Inglês
Português
Meaning
Resultados da busca para "Band Offset"
Frases traduzidas contendo "Band Offset"
a) Traduções técnicas inglês para português
(Substantivo)
Frases traduzidas contendo "Band Offset"...riation of their structural and electronic properties with the composition possesses significant deviations from the linear behavior, which are dependent of the nanostructure diameter. The conduction Band Offset is approximately zero and the valence Band Offset decrease regardless of diameter and composition of the heterostructure....
...as propriedades estruturais e eletrônicas com a composição possui desvios significativos do comportamento linear, sendo estes dependentes do diâmetro dessas nanoestruturas. O descasamento da banda de condução é aproximadamente nulo enquanto que o descasamento da banda de valência diminui independente do diâmetro e da composição da heteroestrutura....
...Approximation for exchange and correlation term, we studied the stability and electronic properties of substitutional impurities of C, Si and Ge in GaN, AlN and InN nanowires and the variation of the Band Offset with the diameter variation in AlN/GaN nanowires heterojunctions. For the study of substitutional impurities we use AlN, GaN and InN nanowires in the wurtzite phase with diameter of 14,47 Å, 14,7 Å...
...o termo de troca e correlação, estudamos a estabilidade e as propriedades eletrônicas de impurezas substitucionais de C, Si e Ge em nanofios de GaN, AlN e InN e a variação do band offset com o diâmetro em heteroestruturas da nanofios AlN/GaN. Para o estudo de impurezas substitucionais utilizamos nanofios de AlN, GaN e InN na fase da wurtzita e com diâmetros de 14,47 Å, 14,7 Å e 16,5 Å, respectivamente. Já para o estudo da variação do band offset com o diâmetro da nanoestrutura, utiliza...
... and BN (4,1 eV) nanotubes, in the density functional theory level. The formation of the heterojunction is seen to be an endothermic process, requiring 0,54 eV per chemical bond at the junctions. The Band Offset is determined to be of the type II, staggered, with the top of the valence band on the BN nanotube being 0,26 eV above in energy than the top of the valence band on the AlN nanotube....
...a de 2,5 eV, menor que aqueles para os nanotubos de BN (4,1 eV) e AlN (3,2 eV). O processo de formação da heterojunção dos nanotubos AlN/BN (10,0) é endotérmico, requerendo 0,54 eV por ligação química nas junções. O band offset é determinado ser do tipo II, com o topo da banda de valência do nanotubo de BN estando 0,26 eV acima do topo da banda de valência do nanotubo de AlN....
...termined the average electrostatic potential for the nanotubes and alloys, and performed a quadratic fit of these values obtaining a bowing coefficient of -0,2799 eV. We calculated the valence Band Offset of the GaN/AlN heterojunction and estimated the Band Offset for the Al x Ga 1-x N/GaN heterojunctions. All studied heterojunctions present type II Band Offset....
