A deposição por pulverização catódica é um processo de revestimento por cobertura baseado num fenômeno de transferência de quantidade de movimento, no qual íons positivos são acelerados por um campo eléctrico até à superfície de um alvo (do material que irá constituir o revestimento).
Meaning
It is a process which uses the ions of an inert gas for atoms dislodgement from the surface of a crystalline material. The atoms are then electrically deposited to form an extremely thin coating on a glass, metal, plastic, or other surface. (http://www.metaglossary...)
Banco de Glossários (traduções não verificadas)
Área
Inglês
Português
Qualidade
Téc/Geral
sputtering
pulverização catódica
Téc/Geral
sputtering
pulverização catódica
Téc/Geral
sputtering
pulverização
Téc/Geral
sputtering
pulverização catódica
Téc/Geral
sputtering target
pulverização catódica
Frases traduzidas contendo "sputtering"
The films were obtained by chemical deposition techniques in vapor phase (LPCVD), dc sputtering and rapid thermal oxidation (RTO).
Os filmes foram obtidos pelas técnicas de deposição química em fase vapor (LPCVD), sputtering dc e oxidação térmica rápida (RTO).
in this module, we have produced Co granular samples embedded in SiO2/CoO insulating/antifferomagnetic matrix through a sequential deposition by magnetron sputtering. in order to study the exchange bias of Co grains laterally surrounded by CoO. Were perfomed measurements of transmission eletronic microscopy (TEM), x-ray diffraction (XRD), measures low fields thermomagnetics (ZFC-FC), to obtain answers of the structural and magnétic charater of the samples.
neste módulo foram produzidas amostras granulares de Co imersos em matriz isolante/antiferromagnética de SiO2/CoO pela deposição alternada do metal e dos isolantes por magnetron sputtering , com a finalidade de estudar a evolução do exchange bias entre os grãos de Co que estão lateralmente envolvidos por CoO. Foram realizadas medidas de Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM), Difração de raios-X (XRD), medidas termomagnéticas a baixos campos (ZFC-FC), para obter respostas quanto ao caráter estrutural e magnético das amostras.
The evaluation was done according to the test method of ASTM C 12,2 (rapid chlorine penetration test) at 28 and 91 days in specimens of dimensions 100,51mm and by the silver nitrate sputtering chlorides penetration test (EPCANP ) that allows the determination of the diffusion coefficient of chlorides (K).
A avaliação foi feita segundo o método de ensaio da ASTM C 12,2 (teste rápido de penetração de cloretos) aos 28 e 91 dias, em corpos de prova de dimensões 100,51mm, e pelo ensaio de penetração de cloretos por aspersão de nitrato de prata (EPCANP) que possibilita a determinação do coeficiente de difusão de cloretos (K).
A beam of cluster ions is produced, characterized and deposited under ultra high vacuum (UHV) conditions, using a magnetron sputtering cluster source.
Para isso, desenvolvemos e construímos uma fonte para a produção de agregados com um número controlável de átomos, com a intenção de produzir partículas com 2 até 1,0 átomos.
Ta20S films were obtained from tantalum and tantalum nitride deposited by sputtering and nitrogen reactive sputtering.
Os filmes de Ta20S foram obtidos a partir de filmes fmos de tântalo e nitreto de tântalo depositados por sputtering e sputtering reativo com nitrogênio, respectivamente.
in this module, we report the preparation of nanocrystalline 'GA IND.1-x'MN IND. XN' films (0,00 'MENOR' x 'MENOR' 0,18) by reactive RF-magnetron sputtering technique.
neste módulo, descrevemos a preparação de filmes nanocristalinos de 'GA IND.1-x'MN IND. XN' com diferentes conteúdos de Mn (0,00 'MENOR' x 'MENOR' 0,18) pela técnica de RF-magnetron sputtering reativo.
We studied the influence of the deposition parameters in the structural and magnetic properties of the samples and otimized the growth of thin films of Ni81Fe19 by magnetron sputtering.
Estudamos a influência dos parâmetros de deposição nas propriedades estruturais e magnéticas das amostras e otimizamos o crescimento de filmes finos de Ni81Fe19 pela técnica de magnetron sputtering.
The sputtering technique is an alternative route to produce such materials.
A técnica de sputtering é uma rota alternativa e mais simples para a produção destes materiais.
