"Tunneling" significa encapsular um pacote ou uma mensagem de um determinado protocolo no pacote de outro protocolo. O pacote encapsulado é então transmitido através da rede pelo protocolo encapsulador. Esse método de transmissão de pacotes é usado para evitar a incompatibilidade de protocolos.
Exemplos de tradução
Adjustments were made firt for the positive voltages and then to negative voltages, where the height and thickness of the barrier and the effective area of tunneling was always considered free parameters.
Os ajustes foram realizados primeiro para as tensões positivas e depois para tensões negativas, onde a altura e a espessura da barreira, e a área efetiva de tunelamento foram considerados parâmetros livres sempre.
◼Sinônimos Inglês
Significado
Um procedimento cirúrgico realizado em dentes multirradiculares, geralmente em um molar mandibular, resultando em uma furca completamente aberta para fornecer acesso para a higiene bucal.
"Tunneling" significa encapsular um pacote ou uma mensagem de um determinado protocolo no pacote de outro protocolo. O pacote encapsulado é então transmitido através da rede pelo protocolo encapsulador. Esse método de transmissão de pacotes é usado para evitar a incompatibilidade de protocolos.
Exemplos de tradução
Adjustments were made firt for the positive voltages and then to negative voltages, where the height and thickness of the barrier and the effective area of tunneling was always considered free parameters.
Os ajustes foram realizados primeiro para as tensões positivas e depois para tensões negativas, onde a altura e a espessura da barreira, e a área efetiva de tunelamento foram considerados parâmetros livres sempre.
Um procedimento cirúrgico realizado em dentes multirradiculares, geralmente em um molar mandibular, resultando em uma furca completamente aberta para fornecer acesso para a higiene bucal.
Adjustments were made firt for the positive voltages and then to negative voltages, where the height and thickness of the barrier and the effective area of tunneling was always considered free parameters.
Os ajustes foram realizados primeiro para as tensões positivas e depois para tensões negativas, onde a altura e a espessura da barreira, e a área efetiva de tunelamento foram considerados parâmetros livres sempre.
Scanning tunneling microscopy (STM) is presented here as a direct result of the Schrodinger wave mechanics.
Apresenta-se aqui a microscopia de tunelamento de elétrons (MTE) como resultado direto da mecânica ondulatória de Schrodinger.
The main structures studied are magnetic tunneling junctions and systems composed of an arrangement of quantum dots coupled to ferromagnetic electrodes.
As principais estruturas estudadas foram junções magnéticas de tunelamento e sistemas compostos por um arranjo de pontos quânticos acoplados a eletrodos ferromagnéticos.
In case of the IT-2D edge states, the opposite edge states can be coupled by of a tunneling and the action of an external magnetic field, in this way it is possible the existence of connected states and isolated in the middle of the gap with zero energy that can carry fractional load.
No caso da fracionalização dos estados de borda do IT-2D, os estados de borda opostos podem ser acoplados por meio de um tunelamento e a ação de um campo magnético externo, desta forma é possível a existência de estados ligados e isolados no meio do gap com energia nula que podem carregar carga fracionária.
in this module we present the study of polysilicon depletion and the gate tunneling current effects in thin-gate oxide devices.
Apresentamos neste módulo um estudo do efeito da depleção do silício policristalino e da corrente de tunelamento em dispositivos com óxidos de porta finos.
It was also observed a reduction of the tunneling of the LP and approach of the edges, with visible reduction of the cranio-caudal distance and improvement of the cicatrization.
Observou-se também redução do tunelamento da LP e aproximação das bordas, com visível redução da distância crânio-caudal e melhora da cicatrização.
The interest in this material is not only due to its possible future technological applications, but also because it provides the possibility to probe interesting phenomena predicted by quantum field theories, ranging from Klein tunneling and other quasi-relativistic effects to the existence of new types of electron degrees of freedom, namely, the pseudo-spin, and the existence of two inequivalent electronic valleys in the vicinity of the gapless points of its energy spectrum.
O interesse por este material não é apenas devido às suas possíveis aplicações tecnológicas futuras, mas também porque oferece a possibilidade de investigar fenômenos interessantes previstos pelas teorias quânticas de campo, que vão desde o tunelamento de Klein e outros efeitos quasi-relativísticos à existência de novos tipos de graus de liberdade do elétron, ou seja, o pseudo-spin, e a existência de dois vales eletrônicos não-equivalentes na vizinhança dos pontos sem gap do seu espectro de energia.
