The basic substrate for device fabrication was a conventional 4" silicon wafer.
O substrato básico para a fabricação do dispositivo foi uma pastilha de silício convencional de 4”.
The basic substrate for device fabrication was a conventional 4" silicon wafer.
O substrato básico para a fabricação do dispositivo foi uma pastilha de silício convencional de 4”.
The thick photoresist was chosen to serve as a mask for silicon etching by Deep Reaction Ion Etching (DRIE) through the entire thickness of the silicon wafer.
O fotorresiste espesso foi escolhido para servir de máscara para a corrosão de silício por Corrosão Iônica Reativa Profunda (DRIE) através de toda a espessura da pastilha de silício.
in this module, it was studied chemical depositions of CuNixPy alloys and it was fabricated Cu/CuNixPy thermocouples onto silicon wafer surfaces.
neste módulo foram estudadas deposições químicas de ligas CuNixPy e foram fabricados termopares Cu/CuNixPy sobre superfícies de lâminas de silício.
The thick photoresist was chosen to serve as a mask for silicon etching by Deep Reaction Ion Etching (DRIE) through the entire thickness of the silicon wafer.
O fotorresiste espesso foi escolhido para servir de máscara para a corrosão de silício por Corrosão Iônica Reativa Profunda (DRIE) através de toda a espessura da pastilha de silício.
This dissertation describes a study of surface properties of graphene obtained by chemical vapor deposition (CVD) to evaluate its hydrophobicity and wetting transparency of this material deposited onto several hard substrates, for instance silicon wafer. glass, etc.
Esta obra relata um estudo das propriedades de superfície do grafeno obtido via deposição química na fase vapor (CVD) para avaliação da sua hidrofobicidade e transparência da molhabilidade, quando esse material se encontra depositado em diferentes substratos rígidos, tais como wafer de silício, vidro, entre outros.
Hafnium aluminates (AlxHf1-xOy) were obtained on (1,0) silicon wafer surfaces by Atomic Layer Deposition (ALD) for different hafnium molar ratios (25, 50 or 75%) and for different treatments (10,0ºC, 60s in N2 or N2+O2 or laser).
Os aluminatos de háfnio (AlxHf1-xOy) foram obtidos sobre p-Si (1,0), através de deposição atômica por camadas (ALD) para diferentes proporções molares de háfnio (25, 50 ou 75%) e para diferentes tratamentos posteriores (10,0ºC, 60s em N2 ou N2+O2 ou laser).
...its. as the digital circuits, can be fabricated with semi-custom master-slíces. When using this technique, the design engineer needs only to make the ínterconnectíon of pre-diffused devices on the silicon wafer. Among the advantages of using this lmethodology. we can mention: low cost. fast design turn-around time. easy and quick correction of eventual mistakes. extremely fast processing turn-around for the...
..., ser confeccionados usando circuitos integrados semidedicados ("semi-custom"). Com esta técnica o projetista necessita apenas realizar as interconexões entre os dispositivos pré-difundidos na lâmina de silício. Entre as várias vantagens da utilização desta metodologia de projeto, podemos citar: baixo custo; rapidez na execução do projeto; rapidez na correção de algum eventual erro no projeto; rapidez na confecção do circuito integrado. neste módulo apresentamos o projeto de um "chip semi-cust...
...ed using a digital picoammeter, and an increase in the resistance was measured. This result shows that the membrane is suitable to be applied as electrostatic filter. A channel was constructed on the silicon wafer using a laser beam for the deposition of fibers inside the channel using the electrodynamic focusing technique. The quartz crystal microbalance technique was used to determine the applicability of th...
...metro digital, visando aplicação como filtro eletrostático. Foi construído canal na lâmina de silício usando um feixe de laser visando a deposição de fibras dentro do canal usando a técnica de focagem eletrodinâmica com tensão aplicada em máscaras de cobre. Foi usada a técnica da microbalança de cristal de quartzo para determinar a variação de massa adsorvida por membranas de PAN/CuPc e PVDF/CuPc por meio da medida da variação de frequência usando um frequencímetro digital, onde se observ...
...We have investigated in this module the electroless deposition processes of cobalt thin films on silicon wafer surfaces, (1,0) P type, previously activated with palladium and we have studied some chemical mechanisms by which the electroless deposition of cobalt may occur. The morphology of the cobalt thin films were characterized with the aid of atomic force microscope (AFM) and Rutherford Backscattering spect...
...neste módulo investigamos a deposição química de filmes finos de cobalto sobre superfícies de lâminas de silício, tipo P (1,0), previamente ativadas com paládio e estudamos alguns mecanismos químicos envolvidos no processo de deposição química de filmes finos de cobalto. Os filmes de cobalto foram caracterizados quanto sua morfologia utilizando técnicas de Microscopia de Força Atômica (AFM) e Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS).Estudamos dois tipos de banho para deposição...
...In the present work, we study films CdTe electrodeposited galvanostatically from aqueous acidic solution (pH<1) onto n-type monocrystalline silicon wafer (1,1). The optimum current density to obtain good crystalline quality CdTe films was found to be 0,3 mA/cm2. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and photoacoustic spectroscopy (PAS). The CdTe films were ...
...No presente trabalho, estudamos filmes finos de CdTe eletrodepositados galvanostaticamente em meio aquoso ácido (pH<1) sobre silício monocristalino, tipo-n, (1,1). A densidade de corrente de 0,3 mA/cm2 permitiu a obtenção de filmes de melhor qualidade. Os filmes foram caracterizados por microscopia eletrônica de varredura (SEM), difração de raios-X (XRD) e espectroscopia fotoacústica (PAS). Obtivemos depósitos que cobriram efetivamente o substrato tanto a temperatura ambiente quanto a 85 ºC....
...am, 2 MeV, 10 nA to 1,0 nA) or ultraviolet (UVC) radiation. These films were also tested on miniaturized devices. Two different plasma- equipment were used and the main substrates for deposition were silicon wafer. piezoelectric quartz crystal and acrylics. The characterization procedures used: profilometer (thickness determination), ellipsometer (refractive index measurement); Infrared (FTIR) and x-ray photoe...
...V, 10 nA a 1,0 nA) e a radiação ultravioleta (UVC) e foram testados em dispositivos miniaturizados. Foram utilizados dois equipamentos de plasma distintos para a produção dos filmes e vários substratos para deposição: lâminas de silício, cristais piezelétricos de quartzo e acrílico, principalmente. Uma série de caracterizações foi providenciada: Perfilometria (determinação de espessura); Elipsometria (medidas do índice de refração); Espectroscopia de Infravermelho e Espectroscopia de Fotoe...
...in this module, it was investigated MOS capacitors fabricated onto periodic rectangular shapes, 1,0 nm in height, obtained by localized plasma etching onto silicon wafer surfaces. 4,5-nm gate oxide growth was performed in ultrapure dry O2 or pyrogenic environments in order to compare the coverage uniformity at the step edges of rectangular shapes defined onto the silicon surfaces. It was shown that pyrogenic a...
...neste módulo, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 1,0 nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de O2 ou pirogênico a fim de comparar a uniformidade de cobertura sobre os degraus verticais dos perfis retangulares. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 8,0 ºC permite obter óxidos ...
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