The films were produced by electrophoresis process for SnO2 and TiO2 deposition and by sputtering process for Ag deposition followed by 4,0°C thermal treatment for 1 hour.
Entre os catalisadores, o que apresentou maior atividade foi o TiO2 com 0,5% Ag e temperatura de calcinação de 5,0°C, com 1,0% de descoloração do corante em 60 minutos de radiação.
in this module we built an optical Kerr effect magnetometer Longitudinal (L-MOKE) and measured the magnetization of thin films produced by the technique of "magnetron sputtering".
neste módulo construímos um magnetômetro ótico de efeito Kerr Longitudinal (L-MOKE) e realizamos medidas de magnetização de filmes finos produzidos pela técnica de magnetron sputtering .
in this module we have studied multilayered films prepared by magnetron sputtering. with general formula Ni(x)[Nb(y)/Ni(x)]n, where x and y are fixed thicknesses (4 º A to 20 º A and 87 º A to 2,0 º A), and n is the number of bi-layers of Ni/Nb.
neste módulo foram estudados filmes multicamadas preparados por magnetron sputtering, com fórmula geral Ni(x)[Nb(y)/Ni(x)]n, onde x e y são espessuras fixas (4 º A até 20 º A e 87 º A até 2,0 º A) e n é o número de bicamadas de Ni/Nb.
For the samarium case we used also a DC sputtering apparatus using a sintered target built with powder from Goldschmidt Co.
Para Pr, Nd, e Sm, obtivemos filmes por "flash evaporation" em uma unidade de evaporação Balzers, usando Ta e W como fontes de evaporação.
During the thin films deposition by magnetron sputtering. an uniaxial effective anisotropy can be induced due to the presence of a magnetic field over the sputtering guns and the relative motion of the substrate.
Na deposição de filmes finos pela técnica de "magnetron sputtering" pode-se induzir nas amostras uma anisotropia efetiva uniaxial durante a deposição, em virtude da existência do campo magnético nos canhões e do movimento do substrato sobre esses.
Magnetic tunnel junctions (MTJ) ofCoFeB=MgO=CoFeB and multilayers of (CoFeB=MgO)x3 were produced using the technique of magnetron sputtering. where the insulating film was grown in an atmosphere reactive Ar +O. Multilayers were produced on measures of X-ray difraction and magnetization.
Junções túnel magnéticas (MTJ) deCoFeB=MgO=CoFeB e multicamadas deCoFeB=MgO)x3 foram produzidas utilizando a técnica de magnetron sputtering, onde o filme isolante foi crescido em atmosfera reativas, Ar+O. As multicamadas foram produzidas visando medidas de difração de raio-X (XRD) e magnetização.
To the purpose, TiO2 films were grown by RF magnetron sputtering technique in different conditions.
Para isso, filmes Ti)2 foram crescidos usando a técnica de RF magnetron sputtering em diferentes condições.
In a previous study by our group, the feasibility of AAA sputtering in argon plasmas for thin films deposition was demonstrated.
Em trabalho prévio do grupo, foi demonstrada a viabilidade do sputtering do AAA em plasmas de argônio para deposição de filmes finos.
Tin-doped Indium Oxide (ITO) films were prepared by the, reactive RF sputtering technique.
Filmes de Óxido de indio dopado com estanho (ITO) foram preparados pela técnica de sputtering RF reativo.
in this module, Co doped SnO2 thin films were grown on LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) substrates using sputtering DC/RF growing technique by co-evaporation method and Pulsed laser Deposition (PLD).
neste módulo, filmes finos de SnO2 dopados com cobalto foram crescidos sobre substratos de LaAlO3 (LAO) e SrTiO3 (STO) usando a técnica de sputtering DC/RF pelo mé- todo de co-evaporação e a técnica de Deposição assistida por Laser Pulsado (PLD).
Particularly, the sputtering technique allows these films growth.
Em particular, a técnica de deposição por desbastamento iônico (sputtering) permite o crescimento destes filmes.
The preparation of several samples of Gallium Nitride (GaN) thin films, deposited onto different kinds of substrates by Reactive RD - Magnetron sputtering. in pure Nitrogen ('N POT. 2') atmosphere with different substrate temperatures (< 4,0ºC) is described.