Taking into account the STM (Scanning tunneling Microscopy) results obtained for the Hpyt SAM on Au(1,1), it was possible to estimate that the Hpyt molecules are adsorbed in an hexagonal arrangement with an average distance between the sulfur atoms of 5,5 Å.
A partir dos resultados de microscopia de tunelamento STM (Scanning Tunneling Microscopy) obtidos para a monocamada automontada de Hpyt sobre Au(1,1) foi possível estimar que as moléculas de Hpyt são adsorvidas em um arranjo hexagonal com um espaçamento médio entre os átomo de enxofre de 5,5 Å.
The first solved the problem of macroscopic dissipative tunneling out of a metastable state and concluded that dissipation inhibits tunneling.
Os primeiros resolveram o problema do tunelamento macroscópico dissipativo de um estado meta-estável e concluíram que a dissipação inibe o tunelamento.
In this thesis, we have suggested two devices: a ferromagnetic wire in which a domain wall tunnels between two arti?cial pinning centers; and a MQUID (Magnetic Quantum Interference Device) that is a magnetic device analogous to SQUID that permit quantum tunneling effects with a supercurrent formed by spin vortices.
Nesta tese, sugerimos dois dispositivos: um ?o ferromagnético no qual uma parede de domínio tunela entre dois centros de aprisionamento arti?ciais; e um MQUID (Magnetic Quantum Interference Device), isto é, um análogo magnético do SQUID que permite efeitos de tunelamento com uma ¿supercorrente¿ formada por vórtices de spin.
The admittance that represents the leakage process was modeled according to Frenkel-Poole emission, Fowler-Nordheim tunneling and/or constant leakage admittance.
A admitância associada à corrente de fuga em capacitores MOS foi modelada através de emissão por Frenkel-Poole, tunelamento por Fowler-Nordheim e/ou corrente de fuga constante.
Our results show that wave packet undergoing Klein tunneling through the potential barrier acquires an additional phase that, in our case, depends on time.
Os resultados mostram que o pacote de onda que sofre tunelamento de Klein através da barreira de potencial adquire uma fase extra que, no nosso caso, depende do tempo.
The main purpose of this work is to investigate quantum tunneling processes whose objetive is to violate this conjecture.
O objetivo desse trabalho é investigar processos de tunelamento quântico que visam violar essa conjectura.
The gate/source overlap length and the dopant profile at the tunneling junction were also analyzed in order to understand which combination of this features would result in a better performance of the device.
A sobreposição entre porta e fonte e o perfil de dopantes na junção de tunelamento também foram analisados a fim de compreender qual combinação dessas características resultariam em um melhor desempenho do dispositivo.
In this coursework, we have studied the dynamics of two Bose-Einstein condensate (BEC) on its fundamental state, trapped and coupled by a quantum tunneling.
No presente trabalho, estudamos a dinâmica de dois condensados de Bose - Eisntein (CBE) no estado fundamental, armadilhados e acoplados por tunelamento quântico.
The NMR persists up to room temperature and has been explained in terms of the tunneling of electrons between zero-energy Landau levels of adjacent graphitic layers.
Ele é explicado considerando-se o tunelamento de férmions de Dirac entre níveis fundamentais de Landau de planos de grafeno adjacentes dentro da grafite.
...This works presents the study of tunneling field effect transistors, namely TFETs. Analyses have been performed based on theoretical explanations, numerical simulations and experimental data in order to show this technology suitability as part of basic circuit blocks, being an important alternative for the continuous devices scaling. The basic idea of making use of band-to-band tunneling as the main curren...
...Este trabalho apresenta o estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo, denominados TFETs. Foram realizadas análises com base em explicações teóricas, simulações numéricas e medidas experimentais para demonstrar a viabilidade do uso desta tecnologia em blocos de circuitos fundamentais, atuando como alternativa para permitir o contínuo escalamento de dispositivos. A motivação para o uso de transistores com corrente principal resultante do tunelamento de banda para banda ...
...ammetry, differential pulse voltammetry, electrohydrodynamic impedance and electrochemical impedance spectroscopy. Other techniques also gave support, such as, atomic force microscopy (AFM), Scanning tunneling microscopy (STM), RAMAN spectroscopy and quartz crystal microbalance (QCM). For the modified gold surface with the 1,4-dt, it was observed the decrease of the redox-active [Fe(CN)6,3- species with th...
