The memory 84 may include at least one type of storage medium including a hard disk type, a card-type memory (for example, SD or XD memory, etc), a flash memory, a Random Access Memory (RAM), a Read-Only Memory (ROM), and the like.
A memória 84 pode incluir pelo menos um tipo de meio de armazenamento, incluindo um tipo disco rígido, uma memória do tipo cartão (por exemplo, memória SD ou XD etc.), uma memória flash, uma Memória de acesso aleatório (RAM), uma Memória Somente para Leitura (ROM), entre outros.
b) Traduções gerais inglês para português
(Expressão Fixa)
Exemplos de tradução
The memory 84 may include at least one type of storage medium including a hard disk type, a card-type memory (for example, SD or XD memory, etc), a flash memory, a Random Access Memory (RAM), a Read-Only Memory (ROM), and the like.
A memória 84 pode incluir pelo menos um tipo de meio de armazenamento, incluindo um tipo disco rígido, uma memória do tipo cartão (por exemplo, memória SD ou XD etc.), uma memória flash, uma memória de acesso aleatório (RAM), uma Memória Somente para Leitura (ROM), entre outros.
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Área
Inglês
Português
Qualidade
Informática
Random Access Memory
memória RAM
Petróleo
Random Access Memory
memória de acesso randômico
Petróleo
Random Access Memory
memória RAM
Aviação
Random Access Memory
Memória de Acesso Randômico
Informática
Random Access Memory cache
cache de memória RAM
Informática
dynamic Random Access Memory
DRAM
Petróleo
non-volatile Random Access Memory
memória não volátil de acesso randômico
Frases traduzidas contendo "Random Access Memory"
The memory 84 may include at least one type of storage medium including a hard disk type, a card-type memory (for example, SD or XD memory, etc), a flash memory, a Random Access Memory (RAM), a Read-Only Memory (ROM), and the like.
A memória 84 pode incluir pelo menos um tipo de meio de armazenamento, incluindo um tipo disco rígido, uma memória do tipo cartão (por exemplo, memória SD ou XD etc.), uma memória flash, uma Memória de acesso aleatório (RAM), uma Memória Somente para Leitura (ROM), entre outros.
The memory 84 may include at least one type of storage medium including a hard disk type, a card-type memory (for example, SD or XD memory, etc), a flash memory, a Random Access Memory (RAM), a Read-Only Memory (ROM), and the like.
A memória 84 pode incluir pelo menos um tipo de meio de armazenamento, incluindo um tipo disco rígido, uma memória do tipo cartão (por exemplo, memória SD ou XD etc.), uma memória flash, uma Memória de acesso aleatório (RAM), uma Memória Somente para Leitura (ROM), entre outros.
The memory resource 2,0 comprises, for example, a volatile memory, such as a Random Access Memory (RAM) and a non-volatile memory, for example a digital memory, such as a flash memory.
O recurso de memória 2,0 compreende, por exemplo, uma memória volátil, tal como uma Memória de acesso aleatório (RAM) e uma memória não-volátil, por exemplo, uma memória digital, tal como uma memória flash.
Computer storage media includes, but is not limited to, Random Access Memory (RAM), read-only memory (ROM), Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM), flash memory or other memory technology, compact disc read-only memory (CDROM), digital versatile disks (DVD) or other optical disk storage, magnetic cassettes,'magnetic tape, magnetic disk storage or other magnetic storage devices, or any other medium which can be used to store the desired information and which can be accessed by computer 1,0.
Os meios de armazenamento incluem, sem a isto se restringir, Memória de acesso aleatório (RAM), memória somente para leitura (ROM), Memória Somente para Leitura Programável e Eletricamente Apagável (EEPROM), memória flash ou outra tecnologia de memória, memória somente para leitura em disco compacto (CD-ROM), discos versáteis digitais (DVD) ou outro armazenamento em disco óptico, cassetes magnéticos, fita magnética, armazenamento em disco magnético ou outros dispositivos de armazenamento magnético, ou qualquer outro meio que possa ser usado para armazenar as informações desejadas e que possa ser acessado pelo computador 1,0.
Computer storage media includes, but is not limited to, Random Access Memory (RAM), read-only memory (ROM), Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM), flash memory or other memory technology, compact disc read-only memory (CDROM), digital versatile disks (DVD) or other optical disk storage, magnetic cassettes,'magnetic tape, magnetic disk storage or other magnetic storage devices, or any other medium which can be used to store the desired information and which can be accessed by computer 1,0.
Os meios de armazenamento incluem, sem a isto se restringir, Memória de acesso aleatório (RAM), memória somente para leitura (ROM), Memória Somente para Leitura Programável e Eletricamente Apagável (EEPROM), memória flash ou outra tecnologia de memória, memória somente para leitura em disco compacto (CD-ROM), discos versáteis digitais (DVD) ou outro armazenamento em disco óptico, cassetes magnéticos, fita magnética, armazenamento em disco magnético ou outros dispositivos de armazenamento magnético, ou qualquer outro meio que possa ser usado para armazenar as informações desejadas e que possa ser acessado pelo computador 1,0.
...ces where ferro-piezoeletrics materials are needed. This material shows a good fatigue resistance, being one of the most liable substitutes for the Lead Zirconate Titanate (PZT) in the ferroelectrics Random Access Memory (FERAM). The magneto-dielectric matrix composite (SrBi2Nb2,9)x(BaFe12,19)1,0-x, where x stands for 0,25,50,75 and 1,0 wt% were prepared by a new procedure in the solid state route. Also, it was done ...
...eriais ferro-piezoeletricos são necessários. Esse material apresenta uma boa resistência à fadiga sendo um dos principais substitutos do Titanato Zirconato de Chumbo (PZT) nas memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FERAM’s). A matriz cerâmica magneto-dielétrica (SrBi2Nb2,9)x(BaFe12,19)1,0-x, onde x = 25, 50, 75 e 1,0% do peso, foi preparada pela rota de estado sólido, com moagem e calcinação. Também, foi feito um estudo do efeito de um grupo de ligantes orgânicos (TEOS, PVA, Glicerina) nas pro...
...e radiation-induced charges in the STI (shallow trench isolation) regions adjacent to the fin. Finally, the n-channel triple gate Bulk device is used for memory application, that is, 1T-DRAM (Dynamic Random Access Memory with 1 Transistor). Bipolar junction transistor (BJT) programming mode is used to write and read 1 while the forward biasing of the body-drain junction is used to write 0. The reading and writing cur...
...nduzidas pelo óxido de isolação (STI). Finalmente, o transistor de Corpo de porta tripla de canal tipo-n é experimentalmente estudado como célula de memória, isto é, como 1T-DRAM (Memória de Acesso Aleatório Dinâmico com 1 transistor). Para escrever e ler 1 é utilizado um modo de programação que utiliza o efeito do transistor bipolar parasitário (BJT) enquanto a polarização direta da junção do corpo e do dreno é usada para escrever 0. As correntes de leitura e escrita aumentam com o aumento da te...
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