Descreve-se a preparação de várias amostras de filmes finos de Nitreto de Gálio (GaN), depositados sobre diferentes tipos de substratos pela utilização da técnica de RF-Magnetron Sputtering Reativo, utilizando-se atmosfera de nitrogênio ('N POT. 2') com diferentes temperaturas de substrato (< 4,0ºC).
in this module, the synthesis of thin films of BiVO4 and WO3-CuWO4 by spin coating and sputtering. respectively, was studied.
neste módulo, estudou-se a síntese de filmes finos de BiVO4 e WO3-CuWO4 por spin coating e sputtering, respectivamente.
Metallic cocatalysts, known as promoters of photocatalytic processes, were added to the NTs by two different methodologies: i) The in situ decoration of Au NPs during the anodization process and ii) the NTs decoration by sputtering Pt and Au targets over the NTs.
Cocatalisadores metálicos, os quais melhoram a eficiência dos fotocatalisadores, foram adicionados aos NTs através de duas metodologias diferentes: i)A decoração in situ de nanopartículas (NPs) de Au durante a anodização e ii) a decoração dos NTs com Pt e Au pelo método de sputtering.
It was analyzed and argued the influence of the power of the generator, sputtering time, type of gas and pressure of work on the angle of contact with water.
Este trabalho é a primeira etapa do projeto de modificação da superfície de alumínio coordenado pelo professor Edison Bittencourt.
We have grown films, via magnetron sputtering. of NiFe/FeMn (bilayers) with different thickness of the FM layer and film structures of NiFe/IrMn/Ta with different repetitions of the basic s tructure.
Foram crescidos filmes via magnetron sputtering, de NiFe/FeMn (bicamadas) variando a espessura da camada de NiFe e filmes de NiFe/IrMn/Ta com diferentes números de repetições dessa estrutura básica (multicamadas).
In the first part of this work we
investigated GdN / NbN / GdN tri-layer structures grown by reactive sputtering with different
thicknesses of the NbN (dwbn) spacer.
Na pri-
meira parte deste trabalho investigamos estruturas de tri-camadas GdN/NbN/GdN crescidas
por sputtering reativo com diferentes espessuras do espaçador NbN (dw»n).
The samples were produced by magnetron sputtering at the LMMM/UFSM. Barkhausen noise was observed in films as thin as 20nm, a result never reported before in the literature.
As amostras foram produzidas por magnetron sputtering no LMMM/UFSM. Foi observado ruído Barkhausen em filmes finos com espessuras de 20nm, um resultado nunca antes observado.
Magnetron sputtering. as a thin film deposition technique, shows advantage regarding other deposition methods, for example, the equipment can be relatively simple, easy handling, low maintenance cost and, make possible high rate deposition.
A técnica de deposição de filmes magnetron sputtering apresenta muitas vantagens em relação à outros métodos, como por exemplo, a simplicidade do equipamento, o baixo custo de manutenção, fácil manuseio e, a possibilidade de obtenção de altas taxas de deposição.
The boron thin films were manufactured using two methods, Chemical Solution Depostion and sputtering deposition, and irradiated with neutrons at the nuclear reactor IEA-R1 located at IPEN/CNEN. The results obtained for the boron thin films characterization and calibration, as well as the CR-39 detectors calibration are analyzed here.
Os filmes finos de boro foram confeccionados por dois métodos, Deposição de Solução Química (CSD, Chemical Solution Deposition) e deposição por sputtering, e irradiados com nêutrons no reator nuclear IEA-R1 localizado no IPEN/CNEN. Os resultados obtidos para a caracterização e a calibração dos filmes finos de boro, além da calibração dos detectores CR-39 são aqui analisados.
In this paper, optical microscopy and scanning electron microscopy with EDS, on WC-10Co-4Cr sputtering coatings were carried out to study the parameters related to the porosity and microstructure composition.
neste módulo são realizadas análises por microscopia óptica e microscopia eletrônica de varredura com EDS sobre os revestimento aspergido com WC-10Co-4Cr, visando estudar os parâmetros relacionados à porosidade e composição da microestrutura.
The samples were produced by magnetron sputtering at the Laboratório de Magnetistmo e Materiais Magnéticos da UFSM with Py=Ni81Fe19 thickness of 1,0Å and 2,0Å, while the Ag layers were grown with 7Å, 14Å, 25Å, 50Å, 1,0Å and 2,0Å in the case of Py/Ag samples.