...o-hidrodinâmica e espectroscopia de impedância eletroquímica. Outras técnicas também deram suporte, tais como, microscopia de força atômica (MFA), microscopia de superfície por tunelamento (MST), espectroscopia RAMAN e microbalança de quartzo (MBQ). Para as superfícies modificadas com a molécula 1,4-dt, foi observado a diminuição do processo redox [Fe(CN)6,3-/4- com o aumento do tempo de imersão do eletrodo de ouro na solução modificadora. Estes resultados sugerem que taxa de recobrimento...
...ion theory. Simulations using TRIDYN computer code provide the prediction of depth profile of implanted ions. Important characterizations are showed such as Transmission Electron Microscopy, Scanning tunneling Microscopy, Small Angle X-Ray Scattering, X-Ray Diffraction and UV-vis Spectroscopy. These techniques allow to visualize and to investigate the nanostructured character of the metal-polymer composite...
...ercolação. Simulações utilizando o programa TRIDYN permitem obter a profundidade e o perfil da implantação dos íons. São mostradas caracterizações importantes tais como Microscopia Eletrônica de Transmissão, Microscopia de Varredura por tunelamento, Espalhamento de Raios-X a Baixos Ângulos, Difração de Raios-X e Espectroscopia UV-vis. Essas técnicas permitem visualizar e investigar o caráter nanoestruturado do compósito metal-polímero. Ainda como parte deste projeto, as camadas conduto...
...rluminal wave motion have been predicted theoretically and verified experimentally: (i) superluminal group velocities, observed in the propagation of electromagnetic waves in dispersive media, in the tunneling of electrons and microwaves and in the propagation of microwaves in the air; (ii) superluminal motion of finite energy approximations to superluminal solutions of Maxwell equations. in this module we...
...dos experimentalmente: ( i ) velocidades de grupo superluminais, observadas na propagação de ondas eletromagnéticas em meios dispersivos, no tunelamento de elétrons e de microondas e na propagação superluminal de microondas no ar; ( ii ) movimento superluminal de aproximações de energia finita de soluções superluminais das equações de Maxwell. neste módulo tentamos esclarecer o significado de tais fenômenos e suas implicações para a Teoria Especial da Relatividade. Para isso, escrevemos a...
...roduce valley filtering in graphene. In the presence of electrostatic potential barriers, we study two interesting effects in graphene monolayers: the Klein paradox and the Snell law for the electron tunneling. In the second part of this thesis, we calculate the interaction potential between vortices in bulk superconductors within the Ginzburg-Landau (GL) theory, which is of importance for future vortex dy...
... dois efeitos bastante interessantes em monocamadas de grafeno: o paradoxo de Klein e a lei de Snell para o tunelamento de elétrons. Na segunda parte desta tese, calculamos o potencial de interação entre vórtices em supercondutores volumétricos dentro da teoria de Ginzburg-Landau (GL), o que é de extrema importância para futuros estudos de dinâmica de vórtices. Para isso, desenvolvemos um conjunto de equações diferenciais acopladas para o potencial vetor e para o parâmetro de ordem, tendo com...
...ughly studied and the capacity of the models in adequately representing the field behavior verified by the instrumentations is evaluated. Furthermore, the work approaches the main concepts related to tunneling in soils. Concepts related to practical engineering of tunnels are presented in a qualitative way, without theoretical and mathematical formulations. A literature review of recent publications of the...
...s em representar adequadamente o comportamento verificado na obra pelas instrumentações é avaliada. Além das análises numéricas o trabalho aborda os principais conceitos relacionados com escavações de túneis em maciços de solo. Conceitos relacionados com a engenharia prática de túneis são apresentados de maneira qualitativa, sem formulações teóricas e matemáticas. Uma revisão bibliográfica com publicações recentes das principais revistas e periódicos que tratam do tema de análise n...
...the material has the same conductivity as the insulating matrix. The critical exponent obtained was t = 1,4 and, since it satisfies to condition t < 2, the conductivity process is due to percolation, tunneling being negligible....
... material tem a mesma condutividade que a matriz isolante. O expoente crítico obtido foi t = 1,4 e, como a condição t < 2 é satisfeita, o processo de condutividade se dá devido a percolação, sendo o tunelamento desprezível....
