p são os maiores contribuintes à densidade de estados. A água tem bastante influência na banda de condução do cristal dihidratado. Há um comportamento anisotrópico quando do estudo das propriedades ópticas destes cristais ao longo de quatro direções de incidência do campo elétrico, sendo a anisotropia mais acentuada para o dihidratado. As pesquisas realizadas enquadram-se na temática de atuaç...
...decrease of the hydration layer. It was also possible to conclude that there are no evidences of redox reactions happening, indicating that the phenomenon occurs due the injection of electrons in the conduction band of the structured water film on the silica surface, by forming hydrated electrons (H2O)n -. The obtained data of the curves of electric current vs. time during gradual dehydration (flow of dry air 1 ...
...as aumentava até determinado ponto com a diminuição da camada de hidratação. Resultados indicaram que não havia evidências de processos faradaícos ocorrendo, sugerindo que o fenômeno ocorre por injeção de elétrons diretamente na banda de condução do filme de água organizado sobre a sílica, com a formação de hidratos eletrônicos. Observações experimentais sob desidratação gradual dessas partículas, permitiram o estabelecimento de relações quantitativas entre os parâmetros obtidos das ...
...boron nitride nanotubes (BNNTs). For both nanotubes studied, the Si impurity in the boron site (SiB) show a spin splitting and introduce a empty (spin down) electronic level near to the bottom of the conduction band giving rise to a net spin magnetic moment of 1 μB . Silicon in the nitrogen site (SiN), depending on the tube chirality, introduce electronic levels near or resonant with the top of the valence band...
...io em nanotubos de carbono e nanotubos de nitreto de boro (BN). Em relação à estrutura eletrônica da dopagem, temos que o silício no sítio do boro (SiB) para ambos os nanotubos estudados introduz um nível vazio (spin down) próximo ao fundo da banda de condução, fazendo com que o sistema apresente um momento magnético de spin igual 1 μB . O silício no sítio do nitrogênio (SiN) introduz um nível ressonante com o topo da banda de valência com uma pequena dependência em relação a quiralidade do...
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