As amostras foram produzidas usando a técnica de magnetron sputtering no Laboratório de Magnetismo e Materiais Magnéticos da UFSM com as espessuras de 1,0 e 2,0Å para as camadas de Py=Ni81Fe19 e com as espessuras de 7, 14, 25, 50, 1,0 e 2,0Å para as camadas de Ag, no caso das amostras de Py/Ag.
To evaluate the developed microstrip, it was grown, by magnetron sputtering. Permalloy thin films with thickness ranging from 1,0 to 10,0 nm.
Para avaliar a microstrip desenvolvida foram crescidos, por magnetron sputtering, filmes de Permalloy com espessuras entre 1,0 e 10,0 nm.
in this module ZnO films were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering technique.
neste módulo filmes finos de ZnO foram depositados em substratos de vidro pela técnica de RF magnetron sputtering.
...e (CeP) was used as selective membrane (material developed in the laboratory of Solid State Chemistry-LQES[1]). The TiO2 thin films were obtained by two methods: 1) metallic titanium was deposited by sputtering then was oxidized by rapid thermal oxidation process (RTP); 2) Consist in titanium oxide deposition by sputtering. Titanium dioxide was chosen due to it quality was dielectric constant, ability to fo...
... Solido - LQES[1]). Os filmes finos de TiO2 foram obtidos por dois métodos: i) deposição de titânio metálico por sputtering seguido pelo processo de oxidação térmica rápida (rapid thermal process - RTP); ii) deposição do óxido de titânio por sputtering. Foi escolhido o dióxido de titânio (TiO2) devido as suas características como: alta constante dielétrica, capacidade de formar pontes de hidrogênio e estabilidade química. Os filmes de TiO2, foram caracterizados estruturalmente por espec...
...uence of argon gas pressure of argon gas pressure variation during synthesis of films on the optical and structural properties. The films were deposited on glass and silicon substrate by RF magnetron suputtering technique with a target Zn-Al alloy with a concentration of 2% by weight of aluminum. The XRD analysis of the film showed a preferential peak in the (0,2) - c axis, showing the formation of a wurtzi...
...ação de pressão do gás argônico durante a deposição dos filmes, nas propriedades ópticas e estruturais. Os filmes foram depositados em substrato de vidro e silício pela técnica RF magnetron sputtering com alvo de uma liga de Zn-Al, com uma concentração de 2% em peso de alumínio. As análises de DRX dos filmes apresentam um pico preferencial no plano (0,2) - eixo c, que mostra a formaão de uma estrutura de wurtzita correpondente ao ZnO, e que há um aumento do tamanho do cristalino com a dopa...
...in this modulem two series of grown ZnO thin films deposition on glass substrate by reactive RF magnetron sputtering technique were performed. At first, the influence of temperature on the properties of the grown films in the temperature range from 50 to 2,0ºC was investigated. In the second series, the evolution of the growth dynamics of these films with the time was analyzed using scaling concepts in ord...
...neste módulo, foram realizadas duas séries de deposição de filmes finos de ZnO crescidos sobre substrato de vidro pela técnica de RF magnetron sputtering reativo. Na primeira, investigou-se a influência da temperatura nas propriedades dos filmes crescidos no intervalo de temperatura de 50 a 2,0ºC. Posteriormente, na segunda série, investigou-se a evolução da dinâmica de crescimento destes filmes com o tempo através dos expoentes de escala com a finalidade de identificar os mecanismos su...
...n the form of thick and porous TiO2 films in multilayers modified with niobium, tantalum and tungsten obtained by the Pechini method and the surface modification by the metallic Pt deposition through sputtering. The structural modification of TiO2 with these metals aimed at replacing Ti4+ by Nb5+, Ta5+ and W6+, which promoted, besides the increase in the electron-hole pair recombination time, the generation...
...os estruturalmente com nióbio, tântalo e tungstênio obtidos pelo do método Pechini e pela modificação superficial pela deposição de Pt metálica via sputtering. A modificação estrutural do TiO2 com estes metais visou substituir o Ti4+ por Nb5+, Ta5+ e W6+ o que promoveu além do aumento no tempo de recombinação do par elétron/lacuna e a geração de níveis doadores de elétrons na estrutura cristalina e pela modificação superficial dos filmes com Pt metálica depositados por sputtering que...