...asurements and numerical simulations. For diameters higher than 30 nm, the devices are less influenced by the diameter reduction. For diameters lower than 30 nm, decreasing the diameter, band-to-band tunneling (BTBT) start to become the dominant mechanism, increasing the normalized drain current. Reducing the diameter, in low conduction, the most of the junction becomes dominated by BTBT, increasing the tr...
... e simulações numéricas. Para diâmetros maiores que 30 nm, os dispositivos são pouco influenciados pela redução do diâmetro. Para diâmetros menores que 30 nm, ao diminui-los, o tunelamento entre bandas (BTBT) passa a ser o mecanismo dominante, aumentando a corrente de dreno normalizada. Reduzindo o diâmetro em baixa condução, a maior parte da junção passa a ser dominada por BTBT, aumentando a eficiência devido ao melhor acoplamento eletrostático, reduzindo a inclinação de sublimiar (SS)...
...pose of to measure the networks virtualization technologies performance supported by OpenStack platform, this paper aims to compare the networks virtualization performance utilizing the VXLAN and GRE tunneling protocols, with Linux Bridge and Open vSwitch. To evaluate performance and scalability of cloud infrastructure, were analyzed metrics as throughput, packets loss, latency and jitter for connection fl...
...veis. Com o intuito de avaliar o desempenho das tecnologias de virtualização de redes suportadas pela plataforma OpenStack, este trabalho visa comparar o desempenho de redes virtuais utilizando os protocolos de tunelamento VXLAN e GRE, com Linux Bridge e Open vSwitch. Para avaliar o desempenho e escalabilidade da infraestrutura de nuvem, foram analisadas métricas como vazão, taxa de perda de pacotes, latência e jitter para fluxos de conexão TCP e UDP usando a ferramenta de geração e medição de...
...S), 5-(4-piridinyl)-1,3,4-oxadiazole-2-thiol (Hpyt), thionicotinamide (TNA) and thioisonicotinamide (iTNA) as a result of the immersion of gold substrates into the respective solutions. STM (Scanning tunneling Microscopy) images indicate the sulfur atom as the adsorption site of these molecules and a hexagonal conformation on surface. For the iTNA molecule, the images were not conclusive. In addition, the ...
...4-dt), 4-mercaptopiridina (pyS), 5-(4-piridil)-1,3,4-oxadiazol-2-tiol (Hpyt), tionicotinamida (TNA) e isotionicotinamida (iTNA) experimentam adsorção espontânea formando SAMs (Self-Assembled Monolayers) como resultado da imersão de substratos de ouro em solução contendo estas espécies. As imagens obtidas por microscopia de varredura por tunelamento (STM – Scanning Tunneling Microscopy) indicam um arranjo próximo do hexagonal com exceção da iTNA cujas imagens não foram conclusivas. Adicionalm...
...interest for reduced dimensionality devices applications. This study led to results regarding the development of theoretical models for the electrical characteristics of devices based on the resonant tunneling mechanism. The results obtained for the current-voltage (I-V) characteristics in the investigated heterostructures were satisfactorily compared to those available at the published literature and this...
...sitivos de dimensionalidade reduzida. Este estudo levou a obtenção de resultados referentes ao desenvolvimento de modelos teóricos para as características elétricas de dispositivos baseados no mecanismo de tunelamento ressonante. Os resultados obtidos para a característica corrente-tensão (I-V) nas heteroestruturas investigadas foram contrastados satisfatoriamente com os encontrados na literatura. Este ferramental analítico foi então aplicado para computar o coeficiente de transmissão eletrôni...
...8,0oC for 80s. The oxynitrides were grown with thickness in the range of 1,50 to 2,95nm with surface microroughness lower than 0,95nmRMS and nitrogen concentration in the range of 1,0 to 2,1%atm. The tunneling characteristics were studied with the aid of MOS capacitor and K-type interfacial traps related to Si(p)/Si?N structure were detected positively charged for VG > 0. The background current in the MOS ...
...idos foram caracterizados fisicamente quanto à espessura (entre 1,50 e 2,95nm), à microrugosidade (<0,95nmRMS) e à concentração de nitrogênio (1,0-2,1%atm). As características de tunelamento foram investigadas em capacitores MOS e apontaram para a existência de armadilhas interfaciais do tipo K capazes de armazenar cargas positivas. Nas células solares MOS, a corrente de fundo foi característica para todos os processos de oxinitretação empregados (~0,5-2µA/cm2) e apresentaram níveis de resp...
...The theory of macroscopic quantum tunneling is generalized in order to describe the relaxation from metastable states of systems with more than one degree of freedom. Initially we study a current biased dc SQUID which constitutes a system of two interacting quantum degrees of freedom coupled to the environment. The decay probability is obtained in the exponential approximation for the overdamped case. Clos...
...Uma generalização da teoria de tunelamento quântico macroscópico é obtida visando descrever o decaimento de sistemas com mais de um grau de liberdade aprisionados em estados meta-estáveis. Inicialmente nós estudamos um dc SQUID controlado por uma corrente externa, que constitui um sistema com dois graus de liberdade quânticos interagentes acoplados ao meio que os cerca. A probabilidade de decaimento é obtida na aproximação exponencial para o caso super-amortecido. Próximo à força crítica d...
...presses the transmission reduction due to the Braess paradox, thus demonstrating that closing the extra path improves the overall transport properties of the system. In the third work, we analyze the tunneling of wave packets between two semiconductor quantum wires separated by a short distance. We investigate the smallest distance at which a significant tunneling between the semiconduting wires still occu...
...re canal extra, se diminui o efeito de redução de corrente devido ao paradoxo de Braess. No terceiro trabalho, realizamos uma análise de tunelamento entre dois fios quânticos separados por uma certa distância e calculamos qual a menor distância para qual ocorre tunelamento significativo nesse sistema eletrônico. Este trabalho é de fundamental importância para o manufaturamento de dispositivos nanoestruturados, porque nos permite investigar qual a distância mínima para a construção de um circ...
...wed that the use of AlN as a piezoelectric tunnel barrier is feasible, since the crystallographic structure remains when the thickness of the AlN is drastically reduced to a thickness so that quantum tunneling is possible. We also held magnetization measurements and tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions. It is important that the coercive fields of the electrodes are different, so that from ...
...el piezoelétrica é viável, pois a estrutura cristalográfica se mantém quando a espessura do AlN é drasticamente reduzida até uma espessura que ocorra o fenômeno de tunelamento quântico. Também foram realizadas medidas de magnetização e de magnetorresistência túnel em junções túnel magnéticas. Nestas, é importante que os campos coercivos dos eletrodos sejam diferentes, para que a partir da aplicação de um campo externo seja possível obter uma situação onde os momentos magnéticos d...
...worldwide concern about the safety of these works. Therefore, it must be emphasized the importance of the ground displacements analysis in ground tunnels constructed by the NATM method (New Austrian tunneling Method), aiming the safety of the work, of neighboring structures and mainly of the human lives involved. Geotechnical instrumentation is just a tool, and not a solution. It can not be limited to the...
...a destas obras. Portanto, ressalta-se a importância da análise dos deslocamentos no maciço em obras de túneis em solo executados pelo método NATM (New Austrian Tunneling Method), visando à segurança da obra, das estruturas vizinhas a obra e, principalmente, das vidas humanas envolvidas. A instrumentação geotécnica é apenas uma ferramenta, e não uma solução. Ela não pode ser limitada à locação de vários pontos de medidas em um gráfico. É necessária a especificação de critérios pa...
...rity carrier, the electron. Surprisingly, when two wells are placed in the active layer, separating the carriers, both current as the excitonic formation and subsequent recombination are subject to a tunneling process by the majority carrier, the hole....
...létron. Surpreendentemente, quando são colocados dois poços na camada ativa, separando os portadores, tanto corrente como a formação excitônica e consequente recombinação, ficam sujeitas a um processo de tunelamento do portador majoritário, o buraco....
...ate transistors), different technologies (1,0nm and 65nm SOI CMOS technology) and as a function of the temperature (1,0K to 4,0K). From the study of the single gate devices, it was evaluated the gate tunneling current influence on GIFBE, the body potential in the neutral region, the recombination rate, the front gate oxide thickness reduction impact, besides the physical dimensions of the transistor. In th...
...erentes tecnologias e em função da temperatura (1,0K a 4,0K). A partir do estudo realizado em dispositivos SOI de porta única analisouse a influência das componentes da corrente de porta que tunelam através do óxido de porta do dispositivo, o potencial da região neutra do corpo do transistor, a taxa de recombinação de portadores, o impacto da redução da espessura do óxido de porta e também as dimensões físicas do transistor. Na análise feita da redução do comprimento de canal, verificou...