...Tungsten Nitride (WN) and Aluminum Nitride (AlN) thin films were deposited by DC sputtering in Nitrogen ambi~nt and characterized in this module. Gallium Arsenide Schottky diodes were used in the characterization of WN films. The diodes were subject to thermal treatments to study the thermal stability of the contacts, as in the fabrication process of MESFET transistors. The diodes characterizations were bas...
...neste módulo são caracterizados filmes finos de WN e AlN obtidos por sputtering DC em ambiente de Nitrogênio. Diodos Schottky sobre GaAs são utilizados para caracterizar os filmes de WN. Os diodos são submetidos a tratamentos térmicos visando o estudo da estabilidade térmica dos contatos, ensaiando a fabricação dos transistores MESFET. A caracterização dos diodos é baseada em medidas I-V para a obtenção do fator de idealidade e da altura de barreira Schottky. Os dispositivos es...
...stabilizing the nano-particles magnetization. in this module, we have produced Co granular samples inside an Al2,3/CoO insulating/antifferomagnetic matrix through a sequential deposition by magnetron sputtering. We aim to explore the couplingmechanisms among the ferromagnetic nanoparticles and the antiferromagnetic matrix. It has been performed measurements of Impedance Spectroscopy (IS), X-ray Difraction (...
...ão e com isso estabilizar a magnetização dos nano-grãos. neste módulo foram produzidas amostras granulares de Co imersos em matriz isolante/antiferromagnética de Al2,3/CoO pela deposição alternada do metal e dos isolantes por magnetron sputtering , com a finalidade de explorar os mecanismos de acoplamento entre os nano-grãos ferromagnéticos e a matriz antiferromagnética. Foram realizadas medidas de Espectroscopia de Impedância (IS), Difração de raios-X (XRD), e magnetização em função da ...
... was deposited using a high vacuum evaporator after this it was oxidized by thermal process using an oven, it was applied a thermal treatment around 4,0ºC during one hour. Silver was deposited using sputtering technique. The tunnel effect or tunneling is characteristic property of the Josephson Junctions, although, this effect occurs just for barriers with thickness below tenth of nm. In this way, we have ...
... vácuo e posteriormente oxidado em um forno a uma temperatura de 4,0ºC durante uma hora; e a prata, depositada com a técnica de Sputtering. O efeito túnel ou tunelamento é característico em Junções Josephson. No entanto, para que esse efeito ocorra é necessário que a espessura do isolante seja da ordem de 10 Å. Portanto, trabalhamos de tal forma que a deposição fosse feita para que obtivessemos isolantes com essa espessura. Os resultados obtidos com as medidas de corrente e voltagem mostraram...
...ilms are characterized by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, optical transmission, Raman scattering, and by magnetization measurements. The main differece between the GaMnN grown by sputtering and those grown by MOVPE relates to their microstructure (polycrystalline/monocrystalline) and Mn content (up to 9%/1% respectively). The high Mn content in GaMnN samples grown by sputtering is proba...
...ncia óptica e espalhaçamento Raman, e magneticamente por medidas magnetização versus campo aplicado e versus temperatura. As principais diferenças entre os filmes de GaMnN preparados por sputerring e MOVPE referem-se à microestrutura e ao conteúdo de Mn: os primeiros são policristalinos e apresentam conteúdo de Mn até 9%, enquanto os últimos são monocristalinos com concentração de Mn até 1%. A alta concentraçao de Mn nos filmes crescidos por sputtering é possivelmente responsável pelo su...
...Chemical Vapor Deposition, which are very expensive techniques and require special condition like high temperature of growth. One alternative route is to use growth techniques like reactive magnetron sputtering. The advantage of sputtering technique is the low cost and the possibility to grow film at relatively low temperature. in this module, we perform measurements of photoluminescence, Raman spectroscopy...
...ion, MOCVD), que são técnicas de crescimento muito caras e necessitam de condições especiais de substrato, tal como alta temperatura de crescimento. Uma alternativa é a utilização de técnicas de crescimento como o Sputerring. A vantagem desta técnica de sputerring é o baixo custo e a possibilidade de crescimento de filme em temperatura relativamente baixa. neste módulo, foram realizadas medidas de fotoluminescência, espectroscopia Raman e espectroscopia no infravermelho nos filmes de Ga1-xMnxN...