...cases, this is, W/B = 2,5 and 1,0. However, in the great majority of CDP's with W/B = 2,5, it was obtained an anomalous crack propagation during testing, in other words, they presented an accentuated tunneling due to a high plane tension state near the CDP´s lateral faces, even with the side groove of 20% thickness. The specimens with W/B = 1,0 were capable to produce J-R curves with straight crack fronts...
... valor de a/W. Entretanto, na grande maioria dos CDP's, foi obtida uma propagação dúctil de trinca anômala, ou seja, trincas que apresentam um tunelamento acentuado, decorrente de um elevado estado de tensão plana próximo das laterais, mesmo com o entalhe lateral de 20% da espessura. Os corpos-de-prova com W/B = 1,0 foram capazes de produzir curvas J-R, sem que as trincas apresentassem tunelamento e que os valores médios de trinca (ai e af) medidos conforme a norma (ASTM, 20,5), são bastan...
...S), 5-(4-piridinyl)-1,3,4-oxadiazole-2-thiol (Hpyt), thionicotinamide (TNA) and thioisonicotinamide (iTNA) as a result of the immersion of gold substrates into the respective solutions. STM (Scanning tunneling Microscopy) images indicate the sulfur atom as the adsorption site of these molecules and a hexagonal conformation on surface. For the iTNA molecule, the images were not conclusive. In addition, the ...
...4-dt), 4-mercaptopiridina (pyS), 5-(4-piridil)-1,3,4-oxadiazol-2-tiol (Hpyt), tionicotinamida (TNA) e isotionicotinamida (iTNA) experimentam adsorção espontânea formando SAMs (Self-Assembled Monolayers) como resultado da imersão de substratos de ouro em solução contendo estas espécies. As imagens obtidas por microscopia de varredura por tunelamento (STM – Scanning Tunneling Microscopy) indicam um arranjo próximo do hexagonal com exceção da iTNA cujas imagens não foram conclusivas. Adicionalm...
...me of PPV decreases substantially for well thicknesses below 5 nm as a result of exciton self-annihilation. Thus, the MQW structures obtained by SA-LbL technique can be used to study energy transfer, tunneling effects and to build up new optoelectronic devices with greater efficiency....
...om espessuras abaixo de 5 nm como resultado da auto-aniquilação do exciton. Dessa forma, as estruturas de MQW obtidos pela técnica de SA-LbL podem ser usadas para estudar a transferência de energia, efeitos túneis e para a construção de novos dispositivos optoelectrónicos com maior eficiência....
...ed, we gathered knowledge about the mechanisms that formed such structures. Towards the goal of studying molecular self-assembly, we have employed proper surface sensitive techniques such as Scanning tunneling Microscopy, Scanning tunneling Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Such techniques allowed us to obtain the structural and electronic properties of the nanostructures formed...
...perimentos para elucidar os mecanismos que possibilitam formar tais estruturas. Com o intuito de estudar auto-organização molecular, nós empregamos técnicas sensíveis a superfícies como a Microscopia de tunelamento, Espectroscopia de tunelamento e Espectroscopia de Fotoemissão por Raios-X. Tais técnicas possibilitam a obtenção das propriedades estruturais e eletrônicas das nanoestruturas formadas...
... been proposed to meet the growing interest in technologies supporting mobility in IP networks. MPA (Mobility Plane Architecture), developed at the FEEC/Unicamp, is a micro-mobility solution based on tunneling of packets that employs only well standardized protocols. When applications for supporting seamless handover and traffic engineering in MPA started to be designed, it was noticed that these applicati...
...s para atender ao crescente interesse por tecnologias de mobilidade IP. MPA (Mobility Plane Architecture), desenvolvida na FEEC/Unicamp, é uma solução de micromobilidade baseada em tunelamento de pacotes que emprega apenas protocolos bem estabelecidos. Quando estudou-se aplicações para melhoria de desempenho em handover e engenharia de tráfego na arquitetura MPA, verificou-se que estas aplicações necessitavam serviços comuns. Este trabalho descreve a plataforma MIS (Mobility Infrastructur...
...or holes or can stay in a neutral state and b) traps generated from broken Si-O-Si chains during the oxynitridation. The traps created at the interface and in the oxynitride bulk, both influenced the tunneling mechanism through the gate dielectrics, which was predominantly a trap assisted tunneling (TAT). For VG = -1V, the current density of the Al-gate MOS tunnel diodes reached 64mA/cm2, a value which is ...