... in the film, the copper oxide II composition was attained. Different classes of oxides, such as bronzes, complex oxides, mixed oxides and the pure oxides were obtained. The samples were deposited by sputtering. The characterization was performed using X-Ray diffraction, Rutherford Backscattering spectrometry, X-Ray Photoemission Spectroscopy, X-Ray Absorption Spectroscopy (mainly XANES) and Atomic Force Mi...
...ravés de acréscimos de cobre e decréscimos de vanádio, atingindo o óxido de cobre II. Óxidos bronzes, complexos, mistos e puros foram obtidos. As amostras foram depositadas através da técnica de sputtering. Na caracterização das amostras foram utilizadas técnicas de difração de raios-X, retroespalhamento Rutherford, emissão de fotoelétrons de raios-X, absorção de raios-X (XANES) e microscopia de força atômica. A inserção de íons de lítio foi realizada através da cronopotenci...
...(SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and electrochemical measurements. The SEM images present an apparent enhancement of the surface roughness after the treatment probably due to the surface sputtering during the PIII process. This observation is in agreement with the specific electrochemical surface area (SESA) of RVC electrodes. An increase was observed of the SESA values for the PIII treated sam...
..., espectroscopia de fotoelétrons de raios-X (XPS) e medidas eletroquímicas. As imagens MEV apresentaram um aumento aparente na rugosidade da superfície após o tratamento, provavelmente, devido ao sputtering da superfície durante o processo de 3IP. Esta observação está de acordo com a área superficial específica eletroquímica (SESA) dos eletrodos de CVR. Foi observado um aumento na área SESA para as amostras tratadas por 3IP em comparação com a amostra não tratada. Alguns grupo...
...rties, and even the transition temperature, depend on the morphologic characteristics of the metal. in this module, vanadium oxide nanolayers were deposited onto glass substrate by reactive magnetron sputtering. The aim was to obtain the best deposition parameters, like substrate temperature (Ts) and oxygen partial pressure (PO2), for the VO2,1 phase synthesis. Samples deposited with oxygen partial pressure...
...a própria temperatura de transição dependem das características morfológicas do material. neste módulo, nano-camadas de óxido de Vanádio foram produzidas sobre substratos de vidro pela técnica de magnetron sputtering reativo, visando determinar os parâmetros de deposição, em especial a temperatura do substrato (Ts) e pressão parcial de Oxigênio (PO2), adequadas para a obtenção da fase VO2,1. Amostras depositadas com pressões parciais de Oxigênio entre 10 e 20% da pressão total e Ts=4,0...
...Stress (internal and thermal), mechanical failures and adhesion were studied for Nb/Pd polycrystalline films, deposited by sputtering and evaporation techniques. A dependence between residual stress and depositions conditions, mainly with the plasma pressure in sputtered films was observed. Specific patterns characterize the failures by cracking and buckling, with occur depending on residual stress film thi...
...Fizemos um estudo da tensão mecânica (interna e térmica), falhas mecânicas e adesão, em filmes poli cristalinos de Nb/Pd depositados pelas técnicas de "sputtering" e evaporação. Observou-se que a tensão residual depende das condições de deposição, em especial da pressão do gás do plasma de argônio nos filmes obtidos por "sputtering" .Verificou-se também que padrões caracterizam as falhas por trincas e descolamentos, as quais ocorrem dependentemente dos parâmetros tensão residual, espes...
...AC) and low frequency (15 - 40 kHz), responsible for initiating and sustaining the electric field used for plasma generation. This FAP was used to deposit AZO thin films by the technique of magnetron sputtering. The analysis of the morphological, optical and electrical characteristics of the AZO films produced in this module resulted in more than 80% transmittance, band gap energy value of 3,82eV, and resis...
...rrente alternada (AC) em baixa frequência, operando entre 15 a 40 kHz, responsável por iniciar e sustentar o campo elétrico utilizado para a geração do plasma. Esta FAP foi utilizada para a deposição de filmes finos de (AZO) por meio da técnica de magnetron sputtering. A análise das características morfológicas, ópticas e elétricas dos filmes de AZO produzidos neste estudo resultaram em uma transmitância superior a 80%, energia de band gap de 3,82 eV, e resistividade de 1,46.10,3 .cm, per...