...madilhas geradas devido à quebra das cadeias Si-O-Si durante a oxinitretação. As armadilhas criadas durante a nitretação térmica rápida, tanto na interface como no corpo, influíram no mecanismo de tunelamento através do dielétrico de porta que foi predominantemente do tipo tunelamento assistido por armadilhas (TAT). A partir da característica J-V típica de diodos túnel MOS com porta de Al, verificou-se para VG =-1V que os níveis de densidade de corrente atingem 64mA/cm2, valor que é superi...
...ing steel fibers became possible, through the years, by it¿s economical and technical viability. It¿s wide range of utilization in civil construction, in several success work cases, made the modern tunneling industry realize the necessity of studding it as well. Concrete Segmental Lining Rings placed by TBMs - Tunnel Boring Machines - have been produced with Steel Fiber in the ultimate reference jobs aro...
...o, ao longo dos anos, como alternativa econômica e tecnicamente viável para diversos tipos de aplicações . Sua ampla utilização na indústria da construção mundial, em diversos casos de sucesso, despertou interesse também do segmento tuneleiro moderno. Passou-se a utilizar fibras para reforçar o concreto das aduelas dos anéis montados por tuneladoras (TBM- Tunnel Boring Machines ¿ máquina de escavar túneis) nas principais obras ao redor mundo. Desta forma, após diversos anos sem obras impo...
...This work was motivated by several difficulties found when studying the article by M . Ueda, Transmission Spectrum of a tunneling Particle Interacting with Dynamical Fields: Real-Time Functional-Integral Approach, Phys. Rev. B 54, 86,6 (19,6). In that paper, using a real-time formalism, a tunneling particle is described by complex traversal times of tunneling. In the present work we propose a broader real-...
...Este trabalho foi motivado por várias dificuldades encontradas no estudo do artigo de M. Ueda, Transmission Spectrum of a Tunneling Particle Interacting with Dynamical Fields: Real- Time Functional Integral Approach, Phys. Rev. B 54, 86,6 (19,6). Nesse artigo, num formalismo de tempo real, é descrito o tunelamento de uma partícula através de uma barreira utilizando tempos não reais de travessia através dessa barreira. No presente trabalho é proposto um formalismo mais amplo de tempo real pa...
...This work aims to study the nanowire tunneling field effect transistors (NW-TFET). The analyses were performed based on theoretical explanations, numerical simulations and experimental data. In order to improve the NW-TFET performance, it was used devices with different source compositions, such as Si, SiGe alloy and Ge, besides different thicknesses of HfO2 for the gate dielectric. With the aid of numeric...
...Este trabalho teve como objetivo estudar os transistores de tunelamento por efeito de campo em estruturas de nanofio (NW-TFET), sendo realizado através de analises com base em explicações teóricas, simulações numéricas e medidas experimentais. A fim de avaliar melhorar o desempenho do NW-TFET, este trabalho utilizou dispositivos com diferentes materiais de fonte, sendo eles: Si, liga SiGe e Ge, além da variação da espessura de HfO2 no material do dielétrico de porta. Com o auxílio de simulaç...
... and neutron diffraction experiments. In summary, the research described in this thesis was focused in the study of the magnetocrystalline and magnetoelectric coupling in half-metallic materials with tunneling magnetoresistance, as well as in multiferroics. Further development of this area is a basic and necessary condition to bring life to a new generation of devices related to spintronics...
...e difração de raios-x ou nêutrons. De maneira geral, o trabalho descrito nesta obra esteve focado no estudo dos acoplamentos magnetocristalino e magnetoelétrico em materiais meio-metálicos que apresentam magnetoresistência de tunelamento e em multiferróicos. O desenvolvimento desta área é condição básica e necessária para viabilizar uma nova geração de dispositivos relacionados à spintrônica...
...This works presents the study of tunneling field effect transistors, namely TFETs. Analyses were performed based on theoretical explanations, numerical simulations and experimental data in order to show this technology suitability as an alternative for the continuous devices scaling. The basic idea of making use of band-to-band tunneling as the main current component comes from the possibility of reaching ...
...Este trabalho apresenta o estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo, denominados TFETs. Foram realizadas análises com base em explicação teórica, simulação numérica e medidas experimentais para demonstrar a viabilidade do uso desta tecnologia como alternativa para permitir o contínuo escalamento de dispositivos. A motivação para o uso de transistores com corrente principal resultante do tunelamento de banda para banda consiste na proposta de superar o limite físico ...
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