...vices is the niobium (Nb) and its alloys. Although Nb has been known as superconductor since 19,0, the interest in excellent films of this material still remains. in this module, using a DC magnetron sputtering technique, we have developed an experimental method that allows one to produce superconducting Nb films of good quality - transition temperature of 9,1 K and transition width of 0,2 K. Therefo...
...er conhecido como supercondutor desde 19,0, o interesse em excelentes filmes desse material ainda persiste. neste módulo, utilizamos a técnica de magnetron sputtering DC, com a qual estabelecemos uma rotina experimental que possibilitou produzir filmes supercondutores de Nb de boa qualidade - temperatura crítica de 9,1 K e largura de transição de 0,2 K. Para tanto, realizamos um estudo sistemático de como os valores dos parâmetros experimentais influenciam nas propriedades estruturais e supe...
...oric acid for 1 min; GHF5 – glaze application + hydrofluoric acid for 5 min; GHF15 – glaze application + hydrofluoric acid for 15 min; and Nano – silica nanofilm deposition (5 nm) via magnetron sputtering. All groups received silane coupling agent application. The preparations surfaces were etched with 10% hydrofluoric acid for 30 s and silanized. Crowns were cemented with resin cement, thermocycled (...
...GHF5- aplicação de glaze + ácido fluorídrico por 5 min; GHF15- aplicação de glaze + ácido fluorídrico por 15 min; e Nano- deposição de nanofilme de sílica (5 nm) via desbastamento iônico. Todos os grupos receberam aplicação de um agente de união silano. As superfícies dos preparos foram condicionadas com ácido fluorídrico 10% por 30 s e silanizadas. As coroas foram cimentadas com um cimento resinoso, termocicladas (12,000 ciclos; 5 / 55 °C), armazenadas por 60 dias e submetidas ao teste...
...Aluminum zinc oxide (AZO) thin films were synthesized on glass substrates by radiofrequency (RF) magnetron sputtering of a Zn-Al (5at% Al) target of 99,999% purity at ambient temperature. The structural, electrical, optical and morphological properties of the films were investigated as a function of the argon pressure, which was varied from 10 to 50 mTorr. X-ray diffraction (XRD) analyses revealed that the ...
...Filme finos de AZO foram sintetizados sobre substratos de vidro utilizando um alvo de Zn-Al (5% at Al) com 99,999% de pureza através da técnica RF magnetron sputtering reativo a temperatura ambiente. As propriedades estruturais, elétricas, ópticas e morfológicas foram investigadas em função da variação da pressão de argônio no intervalo de 10 a 50 mTorr. As análises de DXR revelaram que os filmes obtidos são policristalinos come estrutura hexagonal wurtzita e orientação preferencial no plan...
...ng the concept of microbatteries. in this module one of this components is studied: the cathode. Hence, thin films of molybdenum oxide and molybdenum/nickel oxides were prepared by reactive magnetron sputtering in distinct deposition conditions, aiming their use in rechargeable lithium microbatteries. The influence of the variation of the deposition conditions on the structure, composition and performance o...
... microbaterias. O presente trabalho procura estudar uma das componentes de microbaterias: os catodos. Filmes finos de óxido de molibdênio e óxidos mistos de molibdênio/níquel foram preparados pela técnica de magnetron sputtering reativo, em diferentes condições de deposição, visando seu uso como catodos em microbaterias recarregáveis de lítio. Estudou-se a influência das variações das condições de deposição sobre a estrutura, composição e performance dos materiais obtidos. No caso dos...
...rs (MOVPE), nevertheless these are high techniques. This work brings into focus the preparation and characterization of polycrystalline GaN films by the alternative technique of reactive RF magnetron sputtering with different temperatures and substrates. The effects of varying theses two parameters on structured and optical properties of these films were analysed. Therefore, X-ray diffraction, atomic force ...
...recursores metalorgânicos (MOVPE), porém tais técnicas possuem um elevado custo. Este trabalho discorre sobre a preparação e caracterização de filmes policristalinos de GaN pela técnica alternativa de RF magnetron sputtering reativo com diferentes temperaturas e tipos de substratos. Analisou-se o efeito da variação destes dois parâmetros sobre estrutura e propriedades ópticas destes filmes. Utilizou-se medidas de difração de raios-X, microscopia de força atômica, transmitância no ultravio...
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